专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于稀土金属氧化物Nd2-CN202310155485.0在审
  • 周敬然;房路磊;阮圣平;刘彩霞;董玮;张歆东;沈亮;温善鹏;郭文滨 - 吉林大学
  • 2023-02-23 - 2023-06-23 - H01L31/032
  • 一种基于稀土金属氧化物Nd2O3的低功耗高性能紫外探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。依次由部分FTO层被刻蚀的带有FTO导电薄膜的玻璃衬底、在衬底表面制备的Ag底电极、采用溶胶‑凝胶法在衬底表面制备的Nd2O3纳米薄膜光敏感层、在FTO层被刻蚀区域上方Nd2O3纳米薄膜光敏感层表面制备的Ag顶电极组成,Ag底电极不与Nd2O3纳米薄膜光敏感层电接触,Ag顶电极‑Nd2O3纳米薄膜光敏感层‑FTO导电薄膜‑Ag底电极构成电回路。本发明制备的器件具有极低的暗电流,同时紫外波段有良好的响应,在无光照待机状态下具有极低的功耗,并且具有较高的紫外光电探测性能,可以用作低功耗高性能紫外探测器。
  • 一种基于稀土金属氧化物ndbasesub
  • [发明专利]一种微通道液冷电池组散热装置-CN202310197506.5在审
  • 尹佳慧;阮圣平;刘彩霞;周敬然 - 吉林大学
  • 2023-03-03 - 2023-04-07 - H01M10/6568
  • 本发明公开了一种微通道液冷电池组散热装置,包括微通道液冷系统及其上方的动力电池组,液冷系统包括三块内部贯穿微通道的液冷板和三个连通管,每块微通道冷板正上方布置八个固定间距的单体电池,所述微通道液冷板上设有硅胶垫,所述硅胶垫上侧与电池模组相连接。冷却液流经第一、二微通道冷板后汇聚流经第三微通道冷板,第三微通道冷板中冷却液流速增加,极大地强化流程末端的换热能力,达到改善蛇形流向液冷装置的散热效果,有效提升电池组温度均匀性,为蛇形类液冷装置的散热方式提供参考。
  • 一种通道电池组散热装置
  • [发明专利]一种基于FTO/TiO2-CN202211039175.4在审
  • 阮圣平;张宇鹏;翟艳男;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳 - 吉林大学
  • 2022-08-29 - 2022-12-13 - H01L51/42
  • 一种基于FTO/TiO2:PEO/MAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。该探测器从下到上依次由FTO衬底、TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层、多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜和Ag电极组成,TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层和多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜构成TiO2:PEO/MAPbCl3异质结光敏感层,待测的紫外光从FTO衬底一侧入射。本发明通过构建复合异质结,增强内建电场,有效调节光敏层中电子传输的表面功函,降低活性层和电极之间的接触势垒,从而增强电子萃取能力,有效提高器件内部载流子的迁移效率,具有对紫外光有较高响应的优良效果。
  • 一种基于ftotiobasesub
  • [发明专利]基于铁电钙钛矿PbTiO3-CN202211107891.1在审
  • 阮圣平;张宇鹏;徐睿良;翟艳男;陈宇;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳 - 吉林大学
  • 2022-09-13 - 2022-11-29 - H01L51/42
  • 一种基于铁电钙钛矿PbTiO3/TiO2的快速响应恢复型紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。其从下到上由石英衬底、PbTiO3铁电材料薄膜、TiO2薄膜、Au叉指电极组成,PbTiO3铁电材料薄膜和TiO2薄膜组成PbTiO3/TiO2复合异质结光敏感层,其厚度为200~300nm;待测的紫外光从石英衬底一侧入射。本发明通过铁电钙钛矿材料和传统半导体材料构建复合异质结,铁电材料所具有的退极化场可以增加电子和空穴的分离以及运输效率,同时能大大减弱电子空穴对在分离后产生的复合效应,有效提高器件内部载流子的迁移效率,降低传统半导体材料的暗电流,并提升其响应恢复特性。
  • 基于铁电钙钛矿pbtiobasesub
  • [发明专利]一种基于FTO/α-Ga2-CN202210954059.9在审
  • 阮圣平;周瑞恒;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳 - 吉林大学
  • 2022-08-10 - 2022-11-01 - H01L31/18
  • 一种基于FTO/α‑Ga2O3/MgZnO晶型匹配异质结的紫外探测器及其制备方法紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、在FTO上生长的Ga2O3纳米线、在Ga2O3纳米线空隙填充MgZnO纳米材料形成的Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层、在光敏感层上制备的Ag电极组成;待测的紫外光从SiO2/FTO衬底一侧入射,其中SiO2/FTO衬底的厚度为2~3mm,Ga2O3/MgZnO异质结光敏感层的厚度为2~3μm,Ag电极的厚度为1~3mm。本发明水热法简单易行、成本低廉、对设备要求低,制备出的器件对紫外光有较高的响应,适于大批量生产。
  • 一种基于ftogabasesub
  • [发明专利]一种基于无定形态In掺杂Ga2-CN202210903894.X在审
  • 阮圣平;周瑞恒;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳 - 吉林大学
  • 2022-07-29 - 2022-11-01 - H01L31/09
  • 一种基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。由石英衬底、无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层和Au金属叉指电极组成。首先将石英衬底清洗干净并干燥,然后在去离子水中加入九水合硝酸镓、四水合硝酸铟、聚氧乙烯月桂醚和柠檬酸,得到In掺杂的Ga2O3前驱体溶液;再在石英衬底上旋涂前驱体溶液,经烘干、衬底冷却、烧结后得到无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层;最后经过光刻、磁控溅射,在光敏感层上得到Au金属叉指电极;从而制备出工艺简单易行、工序少、成本低廉、对紫外光有较高响应的基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器。
  • 一种基于无定形态in掺杂gabasesub
  • [发明专利]基于多孔花状CdS/CdIn2-CN202210367111.0在审
  • 阮圣平;孙多;刘彩霞;李昕;周敬然;马艳 - 吉林大学
  • 2022-04-08 - 2022-08-12 - G01N27/12
  • 一种基于多孔花状CdS/CdIn2S4异质结复合敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域。由从下至上的带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于多孔花状CdS/CdIn2S4异质结复合敏感材料的敏感层组成。本发明中,n‑n异质结的形成有助于载流子的分离和转移。此外,与CdIn2S4相比,CdS/CdIn2S4异质结纳米复合敏感材料多孔的花状结构为气体提供了更多的活性位点和扩散通道来提高气敏响应,对三乙胺气体具有良好的检测性能,同时本发明采用的工艺简单,制得的器件体积小,适于大批量生产,因而具有重要的应用价值。
  • 基于多孔cdscdinbasesub
  • [发明专利]一种基于富硫空位ZnIn2-CN202210469510.8在审
  • 阮圣平;樊怡灼;刘彩霞;李昕;周敬然;马艳 - 吉林大学
  • 2022-04-28 - 2022-08-05 - G01N27/12
  • 一种基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米花敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域。由从下至上的Al2O3衬底、Pd金属叉指电极和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米敏感材料层组成。本发明通过改变合成条件来合成了ZnIn2S4纳米花敏感材料,通过S缺陷工程控制生长出的ZnIn2S4纳米花是由暴露高能{0001}面的纳米片自组装而成的,表面具有大量的可作为传感反应活性位点的S空位,因此对三乙胺气体具有良好的检测性能。同时本发明采用的工艺简单、制得的器件体积小、适于大批量生产,因而具有重要的应用价值。
  • 一种基于空位zninbasesub
  • [发明专利]一种基于Yb掺杂TiO2-CN202011277737.X有效
  • 阮圣平;颜路明;周敬然;刘彩霞;李昕 - 吉林大学
  • 2020-11-16 - 2022-04-01 - H01L31/108
  • 一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、采用溶胶‑凝胶法在石英片衬底上制备的Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层、在Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层表面采用磁控溅射法制备的Au叉指电极组成;其中,石英片衬底的厚度为1~2mm,光敏感层的厚度为200~300nm;本发明通过在TiO2纳米薄膜中掺杂Yb使半导体整体的费米能级有所提高,增加了金属与半导体之间肖特基势垒,在暗态下能有效降低暗电流。并且随着掺杂浓度的增加,器件的整体吸收波长会发生蓝移,从而为太阳盲紫外探测器的实际应用提供了新的思路。
  • 一种基于yb掺杂tiobasesub

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