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[实用新型]带高次谐波抑制的三次谐波频率产生电路-CN202222768179.8有效
发明人： 周之蒋;张凡;林明 -专利权人：杭州岸达科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03H7/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带高次谐波抑制的三次谐波频率产生电路，包含：信号产生电路，用于产生正交差分信号；三次谐波产生电路，用于连接至信号生成电路并将信号产生电路产生的正交差分信号转换成三次谐波输出信号；其中，信号产生电路包含耦合器和级联巴伦；耦合器将输入的射频信号转换为一对正交信号输出给级联巴伦；级联巴伦将正交信号转换成正交差分信号输出给三次谐波产生电路。本实用新型的带高次谐波抑制的三次谐波频率产生电路，采用耦合器和巴伦的架构，能够降低工艺敏感性，同时巴伦输出的感性阻抗和三次谐波频率产生电路的输入容性阻抗可以进行阻抗匹配，以此来产生较高的电压摆幅，而不需要增加射频驱动电路。
带高次谐波抑制三次频率产生电路

[发明专利]一种射频接口电路及基于射频接口电路的多芯片级联方法-CN202211264346.3有效
发明人： 周之蒋;徐兵;张凡;林明 -专利权人：杭州岸达科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频接口电路，包括第一链路，所述第一链路包括依次设置的PLL IN端口、第一功率放大器AMP、开关S1、第二功率放大器AMP和PLL OUT端口；第二链路，所述第二链路包括依次设置的CAS IN端口、第三功率放大器AMP、开关S2、第四功率放大器AMP和PLL OUT INT端口；其中所述PLL IN端口分设为EXT PLL IN端口和INT PLL IN端口，并在端口后方对应设置开关S0，所述开关S0能够对应切换至所述EXT PLL IN端口和所述INT PLL IN端口。本发明的有益效果：本发明从芯片需要接收来自主芯片的信号，在内部放大再通过从芯片PLL OUT输出，经过功分器再返回CAS IN端口，不仅保证所有芯片CAS IN端口接收信号幅度和相位一致，还能在信号传输过程进行放大，进而保证信号的驱动能力。
一种射频接口电路基于芯片级联方法

[发明专利]带高次谐波抑制的三次谐波频率产生电路-CN202211287682.X在审
发明人： 周之蒋;张凡;林明 -专利权人：杭州岸达科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H03H7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种带高次谐波抑制的三次谐波频率产生电路，包含：信号产生电路，用于产生正交差分信号；三次谐波产生电路，用于连接至信号生成电路并将信号产生电路产生的正交差分信号转换成三次谐波输出信号；其中，信号产生电路包含耦合器和级联巴伦；耦合器将输入的射频信号转换为一对正交信号输出给级联巴伦；级联巴伦将正交信号转换成正交差分信号输出给三次谐波产生电路。本发明的带高次谐波抑制的三次谐波频率产生电路，采用耦合器和巴伦的架构，能够降低工艺敏感性，同时巴伦输出的感性阻抗和三次谐波频率产生电路的输入容性阻抗可以进行阻抗匹配，以此来产生较高的电压摆幅，而不需要增加射频驱动电路。
带高次谐波抑制三次频率产生电路

[发明专利]变压器-CN201610942121.7有效
发明人：王西宁;程仁豪;周之蒋;高金凤 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种变压器，包括：衬底；第一线圈结构，包括：第一单层线圈以及第一叠层线圈；第二线圈结构，包括：第二单层线圈以及第二叠层线圈。本发明技术方案可以通过垂直所述衬底表面方向上，所述第一单层线圈和所述第二单层线圈之间实现。所以本发明技术方案能够有效的增加所述第一线圈结构和所述第二线圈结构之间电磁耦合的面积，从而提供电磁耦合效率。在相同的耦合要求情况下，本发明技术方案可以减少所述第一叠层线圈和所述第二叠层线圈的数量，从而能够有效的减小所述第一线圈结构和所述第二线圈结构的面积，减小所述变压器面积。
变压器