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[实用新型]一种深紫外LED封装结构-CN202022147638.1有效
发明人：李文博;孙钱;杨勇;汤文君;吴迅飞 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东（佛山）研究院
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种深紫外LED封装结构，其中无机深紫外LED封装结构包括陶瓷基板、玻璃盖板和LED芯片，陶瓷基板安装有若干个LED芯片，玻璃盖板贴合在陶瓷基板装有LED芯片一侧；玻璃盖板设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽的内表面与LED芯片的边缘贴合或留有间隙。采用平面陶瓷基板大大降低器件材料成本，直接采用平面玻璃盖板上设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽大小与LED芯片的大小相等或略大于LED芯片，因此玻璃盖板在盖合后，深紫外LED芯片与玻璃盖板几乎完全贴合，光线直接由LED芯片射入玻璃盖板，减少一次介质损失，芯片与盖板之间间隙较小甚至没有，不需考虑真空封装或空气封装问题，减少影响可靠性因素,提高器件的可靠性。
一种深紫 led 封装结构

[发明专利]提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用-CN201811314183.9有效
发明人：孙钱;刘建勋;冯美鑫;何俊蕾;黄应南;孙秀建;詹晓宁;吴迅飞;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
提高氮化物半导体紫外发光二极管效率方法应用

[发明专利]MOCVD设备的尾气颗粒过滤系统及方法-CN201310040758.3有效
发明人： 吴迅飞;谢文通 -专利权人：上海博恩世通光电股份有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MOCVD设备的尾气颗粒过滤系统及方法，该过滤系统包括：用于吸附MOCVD设备的尾气颗粒的一级颗粒吸附系统、冷却系统和二级颗粒吸附系统；冷却系统设置于一级颗粒吸附系统中，与一级颗粒吸附系统结合实现对MOCVD设备的尾气的快速降温和颗粒吸附；二级颗粒吸附系统与一级颗粒吸附系统相连，实现MOCVD设备的尾气颗粒的再吸附。本发明采用一级颗粒吸附系统和冷却系统相结合的方式快速降低尾气排放的温度，增强对尾气所含颗粒的一级吸附过滤能力，大大减小对二级颗粒吸附系统中的滤芯的技术规格要求；本发明无需对MOCVD设备进行额外改造，实现所需成本较低，占用空间小，拆装维护方便，使用周期长，一级颗粒吸附系统中的金属过滤网丝可反复清理再利用。
mocvd 设备尾气颗粒过滤系统方法

[发明专利]一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法-CN201310032282.9有效
发明人：覃晓燕;吴迅飞;谢文通 -专利权人：上海博恩世通光电股份有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，该方法包括以下步骤：在PSS衬底上生长GaN缓冲层；在该GaN缓冲层上生长UGaN层；在所述U型GaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；交替生长形成掺杂Si和Al的第一NAlGaN层和不掺杂Si的第一UGaN层；交替生长38-40个周期；接着交替形成生长掺杂Si和Al的第二NAlGaN和不掺杂Si的第二UGaN层，交替生长25-26个周期；接着交替生长形成掺杂Si和Al的第三NAlGaN层和掺杂Si的第三NGaN层，交替生长15-16个周期；周期性生长有源层MQW和PGaN层。本发明采用NAlGaN/NGaN超晶格结构取代传统N型GaN层(NGaN)的方法有效提高了LED的外量子发光效率，使得器件可以提高电子的迁移率，可以降低大尺寸芯片的正向电压、提高发光效率。
一种提高尺寸芯片外延结构及其生长方法