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[实用新型]一种高压变频器的散热装置-CN202121542122.5有效
发明人：齐明明;吴敬斌;张磊 -专利权人：山东源泰电气有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H02M5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压变频器的散热装置，属于电器设备技术领域。该结构包括带有检修门的散热箱，散热箱的侧壁上开设有通风格栅，散热箱内部固定设置有上散热底板及下散热底板，上散热底板上端固定设置有小功率变频器主体，下散热底板上端固定设置有大功率变频器主体，上散热底板及下散热底板的下端均固定连接有多个散热片，下散热片中贯穿设置有散热水管，散热箱内部还设置有风冷组件，本实用新型能够同时对不同功率的多个变频器主体进行散热，工作效率高，安全性能好。
一种高压变频器散热装置

[实用新型]一种便携式母排折弯装置-CN202122248701.5有效
发明人：陈亮;吴敬斌;吕宜臣 -专利权人：山东源泰电气有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B21D5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及折弯加工技术领域，且公开了一种便携式母排折弯装置，包括箱体，所述箱体上至少滑动安装有一组支撑杆，且箱体上还设置有用于对支撑杆进行位置固定的定位块，所述箱体上还设置有用于对待加工母排进行折弯前定位的固定组件，所述箱体内设置有传动齿轮，且传动齿轮通过转轴与所述固定组件相连接，所述传动齿轮上还啮合连接有第一传动齿轮和第二传动齿轮，所述第一传动齿轮的直径大于所述第二传动齿轮的直径，且箱体内还分别设置有用于带动第一传动齿轮和第二传动齿轮转动的第一蜗杆和第二蜗杆；本实用新型，通过第一传动齿轮和第二传动齿轮的设置，便于实现对折弯角度的精准控制。
一种便携式折弯装置

[实用新型]一种低压柜AC-DC转换装置-CN202121336994.6有效
发明人：齐明明;吴敬斌;张磊 -专利权人：山东源泰电气有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低压柜AC‑DC转换装置，涉及电源电压转换领域，包括交流配电柜模块、AC‑DC转换模块、交流控制模块、输出采样模块、输出保护模块、控制开关模块；所述AC‑DC转换模块用于进行交直流转换，交流控制模块用于改变交流电压值，输出采样模块用检测电路输出的直流电压信号，输出保护模块用于关断装置，控制开关模块用于接收输出电压信号和控制所述输出保护模块和交流控制模块的工作状态。本实用新型低压柜AC‑DC转换装置采用集成电路对电路输出进行智能采样与控制，通过改变变压器改变转换电压，并利用开关管能够有效的将旧变压器输出的过高电压转换为所需的较低直流电压，有效的提高了电路的安全性，又确保交直流转换的可行性。
一种低压 ac dc 转换装置

[发明专利]图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法-CN200310102322.9无效
发明人：黄政阳;李士敬;林佩筠;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法，该图案化金属层的方法，是首先提供基底，且基底上已形成有数个元件结构，以及与这些元件结构所对应的数个内连线结构；之后，在基底上方形成介电层；接着，在介电层上形成金属材料层；然后对金属材料层进行电浆蚀刻制程，形成图案化的金属层，其中电浆蚀刻制程是以较低功率变压偶合式电浆进行，所以可解决现有技术中晶圆中心与晶圆边缘处的介电层其过度蚀刻程度不一致的问题。本发明可降低晶圆中心处与边缘处的介电层其过度蚀刻程度的差异性，另可使得晶圆中心处与边缘处的介电层被移除的厚度一致，还可使反应室的温度保持一致，而可提高晶圆中心处与晶圆边缘处的过度蚀刻速率的一致性。
图案金属方法连线制造

[发明专利]半导体用的扫瞄工具的校正方法及其标准校正片-CN03153591.7有效
发明人：马嘉淇;苏炎辉;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-08-18 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种半导体用的扫瞄工具的校正方法及其用于校正扫瞄工具的标准校正片，该半导体用的扫瞄工具的校正方法，是首先提供具有一标准图案的一晶圆，其中该标准图案的侧壁是呈斜坡状。之后利用一扫瞄工具扫瞄晶圆上的标准图案，以取得一讯号，该讯号是表现出标准图案的侧壁处的位置，利用讯号即能对扫瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。由于本发明的方法不但能对扫瞄工具作X方向与Y方向的校正，而且还能对Z方向作校正，因此，可以改善现有技术中因无法校正Z方向而使扫瞄工具仍有偏差的问题。
半导体工具校正方法及其标准

[发明专利]高密度电浆氧化沉积物的去除方法-CN02130423.8无效
发明人：李宏文;吴敬斌;张汉茂;马嘉淇;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度电浆氧化沉积物的去除方法，其中，提供一基板并形成氮化硅层于其上，且以高密度电浆法(HDP)沉积氧化硅层于氮化硅层上，此去除方法包括步骤：(1)以内至外模式(in－side－out model)对氧化硅层进行蚀刻，基板中心的蚀刻速率比周边的蚀刻速率快；(2)以外至内模式(out－side－inmodel)对氧化硅层进行蚀刻，基板周边的蚀刻速率比中心的蚀刻速率快；及(3)以化学机械研磨法(CMP)移除残余的氧化硅层。本发明的两步骤回蚀可使残余的高密度电浆氧化物具有较佳的均匀度，且可完全地被平坦化。
高密度氧化沉积物去除方法

[发明专利]护垫蚀刻程序后去除氟化铝缺陷的方法-CN02130417.3无效
发明人：苏炎辉;吴敬斌;李宏文;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种护垫蚀刻程序后去除元件上氟化铝缺陷的方法，包括以下步骤：(a)应用EKC溶液，主要包括羟胺(hydroxylamine，HDA)，且应用的时间约为30分钟；(b)应用一中间清洗化学品(intermediate rinse chemical)，如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)或N－甲基－四氢咯酮(N－methylpyrrolidone，NMP)，且应用的时间范围约为0.5－3分钟，及(c)应用水于元件上。本发明的方法可有效地去除氟化铝缺陷而不会对铝层造成腐蚀和损坏，使原先有缺陷的芯片可被救回，而不需被报废，进而降低芯片的生产成本。
护垫蚀刻程序去除氟化缺陷方法

[发明专利]防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置-CN02140502.6有效
发明人：苏炎辉;吴敬斌;李宏文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止焊垫氟化的晶片储存方法以及晶片储存运送装置，首先在晶片运送储存盒表面钻孔，并清干净后，再将晶片放进晶片运送储存盒内。接着，将其套进包装袋内，整个放进真空包装机中。之后，将晶片运送储存盒内的杂质、空气和水气抽出。接着灌入干燥的惰性气体(例如氮气)，使晶片运送储存盒内的压力与大气压力平衡，以避免晶片运送储存盒变形，再将包装袋密封住，即完成晶片储存运送。
防止氟化晶片储存方法运送装置

[发明专利]残余聚合物去除剂及其使用方法-CN02105270.0无效
发明人： 吴敬斌;李宏文;洪宗裕;连楠梓 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-02-25 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：一种残余聚合物去除剂，应用于后金属去除工艺中，以有效去除基材上的残余聚合物。本发明的残余聚合物去除剂主要由链烷醇胺(alkanolamine)、糖醇(sugaralcohol)、及20％的水所组成。使用方法是，将含有待去除的残余聚合物的基材浸置于温度约60℃～70℃的组合物中约5～15分钟。残余聚合物去除剂的最初含水量自15％增加至本发明的20％，可使残余聚合物去除剂的生命周期自12小时延长至48小时。
残余聚合物去除及其使用方法

[发明专利]去除感光性树脂与残余聚合物的方法-CN02105271.9无效
发明人： 吴敬斌;李宏文;侯东源;苏炎辉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-02-25 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：一种去除感光性树脂和残余聚合物的方法。利用一包含SCl溶液和CR溶液，且SCl溶液应用在CR溶液之前的湿式蚀刻工艺。其中，SCl溶液主要由氢氧化氨(NH4OH)、硫酸(H2SO4)和水所组成，以去除侧壁栅状聚合物，而CR溶液主要由硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)所组成，以去除感光性树脂。其中，一重要关键在于：需在低温条件下应用SCl溶液，以减少氧化层的损失。本发明的湿式蚀刻工艺不但可有效地去除残余聚合物，更不会损伤半导体元件。
去除感光性树脂残余聚合物方法

[发明专利]去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法-CN01144814.8无效
发明人： 吴敬斌;李宏文;黄司丞;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法，用来消除残留聚合物在晶片表面的回沾，造成品管检验时不良率过高及焊接工艺不良率过高的情况得以改善。该去除焊垫窗口形成后的残留聚合物的方法，焊垫窗口是蚀刻晶片的保护层而得，包含：以湿式去除工艺，去除该保护层上形成的蚀刻后聚合物；以干式去除工艺，去除该保护层上的残留聚合物并降低焊垫表面的氟浓度；及清洗该晶片。经过多次实际测试，使用本发明的方法，可将此种残留聚合物的回沾情况完全消除。本发明是利用交换湿式及干式去除工艺的方法，使得干式去除工艺O2－ashing，不仅对焊垫金属进行保护，还去除了湿式蚀刻形成的残留聚合物，故可在不增加成本的情况下，提高产品的品质。
去除窗口蚀刻残留聚合物方法

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