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[发明专利]一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法-CN201610309763.3在审
发明人：梁长浩;吴守良;刘俊 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： B01J23/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法，按照半导体氧化物:贵金属离子＝1～25:1的摩尔比，将半导体氧化物纳米晶胶体溶液与含贵金属离子的溶液混合，并置于激发光下进行辐照，辐照时间为10～90分钟，从而制得半导体氧化物原位负载贵金属团簇；其中，所述激发光的波长≤1239.5/半导体氧化物的禁带宽度；所述的半导体氧化物为Fe₂O₃、SnO₂、CuO或WO₃中的一种或多种，含贵金属离子的溶液是指含金、银、钌、铑、钯、锇、铱、铂中的一种或多种离子的溶液。本发明无需使用表面活性剂和传统还原剂，不仅克服了采用传统还原剂还原贵金属离子时易产生副产物污染的缺点，而且避免了贵金属团簇表面因吸附活性剂而导致催化活性降低的缺陷。
一种半导体氧化物原位负载贵金属制备方法

[发明专利]单分散、尺寸均一的贵金属纳米球的制备方法-CN201210535818.4有效
发明人：梁长浩;吴守良;刘俊;田振飞;张和民 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种单分散、尺寸均一的贵金属纳米球的制备方法，包括步骤：首先利用液相激光熔蚀技术在PVP水溶液中处理贵金属靶材，制备出均相分散的贵金属溶胶；然后将所述贵金属溶胶在恒温油浴的环境下进行生长，合成单分散的贵金属纳米球。能制备出具有单分散特性、尺寸分布均匀的贵金属纳米球。一方面拓展了液相激光熔蚀技术的应用，另一方面也为其它化合物或单质纳米球的制备提供了新的途径和思路。
分散尺寸均一贵金属纳米制备方法