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[发明专利]一种EuInO3-CN202310947040.6在审
发明人： 吕宪顺;魏磊;王旭平;王慧;李刚;孙明勇 -专利权人：山东越海通信科技股份有限公司;山东山科智晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及磁性存储领域，尤其涉及一种EuInO3晶体的溶剂热制备方法和应用。本发明EuInO3晶体采用溶剂热法，生长设备简单，生长条件容易，可有效降低生长成本，有利于EuInO3晶体的研究；同时该EuInO3晶体制备方法有利于磁旋涡技术的研究推广，为EuInO3晶体在磁性存储方面的应用奠定基础。
一种 euino base sub

[发明专利]一种AgNbO3-CN202211559128.2有效
发明人： 吕宪顺;王旭平;张园园;张福麟;魏磊;张华迪 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷储能技术领域，具体涉及一种AgNbO3反铁电储能陶瓷及其制备方法。制备方法包括如下步骤：（1）将Ag3C6H5O7·xH2O、H5Nb3O10加入到pH值为4~4.5的C6H8O7溶液中，将溶液转移至高压反应釜中，然后放入微波反应系统中，微波频率为2455MHz，控制合成温度为150‑200℃，保温时间为1h，反应结束后将所得粉末离心分离并干燥；（2）干燥后的粉末经压片后，在O2气氛下800‑850℃煅烧6h；（3）将煅烧产物再次碾磨后压片，然后在O2气氛下850‑950℃烧结6h。本发明克服了陶瓷制备条件苛刻的缺陷，且能够提高所制得的陶瓷材料的储能性能。
一种 agnbo base sub

[发明专利]一种KTN薄膜及其制备方法-CN202111545494.8有效
发明人：邱程程;王旭平;刘冰;禹化健;杨玉国;吕宪顺 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种KTN薄膜及其制备方法。本发明采用溶胶‑凝胶法制备具有高性能的KTN薄膜，针对薄膜器件集成化的要求，对原料配比以及工艺参数做了设计和优化，改善薄膜性能，降低生产成本，有利于其工业化应用。
一种 ktn 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种新型晶片研磨抛光机-CN201711158536.6有效
发明人：邱程程;刘冰;王旭平;张园园;吕宪顺;杨玉国 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B24B37/27 文献下载
摘要：一种新型晶片研磨抛光机，包括机座和转盘，所述的机座包括操作面板和操作台；所述的操作台上设置有用于放置转盘的转盘基座；所述的转盘基座轴心设置有轴套；所述的转盘由同轴心设置的小圆盘和大圆盘上下叠加而成，大圆盘底部轴心设置有与轴套旋转连接的转轴，小圆盘轴心处贯穿有用于粗研磨液流通的导流管，且导流管上端口不低于小圆盘顶部平面；所述的小圆盘的底部分布有多条由导流管向小圆盘外沿贯穿的转盘导液槽；所述的转盘上可放置与其相配合的载样盘；所述的载样盘包括内盘和外盘，其中内盘底面与小圆盘顶面接触，外盘底面与大圆盘顶面接触；本发明可同步实现晶片不同研磨抛光程度的抛光，省时省力。
一种新型晶片研磨抛光机

[发明专利]一种复合KTN薄膜及其制备方法-CN202111545498.6有效
发明人：邱程程;王旭平;刘冰;禹化健;杨玉国;吕宪顺 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种复合KTN薄膜及其制备方法。本发明采用溶胶‑凝胶法制备，且通过铁酸铋种子层的添加，以及镧、铁共掺，有效的优化了薄膜性能，此外对原料配比以及工艺参数做了设计和优化，降低生产成本，有利于其工业化应用。
一种复合 ktn 薄膜及其制备方法

[实用新型]一种便于安装的二次电光偏转效应演示仪-CN202223472030.1有效
发明人： 吕宪顺;王旭平;陈芙迪;宋慧 -专利权人：山东山科智晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于安装的二次电光偏转效应演示仪，涉及二次电光偏转效应演示仪技术领域。本实用新型包括工作台和演示仪本体，工作台的底部四角处均安装有支撑腿，工作台上表面设置有移动机构，移动机构上安装有安装块，安装块的前端面开设有插槽，插槽为“T”形结构。本实用新型通过将安装板安装在演示仪本体上后，将安装板上的插柱对准安装块上的插槽并插入进去，插入时楔形块会被插槽挤压，楔形块在滑槽内滑动并挤压第一弹簧，当插柱完全进入到插槽内时第一弹簧将楔形块弹到插槽内，楔形块卡紧在插槽内，以此可以达到快速安装演示仪本体的效果，提高了演示仪本体安装工作的便捷性，有效地提高了演示仪本体安装工作的工作效率。
一种便于安装二次电光偏转效应演示

[发明专利]一种Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料及其制备、加工方法-CN202211589982.3在审
发明人： 吕宪顺;王旭平;刘冰;张锐;禹化健;邱程程;毛新国;李顺 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于功能材料制备领域，尤其涉及一种Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料及其制备、加工方法。所述反铁电晶体材料的化学通式为K3‑xNaxNb3‑yTayB2O12，其中，x＝0.05～0.45，y＝0.05～0.5，该Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料，在γ→β相变时介电系数由9.85K上升到11K，Pmax增加到原来的3倍；通过晶体生长及加工工艺的优化，硼铌酸钾反铁电晶体的解理现象明显改善，温度上升到600℃无明显解理现象。
一种 na ta 掺杂硼铌酸钾反铁电晶体材料及其制备加工方法

[实用新型]一种用于检测晶体面型的工装夹具-CN202223248578.8有效
发明人： 吕宪顺;陈芙迪;宋慧;邱程程;魏磊;刘冰;王旭平 -专利权人：山东山科智晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体面型检测技术领域，一种用于检测晶体面型的工装夹具，包括固定座、固定块和滑动块，所述固定块固定连接在固定座的一侧，所述滑动块滑动连接在固定座上相对固定块的另一侧，所述固定块和滑动块相对的一面都设置有固定夹爪，所述固定夹爪的形状包括圆弧形，且垂直于固定座表面布置，圆形的光学晶体能够被两只所述固定夹爪夹持在中间进行固定，在所述固定夹爪下方的固定座上设置有光束光源，所述光束光源朝向固定夹爪布置，所述光束光源通电之后能够发出光束射向被固定夹爪夹持的光学晶体，并平行于光学晶体的表面穿过，有助于提高光学晶体面型检测的准确性。
一种用于检测晶体工装夹具

[发明专利]一种KTN单晶的制备方法-CN202211607638.2在审
发明人： 吕宪顺;刘冰;毛新国;石强;陈文碟;李顺;王旭平 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种KTN单晶的制备方法。本发明利用偏芯生长技术及优化的相关工艺参数，可将空心率降低到10％以下，极大提高了晶体的利用率，进一步推动KTN晶体的商业化应用。
一种 ktn 制备方法

[实用新型]一种手持式晶体研磨夹持装置-CN202223101485.2有效
发明人：禹化健;宋慧;陈芙迪;魏磊;王旭平;刘冰;吕宪顺 -专利权人：山东山科智晶光电科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B24B37/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体制造加工技术领域，公开了一种手持式晶体研磨夹持装置，包括固定筒和固定把手，所述固定把手垂直固定在固定筒的外侧，所述固定筒的中间设置有研磨腔，所述研磨腔中能够容纳光学晶体放置，所述固定筒的下端设置有露出孔，所述研磨腔中光学晶体的下侧表面能够从露出孔中露出，所述固定筒中还设置有挤压活塞，所述挤压活塞的下端伸入固定筒的研磨腔中，所述挤压活塞的下端与研磨腔围合成光学晶体容纳空间，其上端从固定筒的研磨腔中伸出，加工人员可通过按压挤压活塞的上端，从而使挤压活塞在研磨腔中的下端能够压紧研磨腔中的光学晶体，所述夹持装置能够对光学晶体进行固定的同时，避免工人的手部接触到抛光机的抛光盘。
一种手持晶体研磨夹持装置

[发明专利]一种低温生长碳酸盐拉曼晶体的方法和应用-CN202111288952.4有效
发明人： 吕宪顺;王旭平;刘冰;邱程程;禹化健;石强;张锐 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明属于二阶非线性晶体制备技术领域，具体涉及一种低温生长碳酸盐类拉曼晶体的方法和应用，所述方法包括：将BaCO3、硼酸盐及尿素溶于醇中，进行熔剂热法反应；反应完成后降至室温得到碳酸盐类拉曼晶体。通过熔剂热法生长碳酸盐类拉曼晶体，可在低温下生长碳酸盐晶体，解决了碳酸盐晶体难以在高温下生长的难题，获得了频移量达1057.8cm‑1的新型拉曼晶体，拓宽了拉曼晶体的应用范围。
一种低温生长碳酸盐晶体方法应用

[发明专利]一种反铁电AgNbO3-CN202110937385.4有效
发明人： 吕宪顺;王旭平;刘冰;杨玉国;张园园;魏磊;陈芙迪 -专利权人：山东省科学院新材料研究所;山东山科智晶光电科技有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明属于无铅反铁电晶体领域，具体涉及一种反铁电AgNbO3晶体的制备方法及应用。所述制备方法中，以V2O5和Na2SO4复配作为助熔剂制备反铁电AgNbO3晶体。本发明提供的反铁电AgNbO3晶体制备方法，通过以V2O5和Na2SO4复配作为助熔剂，能够有效避免V2O5透过刚玉坩埚析出而腐蚀熔盐炉，可将生长原料及刚玉坩埚的利用率提高3倍以上，将晶体生长成本降低到原来的30％以下。
一种反铁电 agnbo base sub

[发明专利]一种紫外双折射晶体制备方法及用途-CN202010780617.5有效
发明人： 吕宪顺;张园园;邱程程;王旭平;刘冰;杨玉国;安业同 -专利权人：齐鲁工业大学;山东省科学院新材料研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及双折射晶体领域，尤其涉及一种新型紫外双折射晶体SrxBa2‑xMg(BO3)2的制备及用途。一种可用于紫外、深紫外波段的硼酸盐双折射晶体，所述晶体分子式为SrxBa2‑xMg(BO3)2(x＝0.05‑0.2)，属于三方晶系，空间群，晶胞参数为所述双折射晶体可用于制作光通讯器件，如光隔离器、环形器、光束位移器、光学起偏器、光学调制器、偏光棱镜和相位延迟器等。
一种紫外双折射晶体制备方法用途

[发明专利]一种镧、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法-CN201910348468.2有效
发明人：邱程程;王旭平;吕宪顺;张园园;杨玉国;吴丰年;魏磊;张华迪 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于无机功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种镧、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法。采用溶胶‑凝胶和结合层层退火工艺的制备了镧、钛共掺的铁酸铋薄膜Bi（1+Z）(1–Y)LaYFe1‑XTiXO3（BLTO），即个元素的比例分别为Bi:La:Fe:Ti:O=（1+Z）(1–Y):Y:(1‑X):X:3，该薄膜共N层8≤N≤12，每层厚度为100nm‑130nm；使用该制备方法，可获得稳定、均匀的前驱体溶液，配合该层层退火工艺，制备的薄膜具有较低的漏电流，高剩余极化强度。
一种钛共掺铁酸铋薄膜及其制备方法

[发明专利]一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途-CN201710385219.1有效
发明人： 吕宪顺;张园园;邱程程;王旭平;刘冰;杨玉国 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及拉曼激光晶体领域，具体涉及一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途，所述的的拉曼晶体为Sr₂Mg(BO₃)₂，属于单斜晶系，该晶体的制备方法包括Sr₂Mg(BO₃)₂多晶粉末的制备及利用该多晶粉末生长拉曼晶体Sr₂Mg(BO₃)₂。该拉曼晶体用于紫外波段的拉曼变频。
一种硼酸盐晶体及其制备方法用途

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