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[发明专利]一种HLR/HSS用户数据在线导出及导入的同步迁移方法-CN201710027609.1有效
发明人：夏锡刚;杨博;肖祖丽;吕吉贺;董丽华;杨华;焦金涛;杨春来;唐洪飞 -专利权人：吉林吉大通信设计院股份有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种HLR/HSS用户数据在线导出及导入的同步迁移方法，为克服目前数据迁移过程中的数据不一致、鉴权重同步及务运营支撑系统多点开通迁移量大的问题，该方法步骤为：1.用户数据导出；2.用户数据导入；3.数据一致性比对：(1)修改BOSS指向，对传统HLR和HSS进行数据双发，保持传统HLR、分布式HSS和BOSS三端在线，并连接用户数据比对工具进行数据一致性比对；(5)通过HTTP方式访问用户比对工具中网络服务进程；(7)自动完成数据修正,直至数据完全一致修改本地所有迁移网段数据；各端局、信令转节点、关口局全局码GT路由指向；进行拨打测试，发送主用指令到迁移后HSS，进行BOSS测试。
一种 hlr hss 用户数据在线导出导入同步迁移方法

[发明专利]一种均衡移动性管理设备池容量的方法-CN201510989674.3有效
发明人：夏锡刚;肖祖丽;宋海娇;吕吉贺;董丽华;吴赫赫;杨博;唐洪飞;杨春来 -专利权人：吉林吉大通信设计院股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H04W28/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种均衡移动性管理设备池容量的方法，旨在解决现有技术中基于静态分发业务请求的方法，在网络容量或负载发生变化时，需要手动修改数据或调整设备配置解决容量或负载均衡的问题。一种均衡移动性管理设备池容量的方法既适用于2G/3G网络中，又适用于4G网络中；其中包括1.用户设备开机，通过对服务小区和邻近小区测量值的监控，来触发小区选择和小区重选，以最大程度保证小区驻留在一个最好的小区内，驻留到合适的小区后，首先发起随机接入过程，即消息1；至17.无线网络节点基站控制器/无线网络控制器向服务支撑节点发送上行非接入层传输消息，包含非接入层附着完成、激活默认的演进分组系统承载上下文消息共17个步骤。
一种均衡移动性管理设备容量方法

[发明专利]无线宽带设备工作机制的判定方法及装置-CN201510192580.3有效
发明人： 吕吉贺;旭光;裴报春;马慧君;吴赫赫;肖祖丽 -专利权人：中国移动通信集团内蒙古有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H04W24/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线带宽设备工作机制的判定方法及装置，所述方法包括：获取待测无线宽带设备各个时长的时间片的出现次数；依据所述出现次数，确定出现概率；依据所述出现概率，形成出现概率图谱；判定所述出现概率图谱是否为已知工作机制的无线带宽设备的出现概率图样，形成判定结果；依据所述判定结果，确定所述无线带宽设备的工作机制。
无线宽带设备工作机制判定方法装置

[发明专利]一种校园网接入外部网络的实现方法、系统及装置-CN201010539014.2有效
发明人：白玉洁;谭华;王彦军;姜雷;吕吉贺 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：一种校园网接入外部网络的实现方法、系统及装置：A、认证网关接收到终端发送的网络访问请求，如果该请求的目的地址为校园网内地址，执行步骤B，否则，执行步骤C；B、认证网关将该终端访问网络的数据包路由指向校园网内；C、认证网关向使用该终端的用户推送web认证页，接收用户通过该页面返回的账号类别及账号，如果是I类账号，则执行步骤D；否则执行步骤E；D、认证网关向本地认证计费服务器发起认证请求，认证通过后，控制用户通过校园网的第一出口访问外部网络；E、认证网关向远程认证计费服务器发起认证请求，认证通过后，控制该用户通过校园网的第二出口访问外部网络。本发明用于实现一种合作运营的校园网。
一种校园网接入外部网络实现方法系统装置

[发明专利]一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺-CN200810161833.0有效
发明人：任晓敏;黄辉;叶显;吕吉贺;蔡世伟;黄永清;王琦 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。
一种基于界面纳米结构外延生长工艺

[发明专利]一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术-CN200810132429.0有效
发明人：黄辉;任晓敏;吕吉贺;蔡世伟;王琦;黄永清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。
一种基于中间工序裂纹外延生长技术