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[发明专利]片式压敏电阻器-CN202211508663.5在审
发明人：内田雅幸;筱泽恒树;吉田尚义;簗田壮司 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：在本发明的片式压敏电阻器中，通过扩大第三导体的功能部的宽度，提高ESD耐量。第三导体的端部的宽度比第三电极的宽度短且比第三导体的功能部的宽度短。因此，例如在形成第三电极时，即使在存在端面的相对方向上的第三电极和第三导体的相对位置偏移的情况下，也不容易发生第三导体的一部分未被第三电极覆盖的情况。即，第三导体和第三电极的连接区域的大小不变，能够实现良好的连接。
压敏电阻

[发明专利]片式压敏电阻的制造方法及片式压敏电阻-CN202110398939.8有效
发明人：后藤智史;吉田尚义;簗田壮司;小柳健;铃木大希;加贺谷信;内田雅幸;今井悠介 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01C7/105 文献下载
摘要：片式压敏电阻具备表现压敏电阻特性的素体、包含第一导电材料的内部电极、以及包含第二导电材料的中间导体。中间导体在内部电极相互相对的方向上与内部电极分离，且配置于内部电极之间。中间导体的至少一部分在内部电极相互相对的方向上与内部电极重叠。素体包括在内部电极相互相对的方向上位于内部电极之间且扩散有第二导电材料的低电阻化区域。
压敏电阻制造方法

[发明专利]瞬态电压保护器件-CN202210617199.7在审
发明人：今井悠介;早津匡人;吉田尚义;簗田壮司 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01T4/02 文献下载
摘要：瞬态电压保护器件包括：元件主体；设置在元件主体内的空洞部；设置在元件主体内的一对内部电极；和与一对内部电极连接的一对外部电极。一对内部电极沿第一方向延伸，并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相对。空洞部包含在第二方向上位于一对内部电极间的间隙区域。一对内部电极的至少一者的前端部仅与元件主体接触。
瞬态电压保护器件

[发明专利]层叠片状压敏电阻-CN202111411141.9在审
发明人：加贺谷信;内田雅幸;吉田尚义;簗田壮司;后藤智史;小柳健;今井悠介;铃木大希;上田要 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：层叠片状压敏电阻包括元件主体、第一和第二外部电极、第一和第二导体组。第一导体组包括与第一外部电极连接的第一内部电极、和与第一内部电极相对并且不与第一和第二外部电极连接的第一中间导体。第二导体组包含：第二内部电极，其包含第一导电材料，与第二外部电极连接；和第二中间导体，其包含第二导电材料，与第二内部电极相对，并且不与第一和第二外部电极连接。第一和第二中间导体中的至少一者包含第二导电材料。元件主体包含位于第一和第二内部电极之间且扩散了第二导电材料的低电阻化区域。
层叠片状压敏电阻

[发明专利]电子部件-CN201811130753.9有效
发明人： 吉田尚义;山田孝树;相庭尚;竹屋和人;中村紘也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：电子部件(1)具备素体(2)、以覆盖一对端面(2a、2b)及四个侧面(2c、2d、2e、2f)的方式配置的薄膜层(10)、第一外部电极(3)及第二外部电极(4)、内部导体(5、6)，薄膜层(10)沿着一对端面(2a、2b)及四个侧面(2c、2d、2e、2f)各自的表面形状形成，第一外部电极(3)及第二外部电极(4)分别具有配置于薄膜层(10)上并且与内部导体(5、6)电连接的第一电极层(20、30)和以覆盖第一电极层(20、30)的方式配置的第二电极层(21、31)，第二电极层(21、31)的热传导率比第一电极层(20、30)的热传导率低。
电子部件

[发明专利]电压非线性电阻器陶瓷和电子部件-CN201610472205.9有效
发明人：内田雅幸;伊丹崇裕;吉田尚义;小栁健;山田孝树;梶原和晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01C7/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压非线性电阻器陶瓷。所述电压非线性电阻器陶瓷含有Zn的氧化物、Co的氧化物、R(特定的稀土类)的氧化物、Cr的氧化物、M1(Ca、Sr)的氧化物、M2(Al、Ga、In)的氧化物以及钛酸锶。在将Zn的氧化物的含量换算成Zn设定为100摩尔份的情况下，Co的氧化物的含量换算成Co为0.30～10摩尔份，R的氧化物的含量换算成R为0.10～10摩尔份，Cr的氧化物的含量换算成Cr为0.01～2摩尔份，M1的氧化物的含量换算成M1为0.10～5摩尔份，M2的氧化物的含量换算成M2为0.0005～5摩尔份，钛酸锶的含量换算成SrTiO3为0.10～5摩尔份。
电压非线性电阻器陶瓷电子部件

[发明专利]片式可变电阻-CN201310687105.4有效
发明人：伊丹崇裕;吉田尚义;森合克成 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01C1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种片式可变电阻，具备：具有互相相对的第一面和第二面的素体、配置在素体的第一和第二导体、配置在素体的第一面侧的第一端子电极、以及配置在素体的第二面侧的第二端子电极。第一导体的一个端部露出于第一面且另一个端部位于素体内。第二导体的一个端部露出于第二面且另一个端部位于素体内。第一和第二导体相互分离。第一端子电极连接于第一导体。第二端子电极连接于第二导体。素体具有：具有电压非线性特性的第一素体部分和与第一素体部分相比电流更容易流动的第二素体部分。第一素体部分在第一导体与第二导体相离的方向上至少其一部分位于第一导体与第二导体之间。第一导体的另一个端部与第二导体的另一个端部位于第二素体部分内。
可变电阻

[发明专利]电压非线性电阻器陶瓷组成物和电压非线性电阻器元件-CN200810125834.X有效
发明人： 吉田尚义;田中均;松冈大 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01C7/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压非线性电阻器陶瓷组成物、和电压非线性电阻器元件。本发明获得温度变动时电容特性改变较小的电压非线性电阻器元件。使用以ZnO为主要成分的烧结体作为该电压非线性电阻器元件层(2)。该烧结体中添加了Pr、Co、Ca、以及Cu或Ni。就其成分范围而言，Pr为0.05～5.0原子％、Co为0.1～20原子％、Ca为0.01～5.0原子％、以及Cu或Ni为0.0005～0.05原子％。在上述的范围内时，能够实现温度以25℃时为基准的85℃下的电容变化率为10％以下。
电压非线性电阻器陶瓷组成元件

[发明专利]电压非线性电阻器陶瓷组成物和电压非线性电阻器元件-CN200810125833.5有效
发明人： 吉田尚义;田中均;松冈大 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01C7/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压非线性电阻器陶瓷组成物和电压非线性电阻器元件。获得温度变化时的电容特性变化小的电压非线性电阻器元件。采用以ZnO为主成分的烧结体(陶瓷)作为该电压非线性电阻器元件层(2)。在该烧结体中添加Pr、Co、Ca和Na。其范围是Pr为0.05～5.0原子％、Co为0.1～20原子％、Ca为0.01～5.0原子％、Na为0.0001～0.0008原子％。在该范围的情形下，以温度25℃的情形为基准的85℃时的电容变化率可以达到10％以下。
电压非线性电阻器陶瓷组成元件

[发明专利]可变电阻元件-CN200810082835.0有效
发明人： 吉田尚义;田中均;松冈大 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使温度特性稳定化的可变电阻元件。在可变电阻元件(1)中，在可变电阻素体(3)内的以ZnO为主要成份的粒子(20)的粒子内部(21)中存在着Ca，粒子边界(22)中也存在着Ca。据此，在可变电阻素体(3)中，以ZnO为主要成份的粒子(20)的粒子内部(21)的氧缺陷被Ca取代，陶瓷组织变成致密的结构。另外，在粒子(20)的粒子边界(22)中，例如烧成助剂Si等具有使可变电阻元件(1)的温度特性的稳定性下降的倾向的元素的存在比例得到降低。其结果，在可变电阻元件(1)中，使得温度特性稳定化，并且能够减小相对于温度的变化的电容以及tanδ的变化。
可变电阻元件

[发明专利]层叠型片状可变电阻的制作方法-CN200610146542.5有效
发明人：田中均;相马出;吉田尚义;竹花末起一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠型片状可变电阻(1)的制造方法，由于使用了在可变电阻材料粉体中混合了玻璃粉体的混合粉体，所以实现了烧结时的烧结温度的降低。此外，利用此制造法，在对层叠体LS1进行烧结得到的可变电阻素体中，存在于以ZnO为主要成分的颗粒的晶粒边界的Pr及Ag的量，多于存在于颗粒内部的Pr及Ag的量，因此实现了晶粒边界中的高阻抗化，即使在低温进行烧结也可以得到具有在实用上充分的可变电阻特性的层叠型片状可变电阻(1)。
层叠片状可变电阻制作方法

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