专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]石英玻璃坩埚-CN201880081265.5在审
  • 北原贤;佐藤贤;吉冈拓麿 - 胜高股份有限公司
  • 2018-11-02 - 2020-10-13 - C30B15/10
  • 本发明涉及一种充分地确保坩埚内表面及外表面的强度。本发明的一方式为具备圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、设置于侧壁部与底部之间且具有比底部的曲率高的曲率的角部的石英玻璃坩埚,该石英玻璃坩埚具备:第1区域,在壁厚方向上从坩埚内表面设置至中途;第2区域,在壁厚方向上设置于比第1区域更靠外侧的位置,且具有与第1区域不同的应变分布;及第3区域,在壁厚方向上位于比第2区域更靠外侧的位置并设置至坩埚外表面,且具有与第2区域不同的应变分布,第1区域及第3区域的内部残余应力为压缩应力,第2区域的内部残余应力包含拉伸应力。
  • 石英玻璃坩埚
  • [发明专利]石英玻璃坩埚-CN201880044923.3在审
  • 吉冈拓麿;大原真美 - 胜高股份有限公司
  • 2018-06-11 - 2020-03-31 - C30B29/06
  • 本发明提供一种石英玻璃坩埚,其能够兼顾提高单晶硅的制造成品率与抑制单晶中产生气孔。石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的直体部(1a)、弯曲的底部(1b)及设置于直体部(1a)与底部(1b)之间的拐角部(1c),从直体部(1a)的上部(1a1)中的内表面至深度0.5mm为止的内侧表层部的气泡含有率为0.2%以上且2%以下,直体部(1a)的下部(1a2)中的内侧表层部的气泡含有率大于0.1%且为直体部(1a)的上部(1a1)的气泡含有率的下限值的1.3倍以下,拐角部(1c)中的内侧表层部的气泡含有率大于0.1%且为0.5%以下,底部(1b)中的内侧表层部的气泡含有率为0.1%以下。
  • 石英玻璃坩埚
  • [发明专利]氧化硅玻璃坩埚的制造方法-CN201110396967.2有效
  • 须藤俊明;吉冈拓麿 - 日本超精石英株式会社
  • 2011-12-02 - 2012-07-04 - C03B19/09
  • 本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法,包括如下工序:向旋转的模具内供应氧化硅原料粉来形成坩埚形成形体;边旋转坩埚形成形体,边由内至外地减压并电弧加热,形成有底圆筒形的氧化硅玻璃坩埚,该坩埚包括透明层和含气泡层;对该坩埚的内面侧进行熔化,并且通过控制其转速,使其透明层表面附近残留的气泡集中到氧化硅玻璃层的径向外侧的透明层中;对该坩埚的内面侧电弧加热,并且通过控制其转速,使残留气泡的氧化硅玻璃层移动而暴露的透明层表面的无气泡层的一部分转移至径向外侧,以无气泡层覆盖集中气泡的区域。采用这种氧化硅玻璃坩埚的制造方法,在不需要磨削及研磨设备,且不影响生产率的条件下,使氧化硅玻璃坩埚的内面无气泡化。
  • 氧化玻璃坩埚制造方法

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