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- [实用新型]一种单晶硅运送车-CN201220327239.6有效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-07-09
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2013-01-09
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C30B35/00
- 本实用新型公开了一种单晶硅运送车,包括上层、车底座、行走轮、中横杆、支撑杆、支撑斜板、拉杆、转轴和耐高温陶瓷层,所述车底座下方设有行走轮,所述中横杆设在车底座的中间,所述支撑杆等距设在中横杆的两侧,所述支撑斜板有多个,所述转轴设在车底座的一端,所述拉杆用过转轴与车底座连接,其长度和倾斜度可自由调节,所述耐高温陶瓷层涂在整个运送车的外部,所述上层的结构和车底座的上方结构完全相同。该运送车的构思独特,结构简单,有利于缩短单晶硅的运送时间,降低在运送途中的损耗,大大减轻了工人的劳动强度,提高了生产效率。
- 一种单晶硅运送
- [发明专利]单晶炉用自控式加热系统-CN201210205675.0有效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-12-19
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C30B15/14
- 本发明公开了一种单晶炉用自控式加热系统,包括置于炉体内上石墨加热器、下石墨加热器,上石墨加热器、下石墨加热器分别连接有电源系统,上石墨加热器、下石墨加热器分别呈方波状,上石墨加热器、下石墨加热器的间距内设有梳状排布的导热板,相邻的导热板之间有连接筋,上石墨加热器的下端与下石墨加热器的上端之间有间隙,上石墨加热器下端与下石墨加热器上端的间隙中设有隔热板,隔热板伸向坩埚;采用了分段式组合石墨加热器,双电源系统,化料时双石墨加热器同时工作,大大缩短了熔硅时间,化料结束后降低下石墨加热器功率,以上石墨加热器为主石墨加热器进行生长,使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长,减小了传统热场顶部与底部的温差。
- 单晶炉用自控加热系统
- [发明专利]防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺-CN201210204934.8无效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-12-12
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C30B15/22
- 本发明公开了防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺,包括以下步骤: a)融化:加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度1570℃,将多或单晶硅原料熔化; b)放肩生长:长完细颈之后,须降低温度与拉速,使得硅单晶的直径渐渐增大到所需的大小,围绕于硅单晶棒外设有热屏,由于热屏减弱了加热器对晶体的热辐射,同时也减弱了对固-液界面热辐射力度,在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度。同时采用热屏后,加强了氩(氮)气流对固-液界面的吹拂,增强了氩(氮)气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长,并可以提高结晶速率,进而提高拉晶速率。
- 防热辐射直拉多单晶硅制备工艺
- [发明专利]复合加热防辐射式直拉多或单晶硅制备工艺-CN201210204935.2无效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-12-12
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C30B15/00
- 本发明公开了复合加热防辐射式直拉多或单晶硅制备工艺,包括有以下步骤:a)、加料:将多或单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,杂质种类有硼、磷、氮;b)、融化:加完多或单晶硅原料于石英坩埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度1420℃以上,将多或单晶硅原料熔化,化料时上加热器、下加热器同时工作,化料结束后降低下加热器功率,以上加热器为主加热器进行生长;使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长,减小了传统热场顶部与底部的温差;加强了氩(氮)气流对固-液界面的吹拂,增强了氩(氮)气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长,并可以提高结晶速率,进而提高拉晶速率。
- 复合加热防辐射式直拉多单晶硅制备工艺
- [发明专利]单晶炉用伸展式热屏蔽器-CN201210205680.1有效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-10-31
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C30B35/00
- 本发明公开了一种单晶炉用伸展式热屏蔽器,包括有围绕于硅单晶棒外热屏,热屏的上端连接有热屏上盖,热屏上盖的下方设有上保温筒,所述热屏是由热屏外壳、热屏内壳及中间的热屏保温层组成,热屏呈圆台状,且具有中央通道,热屏与热屏上盖之间的夹角为40-50°,中央通道的纵剖面为梯形,热屏外侧滑动配合有延伸热屏,延伸热屏外侧连接有推动气缸,推动气缸的缸体固定于热屏上盖上。在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度,同时采用延伸热屏后,可以调节氩(氮)气流对固-液界面的吹拂高度,增强了氩(氮)气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长,并可以提高结晶速率,进而提高拉晶速率。
- 单晶炉用伸展屏蔽
- [发明专利]直拉多或单晶硅制备工艺-CN201210204933.3无效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-10-31
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C30B29/06
- 本发明公开了一种直拉多或单晶硅制备工艺,包括有以下操作步骤:a)加料:将多晶硅或单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定,杂质种类有硼、磷、氮;b)融化:加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气,氮气的纯度为98%以上,氮气压力为0.06-0.2MPa,氮气流量80-100L/min,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度1420℃以上,将多晶硅或单晶硅原料熔化;c)缩颈生长:当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中,将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小到4-6mm。本发明用氮气流取代现有氩气流,大大抑制了硅中的微缺陷,增强了硅材料的机械强度,使出片率大大提高,并且破片率低,从而降低单晶硅的生产成本,同时少子寿命有明显提高。
- 直拉多单晶硅制备工艺
- [发明专利]除氧型单晶炉-CN201210205698.1无效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-10-31
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C30B15/00
- 本发明公开了一种除氧型单晶炉,包括置于炉体内上加热器、下加热器、以及围绕于硅单晶棒外热屏,上加热器、下加热器分别正对于坩埚的上部、下部,上加热器、下加热器分别连接有电源系统,所述的上加热器、下加热器分别呈方波状,上加热器的下端与下加热器的上端之间具有间隙,且上加热器大于下加热器的竖向高度,所述的上加热器下端与下加热器上端的间隙中设有隔热板,隔热板伸向坩埚;热屏的上端连接有热屏上盖,热屏上盖的下方设有上保温筒,所述热屏是由热屏外壳、热屏内壳及中间的热屏保温层组成,中央通道的纵剖面为梯形。使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长,减小了传统热场顶部与底部的温差;加强了氩(氮)气流对固-液界面的吹拂,增强了氩(氮)气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长,并可以提高结晶速率,进而提高拉晶速率。
- 氧型单晶炉
- [发明专利]单晶炉用热屏蔽器-CN201210205703.9无效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-10-31
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C30B15/00
- 本发明公开了单晶炉用热屏蔽器,包括有围绕于硅单晶棒外热屏,热屏的上端连接有热屏上盖,热屏上盖的下方设有上保温筒,所述热屏是由热屏外壳、热屏内壳及中间的热屏保温层组成,热屏呈圆台状,且具有中央通道,热屏与热屏上盖之间的夹角为40-50°,中央通道的纵剖面为梯形。由于热屏减弱了加热器对晶体的热辐射,同时也减弱了对固-液界面热辐射力度,在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度。同时采用热屏后,加强了氩(氮)气流对固-液界面的吹拂,增强了氩(氮)气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长,并可以提高结晶速率,进而提高拉晶速率。
- 单晶炉用热屏蔽
- [发明专利]单晶炉用均热式加热系统-CN201210205299.5无效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-10-31
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C30B15/14
- 本发明公开了一种单晶炉用均热式加热系统,包括置于炉体内上加热器、下加热器,上加热器、下加热器分别正对于坩埚的上部、下部,上加热器、下加热器分别连接有电源系统,所述的上加热器、下加热器分别呈方波状,上加热器、下加热器的间距内设有梳状排布的导热板,相邻的导流板之间有连接筋,上加热器的下端与下加热器的上端之间具有间隙,且上加热器大于下加热器的竖向高度,所述的上加热器下端与下加热器上端的间隙中设有隔热板,隔热板伸向坩埚。采用了分段式组合加热器,双电源系统,化料时双加热器同时工作,大大缩短了熔硅时间,化料结束后降低下加热器功率,以上加热器为主加热器进行生长,使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长,减小了传统热场顶部与底部的温差。
- 单晶炉用均热加热系统
- [发明专利]单晶炉加热系统-CN201210205336.2无效
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林游辉
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合肥景坤新能源有限公司
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2012-06-20
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2012-10-31
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C30B29/06
- 本发明公开了一种单晶炉加热系统,包括置于炉体内上加热器、下加热器,上加热器、下加热器分别正对于坩埚的上部、下部,上加热器、下加热器分别连接有电源系统,所述的上加热器、下加热器分别呈方波状,上加热器的下端与下加热器的上端之间具有间隙,且上加热器大于下加热器的竖向高度,所述的上加热器下端与下加热器上端的间隙中设有隔热板,隔热板伸向坩埚。采用了分段式组合加热器,双电源系统,化料时双加热器同时工作,大大缩短了熔硅时间,化料结束后降低下加热器功率,以上加热器为主加热器进行生长,使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长,减小了传统热场顶部与底部的温差。
- 单晶炉加热系统
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