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[发明专利]一种量子比特电极及其设计方法、量子比特器件-CN202310968405.3在审
发明人：王桂磊;张毅文;孔真真 -专利权人： 合肥国家实验室;北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子比特电极及其设计方法、量子比特器件，该量子比特电极的设计方法通过外延技术生长硅基量子比特外延结构，并对表面进行综合形貌表征，设计一种随不同材料优化的量子比特电极结构与形状，并通过量子比特电极形状与分布进一步改善量子比特器件的总体应力情况，改善量子比特器件温变应变涨落，最终得到一种全新的量子比特电极结构，并利用优化的量子比特电极结构制备硅基量子比特器件，从而为大规模比特扩展提供更为稳定的量子比特器件单元阵列，即从微观上改善量子比特器件的应力涨落，这将对量子比特的操纵有着巨大的意义。
一种量子比特电极及其设计方法器件

[发明专利]一种用于调制超导量子比特跃迁频率的系统及方法-CN202310680483.3有效
发明人：蒋磊;徐昱;李少炜;孙晨寅;孙天佐;江涛;李劲劲;彭承志;朱晓波;潘建伟 -专利权人：中国科学技术大学;合肥国家实验室
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于调制超导量子比特跃迁频率的系统。该系统包括：至少一根射频超导量子干涉装置的偏置线，用于传输调控射频超导量子干涉装置状态的电信号；至少一个射频超导量子干涉装置，其中，射频超导量子干涉装置位于芯片上并放置于超导量子比特附近，射频超导量子干涉装置的滞后参数大于1；至少一个超导量子比特，其中，超导量子比特的跃迁频率通过外加磁通的方式来调制。本发明同时还提供了一种用于调制超导量子比特跃迁频率的方法。
一种用于调制超导量子比特跃迁频率系统方法

[发明专利]单光子激光雷达三维成像系统和三维成像方法-CN202310672512.1有效
发明人：徐飞虎;叶文龙;黎正平;戴晨;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室;中国科学技术大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：一种单光子激光雷达三维成像系统和三维成像方法，包括：激光器；扫描振镜；驱动器驱动扫描振镜改变角度使激光脉冲信号发射至待成像区域中的目标子区域、以及使扫描振镜接收从目标子区域反射的反射激光脉冲信号，且射向相邻的两个子区域的激光脉冲信号的脉冲周期不同；时序控制器，存储脉冲周期序列，脉冲周期序列包括与子区域一一对应的激光脉冲信号的脉冲周期，时序控制器根据来自于驱动器的触发信号和脉冲周期序列生成时序控制信号，激光器根据时序控制信号生成激光脉冲信号；单光子探测器接收反射激光脉冲信号并生成探测信号；时间数字转换器；处理器被构造成对待成像区域进行重构成像，得到待成像区域的三维图像。
光子激光雷达三维成像系统方法

[发明专利]一种基于超导单磁通脉冲序列调控量子比特的方法-CN202311003418.3在审
发明人：孙晨寅;李少炜;徐昱;孙天佐;蒋磊;江涛;李劲劲;彭承志;朱晓波;潘建伟 -专利权人：中国科学技术大学;合肥国家实验室
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H04B10/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于超导单磁通脉冲序列调控量子比特的方法，该方法包括获取超导单磁通脉冲序列，其中，超导单磁通脉冲序列是由超导单磁通控制系统根据微波源输出的多个信号波所生成的非等间隔的以字符标识进行表征的脉冲序列；利用电感耦合方式将超导单磁通脉冲序列耦合在初始量子比特上，得到受超导单磁通电路控制的量子比特，并对其进行调控，实现量子比特门操作。通过将数字化的字符标识表征的超导单磁通脉冲序列以电感耦合方式耦合到受控的初始量子比特上，能够得到高保真度的量子比特门，从而降低了超导单磁通控制系统的控制电路产生的准粒子对保真度的影响。
一种基于超导单磁通脉冲序列调控量子比特方法

[发明专利]吸收式滤波器-CN202310979720.6在审
发明人：聂美娟;龚明;朱晓波;彭承志;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室;中国科学技术大学
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本公开提供一种吸收式滤波器，能够工作于1mK至4K温度区间，该吸收式滤波器包括：腔体，其内部沿腔体长轴方向设置有中间传输件；输入接头，设置于腔体的一端且与所述中间传输件的一端相连；输出接头，设置于腔体的另一端且与所述中间传输件的另一端相连；吸波材料，填充于所述腔体内部并包裹所述中间传输件；以及绝缘介质片，分别设置于腔体的两端且套设于所述中间传输件外，以支撑固定所述中间传输件。
吸收滤波器

[发明专利]量子芯片的多端口封装结构-CN202310848285.3在审
发明人：龚明;杨威风;荣皓;梁福田;朱晓波;彭承志;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室;中国科学技术大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N60/82 文献下载
摘要：本公开提供一种量子芯片的多端口封装结构，包括：量子芯片；多个连接材料，阵列式地设置在量子芯片的表面上，以便于将量子芯片的端口面扇出；转接组件，包括相对的第一面和第二面，第一面与多个连接材料连接；过渡组件，包括：连接件，竖向设置有多个通孔；多个弹簧针，阵列式地设置在第二面上；介质件，套设在弹簧针上，介质件嵌设在通孔内，以保证信号传输的质量；其中，弹簧针的一端穿出通孔，用以与印制电路板连接。
量子芯片多端封装结构

[发明专利]基于FPC的多通道射频连接器-CN202310967329.4在审
发明人：龚明;聂美娟;杨威风;朱晓波;彭承志;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室;中国科学技术大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01R12/77 文献下载
摘要：本公开提供一种基于FPC的多通道射频连接器，其特征在于，包括：FPC柔性排线，包括多路射频信号通路；以及金属结构件，设置有多个射频信号通孔，每个射频信号通孔内通过绝缘子支撑固定有射频信号弹针；每个射频信号通孔周围均匀设置有多个接地弹针；其中，所述射频信号弹针和接地弹针被构造成可弹性的连接于对端连接部件和/或FPC柔性排线，以实现射频信号通过射频信号弹针进行传输。
基于 fpc 通道射频连接器

[发明专利]用于超导量子计算机系统的排线-CN202310969867.7在审
发明人：龚明;聂美娟;朱晓波;彭承志;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室;中国科学技术大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于超导量子计算机系统的排线，包括：柔性的印刷电路板，其中，印刷电路板上阵列排布有多个信号传输线；多个滤波器，设置在印刷电路板内，且集成在多个信号传输线上；多个衰减器，设置在印刷电路板内，且集成在多个信号传输线上；至少一个连接件，安装在印刷电路板上，连接件用于将印刷电路板与外部的冷盘位置或量子芯片连接；其中，在排线与冷盘连接的情况下，排线将第一温度下的控制信号引入至第二温度的量子芯片上，在冷盘的降温作用下通过集成在信号传输线上的滤波器和衰减器对控制信号进行降温和降噪处理。
用于超导量子计算机系统排线

[发明专利]一种基于硬件同步的连续变量量子密钥分发方法-CN202310734712.5在审
发明人：张云杰;王旭阳;李永民;王宁;卢振国;贾雁翔;张瑜;郭旭波 -专利权人：山西大学;合肥国家实验室
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明属于连续变量量子密钥分发领域，具体涉及一种基于硬件同步的连续变量量子密钥分发方法。本发明通过控制器巧妙控制不同仪器的时序信号，具体为：在发送端，通过第一控制器控制任意波形发生器输出同步信号，以及控制数字脉冲发生器输出脉冲的时序，产生的本振光场和信号光场经过量子信道传输至接收端；在接收端，通过第二控制器控制脉冲发生器，第二、第三多功能输入/输出卡，产生的时钟信号能够与探测装置输出的电脉冲峰值一一对应，同步且对齐，直至完成整个数据块的采集。相比于帧同步和峰值补偿的方法，本发明便于实现，不需要复杂的软件层算法，可大大缩短连续变量量子密钥分发系统的开发周期。
一种基于硬件同步连续变量量子密钥分发方法

[发明专利]一种基于硅基光电子芯片的动态偏振控制器-CN202310643414.5在审
发明人：赵倩如;王旭阳;李永民;贾雁翔;侯一卓;朱鑫怡;渠泽淇;杜月 -专利权人：山西大学;合肥国家实验室
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G02B6/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基光电子芯片的动态偏振控制器，能够将任意偏振态光场锁定至任意所需偏振态光场。本控制器通过第一端面耦合结构将任意偏振态光场的光从单模光纤中经第一高数值孔径光纤耦合进芯片内；经第一偏振旋转分束器(PRS)后，进入芯片的TE0模和TM0模光场均转换为TE0模光场；采用波导0°/45°/0°结构对偏振进行锁定后，再经过第二偏振旋转分束器将两束TE0模光场合为一束并转换为TE0模和TM0模光场后，经第二端面耦合结构输出至第二高数值孔径光纤中继而进入单模光纤。波导0°/45°/0°结构采用电控相移器，结合模拟退火算法、梯度算法等算法对光的偏振态进行自动锁定。
一种基于光电子芯片动态偏振控制器

[发明专利]图像生成方法和融合成像系统-CN202310326803.5在审
发明人：徐飞虎;蒋鹏宇;黎正平;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室;中国科学技术大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：本公开提供了图像生成方法和融合成像系统，可以应用于图像处理技术领域。该方法包括：获取第一图像和第二图像，第一图像为单光子相机采集的目标场景的三维图像，第二图像为红外相机采集的目标场景的灰度图像；利用目标图像生成模型对第一图像进行特征提取，生成第一特征数据；利用目标图像生成模型对第一图像进行相似度分析，生成第二特征数据；将第一特征数据和第二特征数据进行特征整合，生成深度图像；将深度图像和第二图像进行融合，生成目标图像。
图像生成方法融合成像系统

[发明专利]一种雷达探测方法及相关装置-CN202310294511.8有效
发明人：管建宇;刘尉悦;沈奇;侯磊;任继刚;彭承志;姜海峰;张强;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01S17/58 文献下载
摘要：本申请提供了一种雷达探测方法及相关装置，该方法包括：获取原始参考光干涉图频谱和针对待测对象的原始反射光干涉图频谱；获取多个参考速度值和多个参考延时值，并组成多个参考数值对；根据参考数值对，对原始参考光干涉图频谱进行平移和缩放处理，得到第二缩放参考光干涉图频谱；确定第二缩放参考光干涉图频谱与原始反射光干涉图频谱的参考频域平移量；基于参考频域平移量，确定第二缩放参考光干涉图频谱与原始反射光干涉图频谱的相似度；将最大相似度对应的参考数值对中的参考速度值确定为待测对象的测量速度值，且根据对应的参考延时值确定待测对象的测量距离值。根据上述方法，能够准确探测大速度运动的待测对象的速度和距离。
一种雷达探测方法相关装置

[实用新型]一种面向单光子激光雷达应用的高计数率时间数字转换器-CN202221986192.4有效
发明人：张军;吴杰;余超;刘乃乐;陈宇翱;潘建伟 -专利权人： 合肥国家实验室;中国科学技术大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G04F10/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种面向单光子激光雷达应用的高计数率时间数字转换器，包括：存储模块，用于存储激光雷达回波信号的时间分布直方图，其中，存储模块的地址对应光子飞行时间，存储模块的数据表示光子总计数；累加模块，用于读出已统计的某个时间间隔内的光子计数数据，将本周期内新到达的光子信号数量与某个时间间隔内的光子计数数据相加，得到新的光子总计数，并将新的光子总计数写回存储模块；地址生成模块，用于在时间数字转换器工作期间输出与时间分布直方图中的时间间隔对应的存储器地址值。
一种面向光子激光雷达应用计数时间数字转换器

[发明专利]一种晶圆级阳极氧化系统及方法-CN202310091852.5在审
发明人：王雪深;李劲劲;陈建;王振宇;李万;王仕建 -专利权人： 合肥国家实验室;中国计量科学研究院
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C25D11/32 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级阳极氧化系统及方法，氧化系统包括控制模块、数字源表、阳极、阴极和电解槽，阳极为位于晶圆上的金属；控制模块与数字源表的第一端相连，用于控制数字源表输出电流；数字源表的第二端和第三端分别连接阳极和阴极，用于向阳极和阴极输入电流，以在阳极和阴极之间形成电场，对阳极金属氧化，数字源表用于测量阳极和阴极之间的电压，电压与阳极氧化形成的氧化膜的厚度基本成线性关系；电解槽中盛有电解液，阳极和阴极位于电解液中。观察阳极和阴极之间的电压变化可以确定阳极氧化膜的厚度，通过控制模块可以随时暂停或开启阳极氧化，实现可控厚度的晶圆级金属阳极氧化，具有稳定性。
一种晶圆级阳极氧化系统方法

[发明专利]一种半导体器件以及制备方法-CN202310104444.9在审
发明人：刘靖雄;王桂磊;吴振华;孔真真;张毅文;任宇辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;合肥国家实验室
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件以及制备方法，在该半导体器件中，第一缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐增加从而逐渐缩小了晶格失配，同时第二缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐减小从而给后续生长的外延层提供了张应力，进一步降低了缓冲叠层的表面的粗糙度，两者结合实现了位错容纳，将大部分位错和缺陷限制在缓冲叠层中，相比于现有技术，在衬底上生长该缓冲叠层可以得到更高的驰豫和更低的表面粗糙度，为之后半导体器件形成高质量的外延层提供了基础。
一种半导体器件以及制备方法

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