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- [发明专利]一种铜酸钆薄膜的制备方法-CN201510143684.5有效
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涂溶;可望;章嵩;汪婷;张联盟
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武汉理工大学
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2015-03-30
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2017-03-22
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C23C16/30
- 本发明涉及铜酸钆薄膜的制备方法，包括以下步骤(1)将钛酸锶基板放入化学气相沉积反应腔体内的基板座上；(2)称取钆源和铜源固体原料，将两种原料分别置于相应的原料罐中；(3)将基板座的温度升至1040～1120℃，将原料罐温度分别升至200～230℃和180～200℃；(4)将含有钆源和铜源的载流气以及氧化气通入反应腔体内反应；(5)停止通入气体，关闭加热系统，冷却至室温，即得到沉积在钛酸锶基板上的铜酸钆薄膜。与现有技术相比，本发明的有益效果是成膜速度快、反应时间短、生产效率高且组织结构可控。(001)取向的Gd2CuO4薄膜相比于无取向的Gd2CuO4薄膜具有特殊的晶体结构和物理性质。
- 一种铜酸钆薄膜制备方法
- [发明专利]一种钆钡铜氧薄膜的制备方法-CN201510308871.4在审
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涂溶;郑顶恒;章嵩;可望;汪婷;张联盟
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武汉理工大学
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2015-06-08
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2015-08-26
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C23C16/40
- 本发明涉及一种钆钡铜氧薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态；2)称取适量的三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钆，双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜，置于原料罐中；3)将基板加热，控制原料罐的温度；4)将先驱体原料以及氧化气通入反应室内；5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温，即可。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)实现了钆钡铜氧薄膜的快速制备，提高了生产效率；2)提高钆钡铜氧薄膜的超导性能，为其应用提供相应的理论基础。
- 一种钆钡铜氧薄膜制备方法
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