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[发明专利]光电位置传感芯片与电热微镜键合的一体化器件-CN201710807489.7有效
发明人：程翔;孙兴林;刘岩;卢杭全 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：光电位置传感芯片与电热微镜键合的一体化器件，涉及一体化微光机电器件。将光电位置传感芯片与电热微镜键合集成在一起。光电位置传感芯片设有光源、光发射驱动电路、四象限光电探测器和光接收放大电路、带隙基准和模/数转换器。根据电热微镜的底座尺寸，在光电位置传感芯片焊盘内侧与四象限光电探测器外侧之间布上一圈不与芯片内部电路相连的焊盘，并利用导电银漆将电热微镜键合到这一圈焊盘上，实现芯片与微镜一体化。实现带有位置传感器的可闭环控制的电热微镜系统的微型化，使体积大幅度降低，并提高了系统的集成度、抗干扰能力，充分利用光电位置传感芯片易集成、高线性度、敏感性强等一系列优势，可大范围内精确监测电热微镜的位置变化。
电热微镜传感芯片光电位置键合四象限光电探测器一体化器件焊盘光接收放大电路微光机电器件芯片内部电路模/数转换器抗干扰能力位置传感器微型化闭环控制带隙基准导电银漆高线性度精确监测驱动电路微镜系统位置变化一体化光发射集成度底座圈焊光源芯片

[发明专利]标准硅工艺下的高响应度光电三极管-CN201710060994.X在审
发明人：程翔;卢杭全;陈朝;任雪畅 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：标准硅工艺下的高响应度光电三极管，涉及光电三极管。自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。从低成本角度出发，采用0.25μm Si标准工艺。建立在纵向PNP型三极管基础之上，与商业的Si标准工艺完全兼容的用于光电集成的高响应度光电三极管及其制备方法。设计光电三极管的思路则是建立在纵向PNP型三极管基础之上，基于0.25μmSi标准工艺进行了结构建模和特性仿真，根据仿真结果进行优化设计最终确定流片的光电三极管结构。
标准工艺响应光电三极管

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