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[发明专利]一种新颖的多晶发射极结构和工艺-CN202210968807.9在审
发明人：张亚;赵文彬;吴洪强;卢宝骅 -专利权人：浙江宇芯集成电路有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种新颖的多晶发射极结构和工艺，旨在解决尽管多晶发射极三极管具有高频和高增益特性，但是由于发射极串联电阻RE的限制，一般用于集成电路中作小器件使用，当有一定输出能力和功率要求时，现有技术中的结构和工艺就无法满足，因为大尺寸的多晶发射极三极管的RE将显著增大的问题。其技术方案要点是：一种新颖的多晶发射极结构和工艺,工艺流程包括以下步骤：(1)、(2)、(3)、(4)、(5)以及(6)。本发明的一种新颖的多晶发射极结构和工艺，克服了常规结构的发射极串联电阻大和在发射区上开孔对结可靠性的影响，工艺上简单可行，使该结构适合用作分立器件。
一种新颖多晶发射极结构工艺

[发明专利]用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺-CN202210975177.8在审
发明人：戴昌梅;赵文彬;吴洪强;卢宝骅 -专利权人：浙江宇芯集成电路有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺，旨在解决铜丝键合，芯片焊块的制造方法存在明显缺点，1um的铝层厚度太薄，铜丝焊接容易把铝层打穿，造成弹坑，导致产品的电性能及可靠性问题失效的问题。其技术方案要点是：用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺,工艺的具体制备流程如下所述：步骤一～九。本发明的用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺，用于铜丝键合，以克服薄铝焊块在铜丝焊接时出现的弹坑问题，同时可以适用于不具备AL湿法腐蚀设备的工艺线及小尺寸集成电路的加工。
用于铜丝金属压焊块厚铝工艺