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[发明专利] 一种永磁体辅助对置式空气发动机 -CN202210544023.3 有效
发明人：
卢鉴清 ;卢俊玮
- 专利权人：
广东异电科技发展有限公司
申请日：
2022-05-19
-
公布日：
2023-08-01
-
主分类号：
F01B7/04 文献下载
摘要： 本申请属于发动机技术领域，公开了一种永磁体辅助对置式空气发动机，一种永磁体辅助对置式空气发动机，包括至少两根曲轴以及动力装置，任意相邻的两根所述曲轴之间设置有至少一个对置式气缸；所述动力装置用于向所述对置式气缸提供高压空气以驱动所述对置式气缸工作；所述对置式气缸包括缸体、两个对称地设置在所述缸体内的活塞、两根连杆、至少一个排气口和至少一个进气口，每个所述活塞通过一根所述连杆与一根所述曲轴连接；所述排气口和进气口均与所述缸体的内腔中部连通，两个所述活塞相对的一侧均设置有永磁体，且两个所述活塞的所述永磁体同极相对设置；从而可降低排气过程中被空气带走的能量，进而降低能耗。一种 永磁体 辅助 空气 发动机
[发明专利] 一种磁辅助式空气增压发动机 -CN202210544041.1 有效
发明人：
卢俊玮 卢鉴清
- 专利权人：
广东异电科技发展有限公司
申请日：
2022-05-19
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公布日：
2023-06-27
-
主分类号：
F01B1/06 文献下载
摘要： 本申请属于发动机技术领域，公开了一种磁辅助式空气增压发动机，包括气泵、曲轴和至少一个气缸组合，还包括储气增压装置；每个气缸组合包括至少一个第一气缸和至少一个第二气缸；第一气缸包括第一缸体、第一活塞、第一连杆、第一进气阀和第一排气阀，第一进气阀与气泵的输出端和储气增压装置的输出端连接；第二气缸包括第二缸体、第二活塞、第二连杆、第二进气阀和第二排气阀，第二进气阀与外部大气连通，第二排气阀与储气增压装置的输入端连接；第一气缸用于驱动曲轴转动，第二气缸用于吸入外部空气后加压输送至储气增压装置，储气增压装置用于把存储的高压空气输送至第一气缸；从而可提高发动机的输出力矩。一种 辅助 空气 增压 发动机
[发明专利] 金属刻蚀方法 -CN202210659482.6 有效
发明人：
郑威 ;王旭东 ;卢俊玮
- 专利权人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：
2022-06-13
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公布日：
2022-09-09
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主分类号：
H01L21/3213 文献下载
摘要： 本发明提供了一种金属刻蚀方法，包括以下步骤：提供半导体器件结构，且所述半导体器件结构包括依次层叠的衬底、刻蚀停止层、金属阻挡层、金属层和硬掩模层，其中所述刻蚀停止层的材质包括SiON；在所述半导体器件结构上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行光刻形成图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩模，并采用混合气体依次对所述硬掩模层、金属层、金属阻挡层、刻蚀停止层以及部分衬底进行刻蚀，所述混合气体包括Cl2 和BCl3 。本发明通过采用包括Cl2 和BCl3 的混合气体作为刻蚀气体，以及在所述金属阻挡层与衬底之间增加SiON材质的刻蚀停止层，可以减少含F副产物和含O副产物的产生，进而减少缺陷，提高产品质量。金属 刻蚀 方法
[实用新型] 一种扇叶倒灌进胶装置 -CN202122958561.0 有效
发明人：
余力明 ;卢俊玮
- 专利权人：
博罗县信和塑胶电子有限公司
申请日：
2021-11-26
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公布日：
2022-08-16
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主分类号：
B29C45/26 文献下载
摘要： 本实用涉及进胶装置的技术领域，尤其是一种扇叶倒灌进胶装置，其包括从上往下依次设置的上固定板、水口板、母模板、公模板和下固定板；所述的母模板下端面中部嵌入设置母模仁，所述的母模仁下部设置公模仁，所述的公模仁嵌入设置在公模板上端中部；所述的母模仁与公模仁之间的间隙形成进胶空间；所述的母模仁中部嵌入设置滑块组，所述的滑块组上开设流道；所述的流道向上延伸与唧咀接触，所述的唧咀嵌入设置在上固定板上。该扇叶倒灌进胶装置，结构简单，采用模具倒装，通过扇叶内部进胶方式加工，保障正面无进胶口，提高整体外在美观性；保障扇叶叶尖的尺寸精度，脱模方便，在很大程度上保障生产质量的同时提高整体生产效率。一种 扇叶倒 灌进 装置
[发明专利] 一种扇叶倒灌进胶装置 -CN202111425527.5 在审
发明人：
余力明 ;卢俊玮
- 专利权人：
博罗县信和塑胶电子有限公司
申请日：
2021-11-26
-
公布日：
2022-03-25
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主分类号：
B29C45/26 文献下载
摘要： 本发明涉及进胶装置的技术领域，尤其是一种扇叶倒灌进胶装置，其包括从上往下依次设置的上固定板、水口板、母模板、公模板和下固定板；所述的母模板下端面中部嵌入设置母模仁，所述的母模仁下部设置公模仁，所述的公模仁嵌入设置在公模板上端中部；所述的母模仁与公模仁之间的间隙形成进胶空间；所述的母模仁中部嵌入设置滑块组，所述的滑块组上开设流道；所述的流道向上延伸与唧咀接触，所述的唧咀嵌入设置在上固定板上。该扇叶倒灌进胶装置，结构简单，采用模具倒装，通过扇叶内部进胶方式加工，保障正面无进胶口，提高整体外在美观性；保障扇叶叶尖的尺寸精度，脱模方便，在很大程度上保障生产质量的同时提高整体生产效率，便于广泛推广和使用。一种 扇叶倒 灌进 装置
[发明专利] 一种半导体结构的制备方法 -CN202011019411.7 有效
发明人：
郑威 ;范广超 ;卢俊玮
- 专利权人：
晶芯成（北京）科技有限公司
申请日：
2020-09-25
-
公布日：
2021-02-19
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主分类号：
H01L21/768 文献下载
摘要： 本发明公开了一种半导体结构的制备方法，至少包括以下步骤：提供一基板；形成金属介电层于所述基板上，所述金属介电层中具有金属结构；形成多层介质层于所述金属介电层上；在所述多层介质层上形成孔洞，所述孔洞对位于所述金属结构，且所述孔洞的底部与所述金属结构间隔有距离；利用高分子材料填充所述孔洞，形成孔洞填充层；形成图案化的光阻层于所述孔洞填充层上；进行刻蚀步骤，移除部分介质层和所述孔洞填充层，形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔连通，所述第一通孔的宽度大于所述第二通孔的宽度；加深所述第二通孔至所述金属介电层。本发明能简化生产工艺，提高生产效率。一种 半导体 结构 制备 方法
[发明专利] 一种半导体结构的制备方法 -CN202011021798.X 有效
发明人：
卢俊玮 贾涛 ;范广超
- 专利权人：
南京晶驱集成电路有限公司
申请日：
2020-09-25
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公布日：
2020-12-22
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主分类号：
H01L21/768 文献下载
摘要： 本发明提供一种半导体结构的制备方法，至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、介质层、金属硬掩模层、底部抗反射层及光刻胶；根据所述光刻胶上的图案刻蚀所述底部抗反射层；刻蚀所述金属掩模层，在所述金属硬掩模层上形成第一沟槽，同时在所述第一沟槽侧壁上形成保护膜；进行去胶灰化刻蚀，去除所述光刻胶和所述底部抗反射层；刻蚀所述介质层，在所述介质层中形成第一通孔、第二沟槽，所述第二沟槽对准于所述第一沟槽；刻蚀所述阻挡层，在所述阻挡层中形成第二通孔，所述第二通孔对准于所述第一通孔。本发明可在刻蚀过程中保护刻蚀侧壁不受损伤。一种 半导体 结构 制备 方法
