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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子体处理室的压强控制阀总成以及快速交替方法-CN201280054675.3有效
发明人：米尔扎弗·阿巴查夫;卡梅利娅·鲁苏;布莱恩·麦科米林 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：一种压强控制阀总成包括具有入口、出口和导管的壳体；入口连接到等离子体处理室的内部且出口连接到真空泵。在其中具有第一组平行槽的固定开槽阀板被固定在导管中使得从室排出进入导管的气体穿过第一组平行槽。在其中具有第二组平行槽的可移动开槽阀板相对于固定开槽阀板可移动以便调整室中的压强。附着到可移动开槽阀板的驱动机构在第一和第二位置之间快速移动可移动开槽阀板以使室中的压强从较高的压强改变到较低的压强或者从较低的压强改变到较高的压强。
等离子体处理压强控制总成以及快速交替方法

[发明专利]在蚀刻期间利用光谱使RF切换与气体切换同步-CN201280027855.2有效
发明人：许青;卡梅利娅·鲁苏;布赖恩·K·麦克米林;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
蚀刻期间利用光谱 rf 切换气体同步

[发明专利]用于在BOSCH蚀刻工艺后实现平滑的侧壁的方法-CN201280023025.2有效
发明人：雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;弗兰克·Y·琳;艾伦·J·米勒;许青;徐相俊;咸进焕;尹尚俊;卡梅利娅·鲁苏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。
用于 bosch 蚀刻工艺实现平滑侧壁方法

[发明专利]硅结构的制造和带有形貌控制的深硅蚀刻-CN201310073173.1有效
发明人：罗伯特·谢彼;弗兰克·林;温尼科则克·雅罗斯瓦夫;陈万林;埃林·麦克唐纳;丽丽·郑;斯蒂芬·拉西格;杰夫·博加特;卡梅利娅·鲁苏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种利用稳态气流将特征蚀刻在硅层中的方法。提供包括含氧气体和含氟气体的蚀刻气体。由该蚀刻气体提供等离子。然后，停止该蚀刻气体流。
结构制造带有形貌控制蚀刻

[发明专利]用于硅蚀刻的无机快速交变处理-CN201180013792.0有效
发明人：朝生强;卡梅利娅·鲁苏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种在等离子体处理室中将特征蚀刻到位于掩膜之下的硅衬底中的方法。通过所述掩膜蚀刻硅衬底，其包含多个循环，其中每个循环包含侧壁沉积阶段和蚀刻阶段。该侧壁沉积阶段包括：向该等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体以及氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流；在该等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流。该蚀刻阶段包括：提供包含卤素成分的蚀刻气体流；在该等离子体处理室由该蚀刻气体形成等离子体；以及停止提供蚀刻气体流。
用于蚀刻无机快速处理

[发明专利]硅结构的制造和带有形貌控制的深硅蚀刻-CN200880123059.2无效
发明人：罗伯特·谢彼;弗兰克·林;温尼科则克·雅罗斯瓦夫;陈万林;埃林·麦克唐纳;丽丽·郑;斯蒂芬·拉西格;杰夫·博加特;卡梅利娅·鲁苏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种利用稳态气流将特征蚀刻在硅层中的方法。提供包括含氧气体和含氟气体的蚀刻气体。由该蚀刻气体提供等离子。然后，停止该蚀刻气体流。
结构制造带有形貌控制蚀刻

[发明专利]硬掩模开口以及利用硬掩模开口的蚀刻形貌控制-CN200880014689.6有效
发明人：李钟必;川口小泽;卡梅利娅·鲁苏;黄志松;穆坤德·斯里尼瓦桑;埃里克·赫德森;亚伦·埃普勒 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-05-02 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种开口形成在基片上方的蚀刻层上的碳基硬掩模层的方法。该硬掩模层设在图案化的掩模下方。该基片设在等离子处理室中。该硬掩模层通过将包含COS组分硬掩模开口气体通入该等离子室、由该硬掩模开口气体形成等离子和停止该硬掩模开口气体的通入而开口。该硬掩模层可由无定形碳组成，或由旋涂碳组成，该硬掩模开口气体可进一步包括O₂。
硬掩模开口以及利用蚀刻形貌控制

[发明专利]蚀刻形貌控制-CN200680018829.8有效
发明人： 卡梅利娅·鲁苏;黄志松;穆昆德·斯里尼瓦桑;埃里克·A·赫德森;阿龙·埃普勒 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O₂和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H₂S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。
蚀刻形貌控制

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