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[实用新型]一种应用于红色磷化镓P型液相外延的石英舟-CN200920188440.9有效
发明人：万金平;何民华;涂小昆;任强 -专利权人： 南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：一种应用于红色磷化镓P型液相外延的石英舟，由内腔、外腔、连接板、盖板、连接操作杆及固定螺栓组成，内外腔由石英制成，石英内腔套在石英外腔内，内外腔之间留有空隙。其中石英内腔(2)中放置需生长P型层的磷化镓基片，在石英内腔的下面开有通槽，石英外腔(3)腔体内可装生长过程中所需的熔融复合材料。石英内腔(2)可在传动装置的带动下在石英外腔(3)体内上下运动，石英外腔(3)中的熔融体通过石英内腔(2)下面的通槽进入或离开石英内腔(2)中的磷化镓基片，完成P型层的生长过程。本实用新型的结构简单，适用性强，无密封腔室，装配的精度要求低，在操作时即使有一定的熔融残留仍可使用，有效地减少了操作时的化学清洗次数，防止对生长环境污染，提高产品品质。
一种应用于红色磷化型液相外延石英

[实用新型]一种应用于LED芯片制作的光刻版-CN200920188441.3有效
发明人：万金平;龚振;任强 -专利权人： 南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种应用于LED芯片制作的光刻版，属于LED芯片制造技术领域。所述光刻版规格为4×4平方英寸，在光刻版的中心设有一边长为1.5平方英寸的正方形方框标记，在正方形标记的内部和外部区域有两种不同的芯片尺寸和电极图形。本光刻版可实现在同一片LED外延片上根据材料的特性制作尺寸和电极图形不同的LED芯片，提高了材料的利用率。
一种应用于 led 芯片制作光刻

[发明专利]一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法-CN200910115901.4有效
发明人：万金平;曹喜平;刘淑梅;龚振 -专利权人： 南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法，属光电子器件制造技术领域。该方法利用刻蚀技术将外延材料分离成独立的行和列，行与列相交处是可独立控制发光的象素单元。同一行中利用外延材料的N型层做为同行象素之间的负极通路，同一列中利用蒸镀的金属电路做为同列象素之间的正极通路，整个显示矩阵依托兰宝石基板为一个整体。由于节约了象素控制电路所占用的空间，大大降低了LED显示模块的点距，提高了像素密度。
一种基于氮化发光材料 led 显示矩阵及其制作方法

[发明专利]一种高像素密度LED显示模块及其制作方法-CN200910115903.3有效
发明人：万金平;曹喜平;刘淑梅;任强 -专利权人： 南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种高像素密度LED显示模块的制作方法，属光电子器件制造技术领域。该方法取砷化镓基板外延片，在外延片的P层表面形成电极图形及欧姆接触；从外延片P层表面的特定位置向下切割形成深度超过外延片中P型材料厚度的沟槽，在沟槽中蒸镀N型欧姆接触金属并形成欧姆接触；将外延片底部粘贴在硅片上，然后在与沟槽垂直的方向将外延片切割成独立的行块排列；按行排列垂直的方向从表面向下进行列切割，从而使行块成为独立的像素单元，切割深度以分离行块中P型层的连接，不破坏N型层的连接为准。本LED显示模块利用象素本身的材料来提供模块内部中的电路连接，节约了对象素的控制电路所需占用的空间，大大降低了LED显示模块的点距，提高像素密度。
一种像素密度 led 显示模块及其制作方法

[实用新型]一种应用于液相外延晶片的固定装置-CN200820199688.0有效
发明人：叶建青;何民华;周力;万金平 -专利权人： 南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B19/06 文献下载
摘要：一种应用于液相外延晶片的固定装置，其特征是带有规则排布齿印的晶片夹板上有若干个对称分布的定位孔，螺栓穿过定位孔配合螺母固定连接两块晶片夹板，形成一个上下两层有晶片夹板的框架，其中单晶片放置晶片夹板内部的卡位中。本实用新型的技术效果是：1.适用性强，可通过调整晶片夹板的位置以适应不同大小的晶片。2.加强溶质的泄出以防止粘附于晶片表面，使产品更加美观；3.利于高温下溶液的对流运动，保证了生长过程中温场及掺杂的均匀性。
一种应用于外延晶片固定装置

[发明专利]一种半导体表面金键合电极的制作方法-CN200810136633.X有效
发明人：叶建青;何民华;周力;万金平 -专利权人： 南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体表面金键合电极的制作方法，其特征是工艺方法步骤为：首先提供半导体底材，形成金属复合结构，之后利用碱性溶液将半导体底材表面的光阻层去除，在去除底材表面光阻层的同时，附着于光阻层表面的金属将同时去除，但空白区域的金属将保留在底材表面，形成所需电极，形成半导体表面与金属的欧姆接触，在所蒸镀的金属复合结构中加入了钯作为铍原子在高温下扩散的阻隔层以保证电极的键合性能。本发明的优点是：1.避免了因丝网堵塞、变形所造成的电极脱落及图案变形；2.实现了降低Au层厚度节约成本之目的。
一种半导体表面金键合电极制作方法

[发明专利]一种去除镓铝砷材料表面金层的方法-CN200810136632.5有效
发明人：叶建青;何民华;周力;万金平 -专利权人： 南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：一种去除镓铝砷材料表面金层的方法，其特征是质量为在含有碘的碘化钾或碘化铵溶液中加入体积比在20％-35％的浓硝酸，混合后用于去除镓铝砷三元混晶材料表面的金层。本发明的技术效果是：容易实施，无剧毒，性能稳定可靠，可在去除金层的同时在半导体材料表面形成轻微钝化膜，有利于减缓试剂对材料表面的损伤。
一种去除镓铝砷材料表面方法