专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN201010293737.9有效
  • 南承熙 - 乐金显示有限公司
  • 2010-09-25 - 2011-05-11 - H01L27/12
  • 本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法,其可以保证对准容限并且缩减掩模步骤的数量。根据本发明的一种薄膜晶体管基板包括:选通线和数据线,所述选通线和数据线彼此交叉以限定像素,位于所述数据线下方的栅金属图案,位于所述像素中的薄膜晶体管,其具有栅极、源极以及漏极,以及像素电极,其通过连接电极连接至所述薄膜晶体管的所述漏极,其中,所述数据线具有多个第一缝隙以将所述栅金属图案与所述选通线断开。
  • 薄膜晶体管及其制造方法
  • [发明专利]制造薄膜晶体管阵列基板的方法-CN201010509943.9有效
  • 南承熙;文泰亨 - 乐金显示有限公司
  • 2010-10-13 - 2011-05-04 - H01L21/77
  • 制造薄膜晶体管阵列基板的方法,本发明公开了一种具有减少的掩模工艺次数的制造TFT阵列基板的方法。该方法包括如下步骤:在基板上依次沉积第一导电材料、栅绝缘层、半导体层和第二导电材料,并在第二导电材料上形成具有三个高度水平的第一抗蚀剂图案。该方法还包括使用第一抗蚀剂图案通过多道蚀刻工艺来形成选通线、与选通线交叉并具有第一狭缝单元和第二狭缝单元的数据线、与数据线连接并具有第三狭缝单元的源极以及与源极相对地设置并具有第四狭缝单元的漏极,在源极和漏极之间设置有沟道。
  • 制造薄膜晶体管阵列方法
  • [发明专利]印刷装置和使用该印刷装置来形成薄膜图案的方法-CN201010223057.X有效
  • 文泰亨;南承熙 - 乐金显示有限公司
  • 2010-07-02 - 2011-01-19 - B41F16/00
  • 本发明涉及印刷装置和使用该印刷装置来形成薄膜图案的方法,该印刷装置可在基板上形成多层薄膜。该印刷装置包括:毡辊;第一出口,用于向毡辊排出第一印刷墨;和第二出口,用于在第一印刷墨的粘度高于向毡辊排出第一印刷墨时的状态下,向涂敷有第一印刷墨的毡辊排出第二印刷墨,在相同或不同的印刷喷嘴中形成第一和第二出口。形成薄膜图案的方法包括:提供具有毡辊、第一出口和第二出口的印刷装置;用第一出口向毡辊排出第一印刷墨;和在第一印刷墨的粘度高于当向毡辊排出第一印刷墨时的粘度的状态下,用第二出口向其上涂敷有第一印刷墨的毡辊排出第二印刷墨,在相同的印刷喷嘴或不同的印刷喷嘴中形成第一出口和第二出口。
  • 印刷装置使用形成薄膜图案方法
  • [发明专利]液晶显示装置-CN200810184684.X有效
  • 柳洵城;张允琼;南承熙;金南国;鞠允镐 - 乐金显示有限公司
  • 2008-12-15 - 2009-10-28 - G02F1/1362
  • 本发明描述了一种液晶显示装置及其制造方法。根据一个实施方式,液晶显示装置包括:多条选通线和多条数据线,其设置在基板上以限定多个单位像素;薄膜晶体管,其分别形成在选通线和数据线的交叉区域处;多个选通焊盘部和多个数据焊盘部,其分别形成在选通线和数据线的端部,选通焊盘部和数据焊盘部中的至少一个由至少两个焊盘单元部构成,各个焊盘单元部具有至少一个接触孔以使所述多个选通焊盘部或所述多个数据焊盘部中的一个的接触孔以之字形或倾斜线的形式排列;以及像素电极,其形成在所述单位像素处。
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]液晶显示器件及其制造方法-CN200610094214.5有效
  • 柳洵城;权五楠;张允琼;赵兴烈;南承熙 - LG.菲利浦LCD株式会社
  • 2006-06-27 - 2007-01-10 - G02F1/1362
  • 公开了一种简化了工艺的液晶显示器件及其制造方法。在制造该液晶显示器件的方法中,通过第一掩模工艺在基板上形成第一导电图案组,该第一导电图案组包括多层导电层形式的选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘,该多层导电层具有阶梯形状并包括透明导电层。通过第二掩模工艺在第一掩模图案组上形成包括多个接触孔的绝缘膜和半导体层。在半导体层上形成包括数据线、源极和漏极的第二图案组,并对半导体层进行构图,并且通过第三掩模工艺在源极和漏极之间暴露出有源层。
  • 液晶显示器件及其制造方法

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