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[实用新型]基于IPD宽带大功率内匹配功率管-CN201920962816.0有效
发明人：田锋;强盛 -专利权人： 南京芯云电子科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种内匹配功率管，特别是一种基于IPD宽带大功率内匹配功率管，包括输入端和输出端，所述输入端匹配馈电射频隔离电路，所述馈电射频隔离电路通过一级LC匹配射频电路与输出端相连接，所述馈电射频隔离电路还与馈电电路相连接。采用上述结构后，本实用新型通过引进IPD技术来实现匹配，灵活的应用高通低通相结合的多种匹配拓扑，展宽带宽，通过电路生产过程中光刻等先进工艺精确的控制电路尺寸，准确计算寄生耦合，以达到宽带设计的目的要求。
基于 ipd 宽带大功率匹配功率管

[实用新型]X波段大功率内匹配功率管-CN201920962706.4有效
发明人：田锋;强盛 -专利权人： 南京芯云电子科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波功率器件技术领域，特别是一种X波段大功率内匹配功率管，包括GaN HEMT，所述GaN HEMT一侧通过输入预匹配网络与输入功分器相连接，所述输入功分器与输入阻抗相连接；所述GaN HEMT另一侧通过输出预分配网络与输出功分器相连接，所述输出功分器与输出阻抗相连接。采用上述结构后，本实用新型具有以下优点：1、输出功率大，功率增益高；2、附加效率高；3、工艺参数可控。
本实用新型输入功分器输出功微波功率器件功率增益匹配功率匹配网络输出功率输出阻抗输入阻抗预分配可控输出网络

[实用新型]射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路-CN201920967548.1有效
发明人：田锋;强盛 -专利权人： 南京芯云电子科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及射频大功率器件技术领域，特别是一种射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路，包括与电源VCC相连接的电源管理模块，所述电源管理模块的电源管理芯片与电路保护模块的开关管Q3的集电极相连接，所述开关管Q3的基极与电源管理模块的电压变换器相连接，所述开关管Q3与电路保护模块相连接，所述电源管理模块与电源调制模块相连接，所述电源管理模块的电压变换器与输出电压调整模块相连接。采用上述结构后，本实用新型通过跟输出栅极电压的比较，确保漏极电压加载时，栅极电压稳定，使用这套电路过程中，器件不会存在电源掉电等等特殊情况，导致器件烧毁。
电源管理模块开关管电路保护模块本实用新型大功率器件电压变换器射频输出电压调整模块电源调制模块电源管理芯片电路过程电源掉电调制电路漏极电压输出栅极栅极电压电源VCC 集电极加载馈电烧毁外围