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[发明专利]半导体发光元件-CN201580060595.2有效
发明人： 十川博行;杉山正和;M·玛尼施 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，该发光功能层包括形成在所述第一半导体层上的发光层；以及第二半导体层，该第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层包括：基底层，该基底层具有从所述第一半导体层经受应力应变的这种组分，并且具有形成为像随机网格的多个基底区段；以及量子阱结构层，该量子阱结构层由至少一个量子阱层和至少一个势垒层组成，所述至少一个量子阱层以嵌入所述基底层的方式形成。所述基底层具有多个子基底层，所述多个子基底层由具有相互不同的Al组分的AlGaN构成。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法-CN201280012596.6有效
发明人：田崎宽郎;山田秀高;十川博行 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种半导体发光元件及其制造方法，其能够抑制伴随引线接合的焊盘部分的剥离，同时通过在所述焊盘正下方形成反射层和透光性绝缘层来保持发光元件的输出的改进效果。本发明的半导体发光元件(100)包括：其中包括发光部的半导体层(104)，和位于半导体层(104)上的焊盘电极(105)，半导体发光元件(100)还包括：在半导体层(104)和焊盘电极(105)之间的反射部(108)，其进一步包括位于半导体层(104)上作为电流阻挡层的透光性绝缘层(106)以及位于透光性绝缘层上的反射层(107)；和进一步包括位于半导体层(104)上的、与反射部(108)接触的欧姆电极(109)的接触部。半导体发光元件(100)的特征在于包括在反射层(107)和焊盘电极(105)之间的导电性硬膜(110)，所述导电性硬膜(110)满足HV×t＞630，其中HV(Hv)是其维氏硬度并且t(μm)是其厚度。
半导体发光二极管及其制造方法

[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法-CN201080016159.2有效
发明人：中野雅之;十川博行;山田秀高 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提供了如下的半导体发光二极管及其制造方法，即：通过将作为光提取侧的电极部的上电极部和与该上电极部成对的中间电极部设置成具有适当的位置关系，在维持相对低的正向电压的同时提高了光输出功率。该半导体发光二极管包括：支承基板；顺次配置在支承基板的上表面侧的包括中间电极部的中间层、第二导电半导体层、活性层、第一导电半导体层和上电极部；以及设置在支承基板的下表面侧的下电极层。其中，中间层具有呈线状或岛状延伸的至少一个中间电极部。在通过将上电极部和中间电极部分别投影到与支承基板的上表面平行的假想平面上所获得的视图中，上电极部和中间电极部具有如下的位置关系，即上电极部和中间电极部相互平行且彼此错开，并且上电极部和中间电极部之间的距离在10微米至50微米的范围内。
半导体发光二极管及其制造方法

[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法-CN201080016160.5有效
发明人： 十川博行;中野雅之;山田秀高 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提供了如下的半导体发光二极管及其制造方法，即：通过将作为光提取侧的电极部的上电极部和与该上电极部成对的中间电极部设置成具有适当的位置关系，在维持相对低的正向电压的同时提高了光输出功率。特别地，该半导体发光二极管(1)包括：支承基板(2)；顺次配置在支承基板的上表面侧的包括中间电极部(3a)的中间层(3)、第二导电半导体层(4)、活性层(5)、第一导电半导体层(6)和上电极部(7)；以及设置在支承基板的下表面侧的下电极层(8)。其中，中间层(3)具有呈线状或岛状延伸的至少一个中间电极部(3a)。在将上电极部(7)和中间电极部(3a)投影到与支承基板(2)的上表面平行的假想平面上时，这些电极部(7、3a)的位置关系为：上电极部(7)和中间电极部(3a)彼此错开，上电极部(7)和中间电极部(3a)中的至少一个的轮廓线按预定的波浪幅度延伸，且上电极部(7)和与上电极部(7)相对的中间电极部(3a)的轮廓线之间的距离(d)局部减小。
半导体发光二极管及其制造方法