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[发明专利]研磨液滴定装置-CN202211453282.1在审
发明人：司马超;尹影;李婷;张康;庞浩 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种研磨液滴定装置，包括：研磨液滴定结构，其下方设有研磨液滴定腔，所述研磨液滴定腔适于和研磨垫上表面形成容纳研磨液的腔室，所述研磨液滴定结构上开设有与所述研磨液滴定腔连通、适于供研磨液进入所述研磨液滴定腔内的研磨液滴定口；压板结构，包括位于所述研磨液滴定腔内的压板；驱动结构，适于驱动所述压板在所述研磨液滴定腔内做往复运动。由于研磨液滴定腔和研磨垫上表面形成腔室，腔室可容纳研磨液，让研磨液不会随研磨垫的圆周运动而甩出研磨液滴定腔，提高研磨液的使用效率。
研磨滴定装置

[发明专利]一种化学机械抛光方法-CN202211391369.0在审
发明人：白琨;李嘉浪;周庆亚;贾若雨 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光方法，包括：对第一标定晶圆至第N标定晶圆进行研磨，以第n研磨设计流量和第n研磨时间Tn对第n标定晶圆研磨；获取任意第n标定晶圆研磨前后的实际研磨量、平均研磨速率、平均研磨流量；拟合研磨液流量和研磨率的函数关系；对测试晶圆进行研磨，在研磨时间内设置第一采样周期至第W采样周期；获取第一采样周期内的平均研磨流量至第W采样周期内的平均研磨流量；获取任意第w采样周期内的膜厚去除量；获取任意第w采样周期结束时刻的膜厚总去除量；根据膜厚总去除量判断研磨终点；或，获取任意第w采样周期内的研磨液流量积分；获取任意第w采样周期结束时刻的研磨液流量总积分；根据研磨液流量总积分判断研磨终点。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]一种晶圆干燥系统及其工作方法-CN202211378332.4在审
发明人：王磊;张康;尹影;崔云承;邢朝月 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆干燥系统及其工作方法。晶圆干燥系统包括：腔室；位于腔室内的旋转限位单元，旋转限位单元具有纵向旋转中心轴，旋转限位单元包括若干卡夹部，若干卡夹部围绕纵向旋转中心轴周向排布，若干卡夹部围成晶圆容置区，卡夹部适于卡夹晶圆的边缘；吹扫单元，吹扫单元包括第一喷嘴和第二喷嘴；第一喷嘴和第二喷嘴位于晶圆容置区的下方；导流液传输单元，导流液传输单元与第一喷嘴连通，导流液传输单元适于给第一喷嘴传输导流液；导气传输单元，导气传输单元与第二喷嘴连通，导气传输单元适于给第二喷嘴提供汽化的清洗物。本发明提供的晶圆干燥系统能够提高晶圆表面洁净度和干燥效率。
一种干燥系统及其工作方法

[发明专利]一种抛光监测装置和抛光监测方法-CN202111279956.6有效
发明人：刘晓亮;尹影;庞浩;司马超 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光监测装置和抛光监测方法，所述抛光监测装置包括抛光头，所述抛光头包括柔性膜和承载体，所述柔性膜包括柔性膜主体和若干间隔件，若干个间隔件、柔性膜主体和承载体围成若干个间隔的气体腔；与气体腔连通的气路；压力控制模块包括若干个压力传感单元、若干个信号处理单元、控制单元和若干个压力调节单元，所述控制单元适于根据所述若干个信号处理单元的输出信号的频率带宽一一对应控制所述若干个压力调节单元调节对应的气路中的压强。本发明通过监测抛光过程中柔性膜内气体压强的波动频率来实时监测去除量，压力控制模块根据监测结果实时调整抛光去除量，避免了将抛光去除量的监测和调整分别进行的繁琐过程，显著提高了效率。
一种抛光监测装置方法

[发明专利]一种扫描电机曲线追踪参数确认方法及装置-CN202211234352.4在审
发明人：李嘉浪;周庆亚;吴燕林;白琨;贾若雨 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种扫描电机曲线追踪参数确认方法及装置，方法包括：设置扫描电机不同的基本参数，并为每个位移区间预设置不同的自适应调节因子；根据所述基本参数和自适应调节因子进行跟踪扫描算法计算，得到对应不同的扫描参数；基于不同的扫描参数进行仿真计算，得到仿真结果；根据仿真结果选择最优的基本参数和自适应调节因子输入实际扫描电机中进行曲线追踪。本发明通过设置扫描参数和自适应调节因子，使扫描电机光滑的追踪自定义曲线，消除累计误差以及扭矩过大的问题，通过仿真模拟各个扫描参数设置后抛光盘的研磨轨迹，进而降低了实验成本，提高了实验效率。
一种扫描电机曲线追踪参数确认方法装置

[发明专利]抛光垫形貌检测方法-CN202211156954.2在审
发明人：王嘉琪;张为强;赵磊;廉金武;郭益言;梅辰萌 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01B21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫全局形貌检测方法，包括以下步骤：采集运动部件运行数据；所述运动部件包括抛光盘和活化器；所述运动部件运行数据分别由抛光盘电机和活化器电机以及位于所述活化器的位移传感器采集提供；坐标建模；根据所述运动部件运行数据，建立笛卡尔坐标系，定义抛光垫圆心坐标值，推导出修整头圆心坐标值，根据抛光垫圆心坐标值和修整头圆心坐标值，确定抛光垫上全部点的坐标值；由抛光垫上全部点的坐标值生成形貌数据；实时刷新形貌数据；固定间隔时间，重复采集运动部件运行数据，获取新的抛光垫上全部点的坐标值，根据新的抛光垫上全部点的坐标值生成新的形貌数据。本发明可以减少抛光垫检测时带来的污染，并全面的反映抛光垫形貌。
抛光形貌检测方法

[发明专利]一种化学机械研磨设备调整器-CN202110634961.8在审
发明人：唐强;蒋锡兵;李海悦 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨设备调整器，属于化学机械研磨设备技术领域，包括：基座，所述基座上转动安装有调整器手臂，所述基座内安装有驱动装置；所述调整器手臂的延伸端设置有调整头和清理头，所述调整头和清理头可转动设置，所述调整头和清理头均适于与抛光垫相接触；所述清理头上设有若干组清理毛刷。本发明提供的化学机械研磨设备调整器，清理头上设有若干组清理毛刷，清理毛刷可以对抛光垫进行清理，避免晶圆研磨过程中产生的副产物沉积在抛光垫的沟槽内。同时，将清理头和调整头一同设置在调整器手臂上，可节省抛光垫周边空间，避免需要在调整器手臂一侧单独设置清理装置。
一种化学机械研磨设备调整器

[发明专利]一种研磨液滴定装置、机构、系统及研磨方法-CN202211228208.X在审
发明人：尹影;庞浩;司马超;李婷;刘晓亮;边润立 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种研磨液滴定装置、机构、系统及研磨方法，研磨液滴定装置包括呈条形状的主体，其内部为空腔，主体顶部设有至少一个进液口，主体底部为开口并形成出液口，开口内侧壁为斜面，斜面呈内倾或外倾结构，沿主体长度的方向，其一端为固定端另一端为摆动端。对晶圆进行研磨时，开口内侧壁呈内倾或外倾结构的斜面可将研磨液均匀刮涂在研磨垫表面的沟槽中，避免受离心力作用向研磨垫边缘位置扩散，使研磨垫中心与边缘位置的研磨液分布均匀，减少了研磨垫中心与边缘的表面结构损耗产生差异，从而使研磨时的晶圆的研磨速率更加稳定，提高了产品的良品率，具有结构简单，操作便捷的优点。
一种研磨滴定装置机构系统方法

[发明专利]抛光垫沟槽深度检测方法-CN202211127719.2在审
发明人：周庆亚;吴燕林 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B24B49/12 文献下载
摘要：本发明提供抛光垫沟槽深度检测方法。本发明的抛光垫检测方法通过设置标记光线、获取计算夹角的正弦值，获取检测图像，公式计算的步骤，得到CMP系统中抛光垫的实际深度。本发明的抛光垫深度检测方法可以解决停机人工测量抛光垫沟槽深度效率低、易造成表面损伤和误差较大的问题。可以根据实时测量得到的实际深度为抛光过程提供参数依据，优化抛光工艺参数。
抛光沟槽深度检测方法

[发明专利]一种具有基板保护功能的基板装载装置和方法-CN202211128110.7在审
发明人：周庆亚;吴燕林;李伟 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有基板保护功能的基板装载装置和方法，属于基板制造技术领域，具有基板保护功能的基板装载装置包括：清洗液容纳装置，适于容纳清洗和保护基板所用的清洗液；基板承载机构，具有适于承载水平姿态基板的载片台；载片台装载基板后，基板表面低于清洗液容纳装置中最大容纳的清洗液的上表面；本发明的具有基板保护功能的基板装载装置和方法，将基板卸载至载片台，基板浸泡在清洗液容纳装置内，使得基板能够得到充分的清洗，不会有抛光液的残留；同时，清洗液不直接喷射基板表面，不会对基板表面电路造成损坏。
一种具有保护功能装载装置方法

[发明专利]一种传感器与晶圆相对轨迹追踪方法-CN202110645765.0在审
发明人：李嘉浪;白琨;贾若雨;吴燕林;周庆亚;张金环;刘志伟 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种传感器与晶圆相对轨迹追踪方法，属于CMP设备技术领域，包括以下步骤：通过已知条件，对AB之间的距离进行计算；在T1时刻，以A点此刻所处的位置为圆心，AB此刻的长度为半径形成第一圆，第一圆与晶圆边缘产生第一交点；重复执行交点获取步骤，直至传感器脱离晶圆的位置时，得到若干交点；传感器在扫过晶圆时，通过将若干交点进行曲线拟合，得到传感器在晶圆上扫过的弧线。本发明提供的传感器与晶圆相对轨迹追踪方法，能够实时获得传感器相对于抛光头中心的距离，获取传感器扫过晶圆时的弧线，获得传感器相对于晶圆的实时位置，可以由传感器传来的数据得知此时晶圆的研磨状况，进而可以对抛光头的压力进行实时调整。
一种传感器相对轨迹追踪方法

[发明专利]一种晶圆研磨方法-CN202211128106.0在审
发明人：唐强;蒋锡兵 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆研磨方法，包括以下步骤：转移晶圆至研磨垫；在研磨垫上进行第一次研磨；第一次清洗研磨垫，对研磨垫进行喷水清洗，同时调整器对研磨垫表面维持压力进行调整动作和清扫动作；在研磨垫上进行第二次研磨。本发明提供的晶圆研磨方法，可有效减少研磨后的晶圆晶圆表面的缺陷。
一种研磨方法

[发明专利]切边晶圆定位系统、切边晶圆定位方法及晶圆清洗机-CN202211157673.9在审
发明人：王嘉琪;张为强;史霄;廉金武;赵磊 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种切边晶圆定位系统、切边晶圆定位方法和晶圆清洗机。晶圆定位系统包括：旋转支撑单元，用于支撑切边晶圆以及驱动切边晶圆转动；检测单元，用于检测切边位置，包括发射端和接收端，发射端适于发射连续的直线形检测束；接收端适于接收检测束，检测检测束的检测参数；控制单元，电连接旋转支撑单元和检测单元，用于驱动旋转支撑单元转动切边晶圆，驱动发射端发射检测束，驱动接收端接收并检测检测束，以及根据检测参数是否变化，确定检测束所在位置处是否为切边位置，并根据切边位置，控制旋转支撑单元将切边晶圆的切边转动至预设位置。本发明的晶圆定位系统可以准确的检测晶圆的切边位置，并将切边晶圆的切边固定在预设位置。
切边定位系统方法清洗

[发明专利]一种干燥系统及干燥方法-CN202111211232.8有效
发明人：张康;舒福璋;崔凯 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： F26B5/08 文献下载
摘要：本发明提供一种干燥系统及干燥方法，干燥系统包括：腔室；位于所述腔室中的承载平台，所述承载平台适于围绕所述承载平台的中心轴旋转；位于所述承载平台的侧部周围的导流罩，所述导流罩包括内层侧罩、外层侧罩和罩底板，所述罩底板与所述内层侧罩和所述外层侧罩连接，所述内层侧罩和所述外层侧罩之间具有罩腔，所述内层侧罩中具有贯穿所述内层侧罩且与所述罩腔连通的开口；所述导流罩还包括与部分所述罩底板连接且与所述罩腔连通的导流排风部。所述晶圆干燥系统能够减少干燥过程中的液体回溅和二次污染现象。
一种干燥系统方法

[发明专利]一种研磨垫及具有其的研磨装置-CN202111372782.8有效
发明人：蒋锡兵;唐强 -专利权人： 北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆生产技术领域，具体涉及一种研磨垫及具有其的研磨装置。一种研磨垫，包括：基体，设有基底；多个不同形状的磨料块，间隔设置在所述基底上，以形成多个不同形状的储料槽。本发明解决了晶圆研磨时速率不稳，易出现高低不平、存在颗粒，良品率低的缺陷，从而提供一种研磨垫及具有其的研磨装置。
一种研磨具有装置

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