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- [发明专利]氮化镓晶体管-CN201780084505.2有效
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焦尔贾·隆戈巴尔迪;弗洛林·乌德雷亚
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剑桥氮化镓器件有限公司
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2017-11-21
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2023-09-12
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H01L29/778
- 本文公开了一种III族氮化物半导体基异质结功率器件，包括：衬底(305)；形成在衬底上方的III族氮化物半导体区域；操作性连接到III族氮化物半导体区域的源极(340)；与源极横向间隔开并操作性连接到III族氮化物半导体区域的漏极(320)；形成在III族氮化物半导体区域上方的栅极(335)，栅极形成在源极和漏极之间。III族氮化物半导体区域包括：形成在源极和栅极之间的第一部分。源极与第一部分接触，并且第一部分包括具有二维载气的异质结(327)；形成在栅极和漏极之间的第二部分，其中漏极与第二部分接触，并且第二部分包括具有二维载气的异质结。III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中至少之一包括：形成在III族氮化物半导体区域内具有竖直侧壁的至少一个沟槽(380)；平台区域(385)，各自从至少一个沟槽的每个竖直侧壁延伸离开。二维载气沿着平台区域以及沿着至少一个沟槽定位。分别与第一部分和第二部分中至少之一接触的源极和漏极中至少之一与沿着III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中至少之一的至少一个沟槽以及沿着平台区域定位的二维载气接触。
- 氮化晶体管
- [发明专利]具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件-CN202080048419.8在审
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弗洛林·乌德雷亚;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪;马丁·阿诺德
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剑桥氮化镓器件有限公司
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2020-05-07
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2022-02-18
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H01L27/085
- 公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括：形成在衬底(4)上的第一异质结晶体管和形成在衬底上的第二异质结晶体管。第一异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，该第一异质结包括至少一个二维载流子气；第一端子(8)，操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；第二端子(9)，与第一端子横向间隔开并且操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；以及第一栅极区(10)，在第一端子与第二端子之间的第一III族氮化物半导体区之上。第二异质结晶体管包括：第二III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第二III族氮化物半导体区包括第二异质结，该第二异质结包括至少一个二维载流子气；第三端子(19)，操作性地连接到第二III族氮化物半导体区；第四端子(16)，在第一维度上与第三端子横向间隔开并且操作性地连接到第二III族氮化物半导体区；第一导电类型的第一多个高掺杂半导体区(18)，形成在第二III族氮化物半导体区之上，该第一多个高掺杂半导体区形成在第三端子与第四端子之间；以及第二栅极区(17)，操作性地连接到第一多个高掺杂半导体区。第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的一个是增强型场效应晶体管，而第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的另一个是耗尽型场效应晶体管。
- 具有集成功率晶体管启动电路iii半导体器件
- [发明专利]具有集成保护功能的III-V族半导体器件-CN202080048477.0在审
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弗洛林·乌德雷亚;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪;马丁·阿诺德
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剑桥氮化镓器件有限公司
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2020-05-07
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2022-02-18
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H01L27/085
- 公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，其包括形成在衬底上的第一异质结晶体管(19)，该第一异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，其形成在该衬底上，其中该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，该第一异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气；第一端子(8)，其操作性地连接至该第III族氮化物半导体区；第二端子(9)，其与该第一端子横向间隔开并且操作性地连接至该第一III族氮化物半导体区；第一栅极端子(10)，其形成在该第一端子与该第二端子之间的该第一III族氮化物半导体区上。该器件亦包括形成在衬底上的第二异质结晶体管(14)，该第二异质结晶体管包括：第二III族氮化物半导体区，其形成在该衬底上，其中该第二III族氮化物半导体区包括第二异质结，该第二异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气；第三端子，其操作性地连接至该第二III族氮化物半导体区；第四端子，其在第一维度上与该第三端子横向间隔开并且操作性地连接至该第二III族氮化物半导体区，其中该第四端子操作性地连接至该第一栅极端子；以及第二栅极端子，其形成在该第三端子与该第四端子之间的该第二III族氮化物半导体区上，并且其中该第二异质结晶体管用于该第一功率异质结晶体管的感测及保护功能中。该器件亦包括具有与第一异质结晶体管的结构实质上相同的至少一个单片集成式电流感测晶体管(16)，并且其中该第三晶体管依比例因子X相较于该第一异质结晶体管缩放至较小面积或较短栅极宽度，其中X大于1。其他实施例包括内部感测及外部感测两者、感测负载及反馈电路以提供过电流、栅极过电压或过温度保护。
- 具有集成保护功能iii半导体器件
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