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[发明专利]一种PBN坩埚维修装置及方法-CN202210445033.1有效
发明人：王金灵;刘火阳;周铁军 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种PBN坩埚维修装置及方法。通过公开的PBN坩埚维修装置，能够根据不同直径的PBN坩埚调节支撑架的支撑直径大小，进而能够对不同直径的PBN坩埚的筒体部位的内壁进行修复，且在修复时，只需要使PBN坩埚套在PBN坩埚维修装置，并使PBN坩埚的筒体部位的内部与多个第一叶片的外侧贴合，然后固定PBN坩埚，使外部动力带动传动件转动，进而使贴于PBN坩埚维修装置的砂纸对PBN坩埚的筒体部位进行修复，本申请相较于现有人工修复方式，由于PBN坩埚维修装置转动时多个第一叶片同时PBN坩埚的筒体部位的内壁接触，因此，能够对整个PBN坩埚的筒体部位的内壁修复，因此，本发明通过PBN坩埚维修装置采用PBN坩埚维修方法的维修效率更高，且能有效提升修复质量。
一种 pbn 坩埚维修装置方法

[实用新型]一种瓶身外锥度检测装置-CN202321082026.6有效
发明人：刘建忠;刘火阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01B21/22 文献下载
摘要：本申请涉及半导体晶体材料生产技术领域，具体公开了一种瓶身外锥度检测装置，包括：支撑台、转动件与倾角仪；倾角仪设置于转动件上；转动件转动连接支撑台；支撑台上设置有导向件；导向件用于连接待检测瓶体或转动件，以使待检测瓶体与转动件能够沿预设方向相向移动，进而使得待检测瓶体推动转动件转动，至待检测瓶体的锥面与转动件贴合。本方案中，通过设置导向件，使得待检测瓶体与转动件可以沿预设方向相向移动至待检测瓶体与转动件贴合，之后通过转动件上的倾角仪可以测出待检测瓶体的锥部角度，相比于现有的采用角度仪手动测量的方式，本方案可以降低工作人员的操作要求与操作误差，从而提升检测效率与检测精度。
一种身外锥度检测装置

[实用新型]一种晶棒夹持工具-CN202222725766.9有效
发明人：詹晨晨;廖和杰;刘火阳;马金峰;唐林锋 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体加工领域，公开了一种晶棒夹持工具。包括底座，所述底座的一端设置固定挡板，所述底座的上表面设置用于放置晶棒的防滑垫，所述底座上还设置将晶棒固定在防滑垫的紧固组件；所述固定挡板的一端抵接晶棒的端部，所述固定挡板的另一端设置与加工设备可拆卸固定的固定件。本实用新型的晶棒夹持工具结构简单，操作便捷，在使用过程中可降低晶棒的物料损耗，提高晶棒切割的质量。
一种夹持工具

[实用新型]清洗夹具-CN202223342976.6有效
发明人：廖和杰;刘火阳;马金峰;唐林锋 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片加工技术领域，公开了一种清洗夹具，包括安装板、与安装板连接的承接柱、与安装板连接的提手；安装板呈并列状相对设置；安装板上设置有扣合槽，扣合槽呈长条形凹槽状结构设置；承接柱设置在安装板之间，承接柱设置有至少两个；承接柱上设置有卡槽，卡槽沿承接柱间隔设置；提手自扣合槽的一端滑入扣合槽，以将提手勾设在扣合槽内。通过在安装板上设置扣合槽，实现提手可拆分的勾设在安装板上，进而在对清洗夹具搬运完成后，可以将提手自扣合槽内滑出，拆装方便，提手不会占用额外的清洗空间，提高清洗效率。
清洗夹具

[发明专利]一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法-CN202110709208.0有效
发明人：刘建忠;刘火阳;周铁军;易明辉 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法，包括以下步骤：S1.预处理晶片，测量晶片头部一端线性孪晶的任意一端点到晶片侧面的垂直距离；S2.根据线性孪晶和晶体角度偏转的方向和角度有关联性，得出线性孪晶长度计算公式；S3.通过计算的切割长度，按照切割的长度，对待检测晶片切除相应的孪晶。本发明的方法推算出一种切除长度的方法，改变了传统采用分肉眼识别及经验判断来切除线性孪晶；可以一步到位计算出线性孪晶所需切除长度，减少返工次数及重复返工可能造成的晶体有效长度损耗，大大地提高了生产效率及产品质量及稳定性。
一种判断砷化镓晶体线性长度方法

[发明专利]一种碲锌镉加工废水综合回收处理方法-CN202111659324.2有效
发明人： 刘火阳;宋向荣;马金峰;周铁军;唐林锋;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明属于晶片加工废水处理技术领域，公开了一种碲锌镉加工废水综合回收处理方法。所述方法包括将内圆锯、倒角产生的含碲锌镉颗粒的废水调节pH后进行絮凝处理，再通过絮凝沉淀池沉淀，沉淀相进行污泥处理后，废水回流，固相碲锌镉微粒进行集中分离与提纯处理；将切片、抛光、多晶清洗、单晶清洗和清洗产生的废水在反应沉淀池中通入酸性溶液和氧化物进行反应处理，经沉淀反应后废水回流，沉淀相磨料进行回收再利用；将絮凝沉淀池处理后的废水和反应沉淀池处理后的废水调节pH至中性后流入清水池，然后经RO处理系统，处理后的淡水收集后供给生产用水。本发明处理方法可同时实现碲锌镉加工过程中多种废水的综合分离回收处理。
一种碲锌镉加工废水综合回收处理方法

[发明专利]一种降低砷化铟表面点子数的退火方法-CN202111585835.4有效
发明人：唐林锋;宋向荣;马金峰;周铁军;刘火阳;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料加工技术领域，公开了一种降低砷化铟表面点子数的退火方法。将砷化铟晶体采用多线切割获得单晶片，磨边、清洗、干燥后获得干净的砷化铟单晶晶片，然后将其有序、间隔地竖直放置在清洗干燥后的石英样品架上，再将石英样品架水平放置在石英管内；将石英管抽真空后烧结封口，然后放入水平退火炉中退火，其包含升温、恒温和降温阶段，所述升温阶段是指由室温升至840～856℃，所述恒温阶段是指在840～856℃保温30～60h，所述降温阶段是指冷却至室温。本发明方法可以有效减少或消除砷化铟表面的残余应力，减少晶片表面的点子数。
一种降低砷化铟表面点子退火方法

[发明专利]一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片-CN202111277255.9有效
发明人：唐林锋;宋向荣;马金峰;周铁军;刘火阳;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片。所述锑化镓晶片的单面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、双氧水、柠檬酸钠、焦磷酸钠和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行单面精抛，得到锑化镓抛光片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的单面抛光方法包括两步抛光：单面粗抛和单面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行单面粗抛和单面精抛，最终制备的锑化镓抛光片的抛光面平整度较高，粗糙度较低。
一种锑化镓晶片单面抛光方法

[实用新型]一种锥形面砂轮和打磨设备-CN202222668942.X有效
发明人：刘建忠;刘火阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B24B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种锥形面砂轮和打磨设备。将打磨筒体设置成锥形结构，并将连接部设置于打磨筒体的顶部，以及在打磨筒体的内壁镀有打磨颗粒；连接部开设有用于螺栓穿过的螺孔和用于排废液的排液孔，通过上述公开的锥形面砂轮，可在需要对晶体的锥形表面进行打磨时，使晶体的锥形结构一端伸入打磨筒体内，并使晶体的锥形表面与打磨筒体内壁贴合，然后通过动力组件带动打磨筒体转动，以实现对晶体的锥形结构进行快速打磨，并能保证晶体的锥形结构表面的粗糙度一致，进而保证单晶的成晶率。
一种锥形砂轮打磨设备

[发明专利]一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片-CN202111277261.4有效
发明人：唐林锋;宋向荣;周铁军;马金峰;刘火阳;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片。所述锑化镓晶片的双面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂、抛光离子增强剂和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行双面精抛，得到锑化镓双抛片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的双面抛光方法包括两步抛光：双面粗抛和双面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行双面粗抛和双面精抛，最终制备的锑化镓双抛片平整度较高，粗糙度较低。
一种锑化镓晶片双面抛光方法锑化镓双抛片

[发明专利]一种无蜡抛光工艺方法-CN202210993608.3在审
发明人：廖和杰;唐林锋;宋向荣;刘火阳;马金峰;周铁军 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种无蜡抛光工艺方法，用于晶片抛光，包括以下步骤：S100：选取陶瓷盘，在陶瓷盘上粘贴用于固定晶片的双面拉伸胶；S200：将晶片粘贴于双面拉伸胶上；S300：将晶片压紧于双面拉伸胶上；S400：对晶片进行粗抛；S500：对晶片进行精抛。和现有技术中的有蜡抛光工艺相比，本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺无需反复进行上蜡、化蜡等步骤，通过双面拉伸胶即可将晶片固定于陶瓷盘上，而且当抛光完成后，将双面拉伸胶拉扯下来即可，上述无蜡抛光工艺方法的加工步骤简单，不仅能够有效提高晶片的加工效率，还能够保证晶片的加工质量。
一种抛光工艺方法

[实用新型]一种清洗夹具-CN202221342470.2有效
发明人：王金灵;刘火阳;曾贵州 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B08B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗夹具，包括夹具本体、第一夹持部和第二夹持部，第一夹持部固定于夹具本体上，第二夹持部滑动设置于夹具本体上，且第二夹持部能够朝向靠近或远离第一夹持部的方向滑动，使得第一夹持部和第二夹持部能够对不同规格尺寸的晶片进行夹持，以实现对晶片的清洗。和现有技术相比，由于第二夹持部可在夹具本体上滑动，第一夹持部和第二夹持部之间的距离可进行调节，因此，上述清洗夹具能够对不同规格尺寸的晶片进行夹持，以实现对晶片的清洗，从而有效提升了清洗夹具的适用性，进一步提高了清洗效率。
一种清洗夹具

[发明专利]一种锑化铟晶片的清洗方法-CN202210808453.1在审
发明人：唐林锋;刘火阳;马金峰;周铁军;宋向荣;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：一种锑化铟晶片的清洗方法，包括以下步骤：将抛光后的锑化铟单晶晶片在超声条件下采用抛光片在溶液A中进行第一次浸洗；再采用溶液B进行第二次浸洗；然后依次经第一次水漂洗、浓硫酸清洗、第二次水漂洗、溶液C清洗、第三次水漂洗、酸性溶液清洗、第四次水漂洗和烘干，得到清洗后的锑化铟晶片；溶液A包括：醇胺类化合物30～60wt％；氢氧化四甲基胺1～10wt％；耐碱渗透剂0.05～1wt％；余量的水；溶液B包括：表面活性剂1～5wt‰；氢氧化钠5～10wt‰；双氧水3～6wt‰；余量的水；溶液C包括：柠檬酸钠1～5wt‰；氢氧化钾4～12wt％；双氧水0.5～3wt％；余量的水。该清洗方法采用多种特定溶液进行多步清洗，能够有效去除晶片表面残留的杂质、颗粒，获得洁净、低氧化层厚度和粗糙度的表面，满足外延生长的要求。
一种锑化铟晶片清洗方法

[发明专利]一种碲锌镉晶片加工方法-CN202210758590.9在审
发明人：廖和杰;马金峰;周铁军;宋向荣;唐林峰;刘火阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶片加工方法，包括如下步骤：将晶棒切成晶片；将晶片表面腐蚀出单晶区域；将晶片腐蚀出来的单晶区域划出单晶片；将单晶片与对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原并进行抛光。在本方案中，先将晶棒切成晶片，然后将晶片表面腐蚀出单晶区域，再将晶片的单晶区域切割出单晶片，最后将单晶片与其对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原后进行抛光，即将之前切割对应剩下的多晶片采用胶接固定在单晶片的周围复原后进行抛光，以使得在单晶片的边缘粘附多晶陪片，以便于缓解所需晶片边缘抛光受到的剪切力，从而有助于使得抛光出的晶片平整度更好，无明显崩边，有利于缓解碲锌镉晶片在抛光过程中塌边现象，提高了成品率。
一种碲锌镉晶片加工方法

[发明专利]一种锑化镓高精度定向方法-CN202210541569.3在审
发明人： 刘火阳;唐林锋;马金峰;周铁军;宋向荣;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶体定向技术领域，公开了一种锑化镓高精度定向方法。本发明的方法采用化学腐蚀方法提高晶片定向的精度，简便易操作，在晶体定向等加工过程中不会产生碎屑，使晶片的定向精度由±0.06度提高至±0.01°。
一种锑化镓高精度定向方法

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