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[发明专利]唾液采集装置及方法-CN202110191560.X在审
发明人：柳震和;金跃渊;刘汉泳;李奉局 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： A61B10/00 文献下载
摘要：本发明提供便于维护且定量、有效地采集被采集者的唾液的装置及方法。本发明提供在具有弹性特性的管子的一端部形成多个微孔并在上述管筒的另一端部连接真空泵而从形成有微孔的端抽吸和采集动物的唾液的装置。具有上述微孔的管子可通过同轴结构或包含填充材料的结构来对受唾液采集者的唾液之外的物质进行过滤。此外，提供如下的唾液采集装置及方法：利用动作传感器/位置传感器和电磁阀之类的可进行电子控制的阀，并只在使用者使用唾液采集装置时驱动装置而可实现自动化及定量控制，并通过结合畜舍内部的饮用水及空气管路来实现唾液采集管的清洗的干燥而而便于维护且有效的唾液采集装置及方法。
唾液采集装置方法

[发明专利]用于控制湿度的设备和方法-CN201510179880.8有效
发明人： 刘汉泳 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： F24F6/14 文献下载
摘要：公开了湿度控制方法和设备。所述湿度控制设备可包括用于在其中储存水的贮水箱、处于与贮水箱相邻的位置用于水经此逸出的喷嘴、连接到喷嘴的第一电极、置于第一电极对面的第二电极。所述湿度控制设备可包括用于向第一电极和第二电极施加电压的第一电力控制单元、和在第二电极上形成的第一隔离体。
用于控制湿度设备方法

[发明专利]包括纳米结构的三维纳米器件-CN200880110362.9无效
发明人： 刘汉泳;金炳勋;金安顺;白寅福;阿七成;梁钟宪;朴赞佑;安昌根 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括三维纳米结构的三维(3D)纳米器件。三维纳米器件包括至少一个纳米结构，每个纳米结构包括浮在衬底之上的振荡部分和用于支撑振荡部分的两个长度方向端部的支撑部分；支撑件，该支撑件设置在衬底上以支撑每个纳米结构的支撑部分；至少一个控制器，其控制器设置在衬底的上部、衬底的下部、或者衬底的上部和下部，以控制每个纳米结构；以及检测单元，该检测单元设置在每个振荡部分上，以检测外部施加的吸附材料。由此，不同于典型的平面器件，可以减少在纳米器件和衬底之间产生的杂质并可以导致机械振动。尤其是，由于三维纳米器件具有机械和电特性，包括新的三维纳米结构的三维纳米器件可以利用纳米-电-机械系统(NEMS)提供。而且，不同于平面器件，利用简单过程可以形成单电子器件、自旋电子器件、或单电子晶体管-场效应晶体管(FET)混合器件。
包括纳米结构三维器件

[发明专利]纳米线过滤器、其制作方法、除去吸附在其上的材料的方法及具有其的过滤设备-CN200780036103.1有效
发明人： 刘汉泳;金安顺;阿七成;白寅福;梁钟宪;安昌根;李诚宰;郑泰亨 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：提供了一种纳米线过滤器、其制作方法、具有其的过滤设备、以及除去吸附在纳米线过滤器上的材料的方法。该过滤设备包含：过滤器，该过滤器具有支持件和多个纳米线，该纳米线支承在该支持件上并布置于结晶态；以及主体，该过滤器插入并紧固到该主体中，该主体具有将所引入的流体引导到该过滤器的入口以及将通过该过滤器被过滤的流体排放到外部的出口。
纳米过滤器制作方法除去吸附材料方法具有过滤设备

[发明专利]生物传感器、其制作方法及包含其的生物传感设备-CN200780036112.0无效
发明人： 刘汉泳;金安顺;阿七成;梁钟宪;白寅福;安昌根;李诚宰;尹珍浩 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：提供了一种具有三维多层结构的生物传感器、该生物传感器的制作方法以及包含该生物传感器的生物传感设备。该生物传感设备包含：具有入口和出口的腔体，包含生物材料的流体通过该入口进入且该流体通过该出口离开；以及插入并固定在该腔体内的多个生物传感器。每一个生物传感器包含：具有流体通道的支持单元，包含生物材料的流体流动经过该流体通道；以及检测单元，布置在该支持单元上，使得该检测单元在该支持单元的该流体通道内三维地露出，该检测单元使用将与流动经过该流体通道的生物材料反应的反应材料来表面处理。
生物传感器制作方法包含传感设备

[发明专利]半导体器件制造方法-CN200680045741.5无效
发明人：白寅福;李诚宰;梁钟宪;安昌根;刘汉泳;林基主 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种通过光刻工艺改变光致抗蚀剂的性质以形成虚拟结构并且将该结构应用于栅电极形成工艺的半导体器件制造方法。该方法包括步骤：在半导体衬底的顶部上形成缓冲层；在缓冲层上应用无机光致抗蚀剂，并通过光刻工艺形成光致抗蚀剂图案；用预定气体来热处理光致抗蚀剂图案；在热处理后的结构上均匀沉积绝缘层，并将所沉积的层蚀刻所沉积的厚度以露出热处理后的光致抗蚀剂图案；在蚀刻后的结构上沉积绝缘层，并且蚀刻所沉积的绝缘层以露出热处理后的光致抗蚀剂图案；使用蚀刻工艺去除所露出的光致抗蚀剂图案；在光致抗蚀剂图案被去除的部分形成栅极氧化层；以及在栅极氧化层上形成栅电极。因此，在形成用于制造纳米尺寸器件的结构中，通过光刻工艺形成的层的限制通过热处理得到改善，且因此用于制造各种器件的结构可以容易形成。
半导体器件制造方法