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[实用新型]多功能中成药灭菌装置-CN202220190150.3有效
发明人：李铁锡;刘松子;王安波;宋德库 -专利权人：吉林天力泰药业有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： A61L2/04 文献下载
摘要：本实用新型属于中成药灭菌装置技术领域，尤其为多功能中成药灭菌装置，包括装置主体，装置主体前表面设置有观察窗，装置主体外环面设置有进药口，进药口一侧下方设置有出药口，装置主体底端设置有底座，装置主体上端设置有电机，电机下方设置有轴承，轴承内侧设置有转轴，转轴外环面设置有螺旋盘，螺旋盘下方设置有搅拌杆，搅拌杆外环面设置有副杆，装置主体内壁设置有加热管，装置主体外表面设置有保温层，观察窗一侧设置有温控器，本实用新型通过设置电机、转轴、螺旋盘和搅拌杆，利用电机带动转轴旋转，然后利用转轴外环面设置的螺旋盘和搅拌杆的配合，可以对中成药进行搅动，从而提高杀菌效果。
多功能中成药灭菌装置

[发明专利]一种碘化银量子点：钙钛矿共混层、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件-CN201611247029.5有效
发明人：郑直;刘松子;雷岩;路凯;齐瑞娟;董佩哲;陈璐 -专利权人：许昌学院
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种碘化银量子点：钙钛矿共混层、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。碘化银量子点：钙钛矿共混层，其特征在于：AgI以量子点形式分布在碘化银量子点：钙钛矿共混层中。其原位制备方法包括以下步骤：沉积银薄膜；制备碘化银：将碘与沉积好的银薄膜反应，原位制备碘化银薄膜；制备钙钛矿：在得到的碘化银薄膜上原位旋涂制备钙钛矿薄膜并通过退火处理得到碘化银量子点：钙钛矿共混层。本发明提供的钙钛矿材料即碘化银量子点：钙钛矿共混层中AgI起到了空穴传输和电子阻挡的作用，由此组装的太阳能电池器件不用单独设置空穴传输层，能有效降低成本和能耗，由其组装的太阳能电池器件的光电转换效率最高可达11.37％。
一种碘化银量子钙钛矿共混层原位制备方法空穴传输太阳能电池器件

[发明专利]一种铜银元素比例可调的碘铜银三元化合物薄膜材料及常温原位控制合成方法-CN201710867656.7有效
发明人：郑直;董佩哲;雷岩;贾祖孝;宋皓;陈璐;刘松子 -专利权人：许昌学院
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜银元素比例可调的碘铜银三元化合物薄膜材料及其制备方法。碘铜银三元化合物薄膜材料为薄膜状，厚度100‑500nm，所述碘铜银三元化合物分子式为CuxAg1‑xI，其中x＝0.1‑0.9。其制备方法如下：采用磁控溅射方法在基底材料表面溅射一层单质铜，再溅射一层单质银，然后将溅射有铜银的样品置于密封容器中，密封容器中另外放置有碘粒，室温下反应得到碘铜银三元化合物薄膜材料。本发明提供的碘铜银三元化合物薄膜材料为薄膜状，铜银元素比例在1：9‑9：1范围内可调，可调控得到不同光学禁带宽度(2.7‑3.0eV)的膜材料；其在常温条件下采用元素直接反应的方法合成，操作简单，反应迅速，制备过程绿色环保、耗能低。
一种银元比例可调碘铜银三元化合物薄膜材料常温原位控制合成方法

[发明专利]铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件-CN201611249908.1有效
发明人：郑直;路凯;雷岩;齐瑞娟;刘江;杨晓刚;赵超亮;刘松子;宋皓 -专利权人：许昌学院
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。
掺杂钙钛矿薄膜原位制备方法空穴传输太阳能电池器件

[发明专利]基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH₃NH₃PbBr₃薄膜材料的化学方法-CN201510084504.0有效
发明人：郑直;贺迎迎;雷岩;程佳美;贾会敏;何伟伟;法文君;刘松子 -专利权人：许昌学院
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C23C22/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法。它是在基底表面获得铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含溴化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbBr3薄膜材料。该方法操作简单，无需旋涂过程，可大面积制备得到CH3NH3PbBr3薄膜，有效解决大尺寸器件制作问题；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。
基于单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型 ch sub nh pbbr 材料化学方法

[发明专利]常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法-CN201310121142.9有效
发明人：郑直;雷岩;范丽波;刘松子;贾会敏;程佳美 -专利权人：许昌学院
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法，将表面溅射有单质金属铜和单质金属银的基底材料，或者铜银合金箔片材料，倾斜、竖直或水平置于含有单质硫粉与无水乙醇的容器中，避免与硫粉直接接触，并保证这些基底材料浸泡于有机溶剂液面以下，在18-40oC的温度范围内反应25分钟~12小时。反应过程中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，反应完成后在基底材料表面原位制得灰黑色硫铜银三元化合物光电薄膜半导体材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可。该方法能耗低，反应容器简单，所用溶剂可重复利用，无需使用表面活性剂和其它化学添加剂，产物后处理简单，具有很强的工业应用前景。
常温原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料化学方法