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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]语音合成方法、装置、设备及存储介质-CN202211563171.6在审
发明人：方昕;刘聪;刘晨宁;章子睿;吴明辉 -专利权人：科大讯飞股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G10L13/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种语音合成方法、装置、设备及存储介质，本申请支持用户输入待合成语音的虚拟音色描述信息，该虚拟音色描述信息包括从至少一个音色维度对待合成语音的音色的描述信息，在此基础上，本申请基于虚拟音色描述信息中包含的各音色维度的描述信息进行音色编码，得到与虚拟音色描述信息匹配的虚拟音色编码特征，进而采用声学模型，基于待合成文本及虚拟音色编码特征进行语音合成，得到最终的合成语音。按照本申请的语音合成方案，用户可以根据自己的喜好定义音色描述信息，并最终生成符合用户定义的音色的合成语音，使得合成语音更加个性化、更加有亲近感，也满足了用户在不同场景下对合成语音的音色的个性化需求。
语音合成方法装置设备存储介质

[发明专利]一种语音生成方法、装置、设备及存储介质-CN202210867412.X在审
发明人：方昕;章子睿;刘晨宁 -专利权人：科大讯飞股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：本申请提出一种语音生成方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：根据录音文本以及目标语音情感效果，生成录音情感引导信息；输出所述录音情感引导信息，以便目标发音人在所述录音情感引导信息的引导下朗读所述录音文本；采集所述目标发音人对所述录音文本的朗读语音，得到与所述录音文本对应的语音数据。该方法一方面能够为发音人发音提供便利，即可以自动生成录音情感引导信息，方便发音人明确应当如何调整发音情感，另一方面能够生成各种情感的语音数据，这些语音数据可以作为语音素材用于合成具有感情色彩的语音，能够提高语音合成效果，进而有利于改善基于语音的人机交互效果。
一种语音生成方法装置设备存储介质

[发明专利]一种停顿位置预测方法、语音合成方法及相关设备-CN202111339548.5在审
发明人：祖漪清;朱荣华;刘晨宁;陆晨;邵鹏飞 -专利权人：科大讯飞股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G10L13/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种停顿位置预测方法、语音合成方法及相关设备，其中，停顿位置预测方法包括：获取目标文本；基于预先建立的第一词典，对目标文本进行分词，获得目标文本的分词结果，其中，第一词典中包括若干第一基本语言单元和若干第二基本语言单元，第一基本语言单元为发生连读的多个文法词组成的文法词串，第二基本语言单元为不与其他文法词发生连读的单个文法词；根据目标文本的分词结果，预测目标文本的停顿位置。经由本申请提供的停顿位置预测方法可预测出较为合理的停顿位置，根据采用本申请提供的停顿位置预测方法针对目标文本预测的停顿位置进行语音合成，能够获得效果较好的合成语音。
一种停顿位置预测方法语音合成相关设备

[发明专利]一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法-CN202111228021.5在审
发明人：刘川;高立朝;黄凯荣;刘晨宁 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法，阵列通过近场光刻技术来产生超越光刻机光刻极限的图案，只用普通光刻即可实现亚微米级的导电沟道，由于沟道垂直于衬底，源漏极处在垂直的位置，所以在进一步缩小器件尺寸时，可忽略短沟道效应的影响，这对显示行业的而言无疑是有中大意义的，该垂直晶体管可用于驱动显示面板位线可直接在漏极之下，像素点可直连源极用于实现高分辨率的显示屏幕。本方案验证了垂直晶体管驱动忆阻器阵列的制备可行性，确保亚微米沟道的整齐排列，提高了小尺寸垂直晶体管的一致性。在存储器方面，忆阻器具有更简易的制作方法、更低的成本、更快的读取速度、更久的稳定性。
一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法

[发明专利]一种在打印钙钛矿膜过程中的基底修饰方法及其应用-CN202111016379.1在审
发明人：刘川;柯伟铭;刘晨宁;张庚辉 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于打印技术领域，公开了一种在打印钙钛矿膜过程中的基底修饰方法及其应用。该在打印钙钛矿膜过程中的基底修饰方法，包括以下步骤：取聚烯酸酯和有机溶剂，混合，制得聚烯酸酯溶液，所述聚烯酸酯溶液的浓度小于12mg/mL，然后将聚烯酸酯溶液旋涂在基底表面。通过对基底，例如Si或SiO2基底，采用低浓度聚烯酸酯溶液，例如PMMA溶液，浓度小于12mg/mL，优选5mg/mL，进行修饰，使得在修饰后的基底上打印钙钛矿膜，钙钛矿膜边界清楚、均匀，进一步的，且钙钛矿膜的致密性和覆盖程度良好。
一种打印钙钛矿膜过程中的基底修饰方法及其应用

[发明专利]基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法-CN202110342370.3在审
发明人：刘川;高立朝;陈国苇;黄凯荣;刘晨宁 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，该方法将沉积在衬底上的栅极金属图案化，再在衬底及栅极上沉积一层半导体材料并图案化，在有源层上沉积源漏极金属层，使用银墨水选通需要的电路各元件；采用该方法的电路易于制备、低成本、可放大微弱信号、电路可变性强、电路透明等优势，由于电路每个器件可选择，同面包板电路一样，故可以极大的降低电路成本，增大电路可变性。
基于 tft 中心频率可调放大电路制作方法

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