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[发明专利]复合材料与镜头组-CN202310081889.X在审
发明人： 刘弘仁;高信敬;何柏贤 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本公开提供一种复合材料，包括：(a1)第一聚酰胺，经C10‑12的二胺与对苯二甲酸或其酯类聚合而成，或者(a2)第二聚酰胺，经C8‑12的二胺、对苯二甲酸或其酯类、与4‑胺基烷基苯甲酸或其酯类聚合而成；以及(b)片状材料，其展弦比为40至80。上述复合材料可用于镜头组的镜座与镜筒中的至少一者。
复合材料镜头

[发明专利]共聚物与其形成方法-CN202110337051.3有效
发明人：王惠民;陈俊智;刘弘仁;高信敬 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08G69/36 文献下载
摘要：共聚物的形成方法包括：取与反应形成盐类，取x摩尔份的盐类与y摩尔份的反应形成共聚物其中m＝4‑10，n是4‑6，以及x:y＝1:9至4:6。共聚物的相对粘度可为1.5至4.0。
共聚物与其形成方法

[发明专利]聚酰胺组合物及薄膜与其形成方法-CN201910067454.3有效
发明人：吴志宏;吕铭聪;张胜隆;刘弘仁;萧柏龄;黎彦成;张义和 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：一种薄膜的形成方法，包括：提供聚酰胺组合物的片材；以及双轴拉伸聚酰胺组合物的片材，以形成薄膜，其中聚酰胺组合物包括：第一聚酰胺与第二聚酰胺的混合物，其中第一聚酰胺具有重复单元(a)其中第二聚酰胺具有重复单元(b1)与(b2)且第二聚酰胺为结晶型无规共聚物；其中双轴拉伸该聚酰胺组合物的片材的速率介于20mm/sec至100mm/sec之间。
聚酰胺组合薄膜与其形成方法

[发明专利]混掺物与其制造方法-CN201811208802.6在审
发明人：李淑真;黄承钧;刘弘仁;张光伟 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本揭露涉及一种混掺物及其制造方法。本发明提供的混掺物，包括：50至99重量份的聚对苯二甲酸乙二酯；以及1至50重量份的改质聚呋喃二甲酸乙二酯。改质聚呋喃二甲酸乙二酯是由二酸、二酸的酯化物、或上述的组合与多元醇共聚而成。二酸、二酸的酯化物、或上述的组合包含(1)呋喃二甲酸、呋喃二甲酸酯化物、或上述的组合或(2)呋喃二甲酸、呋喃二甲酸酯化物、或上述的组合与螺环二酸。多元醇包含(3)C₂‑C₁₄的多元醇或(4)C₂‑C₁₄的多元醇与螺环二醇。本发明通过以适量螺环二醇、螺环二酸、或上述的组合改质PEF，再将其与适量的PET进行混掺，如此形成的薄膜具有低的氧气渗透率，可低于纯PET或PET与PEF(未改质)的混掺物形成的薄膜的氧气渗透率。
二酸呋喃二甲酸多元醇混掺物改质螺环呋喃二甲酸酯化物氧气渗透率乙二酯重量份酯化物二醇薄膜聚对苯二甲酸乙二酯共聚制造

[发明专利]液晶高分子复合膜-CN201510429147.7有效
发明人：邱茂源;龚丹诚;蔡昂达;刘弘仁;蔡旻霏;钟立涵 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种液晶高分子复合膜。该液晶高分子复合膜包括88～99％重量百分比的液晶高分子以及1～12％重量百分比的增韧剂。该增韧剂包括一共聚物，共聚物选自由热塑性聚烯弹性体(thermoplastic polyolefin elastomer)、甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物(glycidyl methacrylate copolymer)、聚苯乙烯弹性体(styrene‑based thermoplastic elastomers)及聚酯弹性体(polyester elastomer)所组成的群组，其中聚苯乙烯弹性体及聚酯弹性体各具有一软段和一硬段，硬段具有至少一芳香环。
液晶高分子复合膜聚苯乙烯弹性体聚酯弹性体重量百分比共聚物增韧剂硬段甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物芳香环热塑性聚烯群组软段自由

[发明专利]四分之一节距图案的形成方法-CN201310120628.0有效
发明人： 刘弘仁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种四分之一节距图案的形成方法。首先形成两个光阻层，再定义上光阻层为多个第一图案。接着在下光阻层及第一图案上形成附着层，其包含或可产生使光阻材料可溶解于显影液的反应性物质。接着使反应性物质扩散进入各第一图案的部分及第一图案之间的下光阻层的部分中，并使反应性物质与其反应。接着移除附着层，再显影移除第一图案的上述部分及下光阻层的上述部分，并将下光阻层图案化为多个第二图案。接着在剩余的第一图案及第二图案的侧壁上形成多个间隙壁，之后移除剩余的第一图案，再以第二图案上的间隙壁为罩幕移除部分的第二图案。
分之一节图案形成方法

[发明专利]双重图案化的方法-CN201310198556.1有效
发明人：李镇玮;刘弘仁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种双重图案化的方法。首先，提供基底，此基底包括第一区及第二区。接着，在基底上形成目标层。然后，在目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层，此第一图案化的光致抗蚀剂层在第一区具有多个开口，并且在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层至少有一部分的厚度小于在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的厚度。之后，在第一开口之中以及第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。本发明提供的双重图案化的方法仅利用一道光罩工艺即可在基底的第一区及第二区上形成具有不同厚度的第一图案化的光致抗蚀剂层，此举使得第二光致抗蚀剂层在整个第一区上具有均匀的厚度，以得到良好的曝光显影环境。
双重图案方法

[发明专利]图案转移的方法-CN200710091904.X无效
发明人： 刘弘仁;江宸谷 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一图案转移的方法，其包括于基底上形成第一图案化掩模层，包含电路图案以及多个虚构图案。然后于基底上形成第二图案化掩模层，其暴露出第一图案化掩模层的该电路图案，接着利用第一图案化掩模层当作掩模而移除暴露出的部分基底，以将该电路图案转移至该基底上。
图案转移方法

[发明专利]半导体结构形成的方法-CN200710002191.5有效
发明人： 刘弘仁;谢维贤;叶章和 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体结构形成的方法，包括：提供一基板；形成一第一下掩模层于基板上；形成一第一图案化掩模于第一下掩模层上，以界定一第三图案化掩模的一部分；形成一第二下掩模层于第一下掩模层上方且覆盖第一图案化掩模；形成一第二图案化掩模于第二下掩模层上，且第二图案化掩模与第一图案化掩模无重叠，以界定第三图案化掩模的另一部分；以第一图案化掩模及第二图案化掩模为掩模下切蚀刻第一下掩模层与第二下掩模层，以形成第三图案化掩模；以第三图案化掩模为掩模蚀刻基板，以形成多个岛；以及移除第三图案化掩模。
半导体结构形成方法

[发明专利]显影液组成物-CN200510052183.2无效
发明人：陈启盛;刘弘仁;郑孟勋 -专利权人：明德国际仓储贸易（上海）有限公司
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明有关于一种显影液组成物，其包括：(a)碱金属碳酸盐；(b)碱金属碳酸氢盐；(c) 右述式(I)所示非离子性界面活性剂，其中，k、n及m定义如说明书中所示；以及(d) 上述式(II)所示非离子性界面活性剂，其中，p、q定义如说明书中所示；其中相对100重量份水而言，上述(a)成分为0.1～10重量份，上述(b)成分为0.1～10重量份，上述(c)成分为0.1～20重量份，且上述(d)成分为0.1～20重量份者。本发明亦有关于显影液。
显影液组成

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