专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种使用半监督信息进行聚类的回归测试用例选择方法-CN201110003162.7无效
  • 陈振宇;陈松宇;冯洋;赵志宏;徐宝文 - 南京大学
  • 2011-01-07 - 2011-05-18 - G06F11/36
  • 一种使用半监督信息进行聚类的回归测试用例选择方法,记录测试用例的执行覆盖信息,生成函数执行剖面,以量化形式表示测试用例;通过对历史测试结果的分析,获得测试用例之间的约束关系并应用半监督聚类算法分析测试用例,了解它们执行情况的异同,理解程序行为及测试用例之间的联系,在回归测试阶段有效降低测试用例数量并保持足够高的错误检测能力。本发明基于数据挖掘技术,通过测试用例所展现出的程序行为的内在联系来理解程序,使得测试用例的选择变得更加容易和自动化,从而可以更有效的使用这些测试用例进行回归测试,提高了测试用例选择的精确度,提高了回归测试的效率。
  • 一种使用监督信息进行回归测试选择方法
  • [发明专利]一种异质p-n结纳米线阵列及其制备方法和应用-CN200710027353.0有效
  • 杨国伟;冯洋 - 中山大学
  • 2007-03-30 - 2007-09-05 - H01L29/38
  • 本发明公开了一种在高温高压环境中利用脉冲激光沉积技术制备异质p-n结纳米线阵列及其制备方法。该阵列中每根纳米线均由直径均匀的n型半导体材料纳米线和p型另一种半导体材料纳米线两截组成,两截不同半导体材料的纳米线长度相等,且直径均匀相等,两者形成p-n结,界面形成一个p-n结空间电荷区。本发明还公开了异质p-n结纳米线阵列在二极管和三极管等半导体电子器件领域中的应用。本发明合成工艺简单,对温度和真空度的要求不高,所用激光也是在长波段,反应时间短,材料沉积过程速度快,受其他外界因素影响较小,可达到严格的化学计量配比,有利于工业化集成化大批量生产。
  • 一种纳米阵列及其制备方法应用

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