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[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201680055494.0有效
发明人：朝田耕司;冈部德太郎 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体发光元件具备n侧层、p侧层和活性层，所述活性层设置于所述n侧层与所述p侧层之间，且具有阱层及势垒层，所述阱层包含Al、Ga和N，所述势垒层包含Al、Ga和N且Al的含量大于所述阱层；在活性层与p侧层之间具有电子阻挡结构层，电子阻挡结构层具有：第1电子阻挡层，其带隙大于势垒层；第2电子阻挡层，其设置于p侧层与第1电子阻挡层之间，具有大于势垒层且小于第1电子阻挡层的带隙；以及中间层，其设置于第1电子阻挡层与第2电子阻挡层之间，且带隙小于第2电子阻挡层。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201910193342.2在审
发明人：宫本佳典;冈部德太郎;鹿儿岛优也;东谷圭介;尾崎千明 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高生产率的半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：准备具有上表面且含有蓝宝石的晶片的工序，所述晶片的所述上表面包括：第1区域；和第2区域，以包围所述第1区域的方式设置，所述第2区域设置在比所述第1区域高2μm以上或者低2μm以上的位置；以及在所述上表面形成具有含Al层的半导体层的工序，所述含Al层包含Al_zGa_1‑zN(0.03≤z≤0.15)。
半导体装置上表面晶片制造蓝宝石半导体层方式设置区域设置包围