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[发明专利]光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备-CN202310457124.1在审
发明人：小平新志;冈部刚士;世森光裕;远藤信之;手塚智之;庄山敏弘;岩田纯 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
光电转换装置及其制造方法包括设备

[发明专利]半导体装置和设备-CN201810747768.3有效
发明人：世森光裕;冈部刚士;柿沼伸明;冈川崇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。
半导体装置设备

[发明专利]光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备-CN201810757489.5有效
发明人：小平新志;冈部刚士;世森光裕;远藤信之;手塚智之;庄山敏弘;岩田纯 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
光电转换装置及其制造方法包括设备

[发明专利]成像装置、成像系统和可移动物体-CN201710497532.4有效
发明人：加藤太朗;冲田彰;冈部刚士;大屋武;浅野功辅;岩田公一郎;酒井诚一郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了成像装置、成像系统和可移动物体。成像装置包括其中布置有各自包括光电转换器的多个像素的像素区域，该像素区域包括有效像素区域、覆盖有遮光膜的光学黑区域，以及布置在有效像素区域与光学黑区域之间的哑元像素区域。所述多个像素中布置在至少有效像素区域和光学黑区域中的像素各自包括布置在光电转换器上方的光波导。包括光波导的像素被布置在有效像素区域与光学黑区域之间以便彼此间隔开至少一个像素的节距。
成像装置系统移动物体

[发明专利]光电转换装置和包括光电转换装置的装备-CN201910985723.4在审
发明人：小川俊之;铃木翔;冈部刚士;世森光裕;铃木幸伸;河野章宏;丹下勉 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及光电转换装置和包括光电转换装置的装备。光电转换装置包括：半导体层，其中在受光区域中布置有第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有第二光电转换器；遮光壁，布置在半导体层上方并限定分别与第一光电转换器对应的孔；以及遮光膜，布置在半导体层上方。遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖第二光电转换器的第一部分。第一部分具有下表面和上表面。遮光壁包括第二部分，其与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离。第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。
光电转换装置包括装备

[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统-CN201510549978.8有效
发明人： 冈部刚士;铃木健太郎;碓井崇;加藤太朗;下津佐峰生;滝本俊介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
固态图像拾取装置制造方法系统

[发明专利]制造光电转换装置的方法-CN201310042689.X有效
发明人： 冈部刚士;成濑裕章;三岛隆一;桥本浩平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
制造光电转换装置方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210028244.1有效
发明人：沢田义治;铃木翔;冈部刚士;板桥政次;碓井崇;岩田旬史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210027892.5有效
发明人：铃木健太郎;冈部刚士;佐野博晃;岩田旬史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件制造方法。层间绝缘膜被设置在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域上方。在层间绝缘膜中在覆盖光电转换部的位置形成开口。在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域的上方形成波导构件。波导构件的设置在外围区域上方的部分被去除以使层间绝缘膜暴露。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置制造方法-CN201210027895.9无效
发明人：铃木翔;冈部刚士;板桥政次 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了半导体装置制造方法。从上方观察，第一波导构件形成在半导体基板的图像拾取区域和外围区域中。第一波导构件的位于外围区域中的部分被去除。然后执行平坦化步骤以平坦化第一波导构件的与半导体基板相反的一侧的表面。
半导体装置制造方法

[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统-CN201210027929.4无效
发明人： 冈部刚士;铃木健太郎;碓井崇;加藤太朗;下津佐峰生;滝本俊介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
固态图像拾取装置制造方法系统

[发明专利]制造光电转换装置的方法-CN201010213279.3有效
发明人： 冈部刚士;成濑裕章;三岛隆一;桥本浩平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
制造光电转换装置方法

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