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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和设备-CN201810747768.3有效
发明人：世森光裕;冈部刚士;柿沼伸明;冈川崇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。
半导体装置设备

[发明专利]光电转换设备和装置-CN201810165284.8有效
发明人：河野章宏;中川善之;石冈真男;冈川崇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。
光电转换设备装置

[发明专利]光电转换装置和图像拾取系统-CN201711018487.6有效
发明人：西村优;铃木翔;松野靖司;大贯裕介;小林昌弘;冈川崇;中川善之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开内容涉及光电转换装置和图像拾取系统。一种光电转换装置包括多个单元，每个单元包括设置在半导体层中的电荷产生区。所述多个单元中的第一单元和第二单元均包括电荷储存区、电介质区以及第一遮光层，电荷储存区被配置为储存从电荷产生区传输到其的电荷，电介质区位于电荷产生区的上方并且被绝缘体层围绕，第一遮光层覆盖电荷储存区，位于绝缘体层和半导体层之间，并且第一遮光层具有位于电荷产生区上方的开口。第一单元的电荷产生区能够通过第一遮光层的开口接收光。第二单元的电荷产生区被第二遮光层覆盖。
光电转换装置图像拾取系统

[发明专利]固态成像设备、成像系统和用于制造固态成像设备的方法-CN201711118602.7有效
发明人：铃木翔;铃木健太郎;冈川崇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像设备、成像系统和用于制造固态成像设备的方法。该固态成像设备包括：遮光层，部署在像素区域和外围区域中并且在外围区域中的接触部分处电连接到基板，其中像素区域包含像素，像素包括光电转换元件和电荷保持部分，并且来自像素的信号在外围区域中被处理；第一绝缘层，在平面图中具有在电荷保持部分和接触部分之间的侧表面，并且部署在基板和遮光层之间；以及第一绝缘构件，部署在第一绝缘层的端部的侧表面上并且缓冲由于该端部引起的台阶。在平面图中遮光层的与第一绝缘构件重叠的部分的上表面的形状遵循第一绝缘构件的形状。
固态成像设备系统用于制造方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201110042341.1无效
发明人：成濑裕章;冈川崇;三岛隆一;佐藤信彦;让原浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，布置在基板中；多层配线结构，包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括：形成MOS晶体管的栅极和有源区；在基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜以形成第一插头，以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，以电连接至任一有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。
光电转换装置制造方法

[发明专利]光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统-CN200810080875.1有效
发明人：成濑裕章;冈川崇;三岛隆一;佐藤信彦;让原浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。
光电转换装置使用图像拾取系统

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN200710148317.X有效
发明人： 冈川崇;成濑裕章;让原浩;西村茂;青木武志;藤野优也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。
光电转换装置制造方法

[发明专利]起偏器、投影透镜系统、曝光装置及曝光方法-CN200410062874.6无效
发明人：山田哲也;上野敦史;冈川崇 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-07-02 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：透过起偏器(21)的偏振光的振幅方向相对于位置(D)成同心圆状。位置(D)与光瞳面的中心一致地配置起偏器(21)。由起偏器(21)变换成偏振光的照明光的光束，相对于光轴形成同心圆状的偏光面而会聚于晶片上。因此，照明光以S偏振光入射到光刻胶。由此，透过光刻胶的光量不易依赖入射角。从而，提高了在光刻胶中形成的光学像的对比度，并改善了析像特性。
起偏器投影透镜系统曝光装置方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03102958.2无效
发明人：山田哲也;上野敦史;辻田好一郎;山口敦美;冈川崇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-01-21 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。
半导体装置及其制造方法

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