“内田祐介”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]信息处理设备、方法和计算机可读存储介质-CN201780082089.2有效
发明人： 内田祐介;酒泽茂之 -专利权人：凯迪迪爱通信技术有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F21/16 文献下载
摘要：提供了一种用于将水印比特嵌入第一神经网络的权重的信息处理方法，该方法包括：通过将从第一神经网络的多个权重获得的多个输入值输入到第二神经网络来获得第二神经网络的输出；基于第二神经网络的输出和水印比特之间的误差来获得各多个输入值的第二梯度；以及基于通过将已基于反向传播获得的第一神经网络的权重的第一梯度与各第二梯度相加而获得的值来更新权重。
信息处理设备方法计算机可读存储介质

[发明专利]信息处理方法、信息处理装置、计算机可读存储介质-CN201780082338.8在审
发明人： 内田祐介;酒泽茂之;永井有希 -专利权人：凯迪迪爱通信技术有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G06N3/02 文献下载
摘要：一种信息处理方法，包括：从两个神经网络的模型的每一个模型中，读取层结构和层参数；对于所述两个神经网络的模型，从输入层开始顺序地，通过使用宽度优先搜索或深度优先搜索，比较在对应的隐藏层中被构造成图状形式的层，基于对应的层之间的相似度来确定所述两个神经网络的模型之间的匹配度。
神经网络信息处理计算机可读存储介质宽度优先搜索深度优先搜索信息处理装置读取层匹配度输入层相似度隐藏层

[发明专利]数据通信系统、数据发射装置、数据发射方法、数据接收装置、及数据接收方法-CN200780033090.2有效
发明人：板仓英三郎;砂原星;高桥丰;笠原正治;增山博之;内田祐介 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H04L1/18 文献下载
摘要：分组接收终端(210)中的探测发射部件(216)以固定间隔向第二无线电信道(320)发送探测分组。分组发送终端(110)中的探测分析部件(117)基于探测分组的接收状态检测突发丢失。当突发丢失被检测到时，预测性重传控制部件(118)预测出在从优先级处理传输缓冲器(115)发送至第一无线电信道(310)的数据分组之中、在检测出的突发丢失的时段期间传输的数据分组是在接收侧丢失的数据分组，从重传缓冲器(114)读取该数据分组，然后将该数据分组发送至优先级处理传输缓冲器(115)。在克服了无线电环境中的分组丢失的同时，可以确保实时特性。
数据通信系统数据发射装置方法接收

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和显示装置-CN200810178050.3有效
发明人：小田耕治;中川直纪;大野岳;内田祐介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供良好地保持特性并且可靠性较高的薄膜晶体管及其制造方法和搭载了该薄膜晶体管的显示装置。本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法具备在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)的工序，栅极绝缘膜(3)至少具备与氢化非晶硅膜(4)接触的第一区域(11)和与该第一区域(11)相比位于下层的第二区域(12)，第一区域(11)以及第二区域(12)使用由NH₃、N₂、SiH₄构成的原料气体、和H₂或由H₂与He构成的气体形成，对于第一区域(11)来说，使NH₃和SiH₄的流量比(NH₃/SiH₄)为11以上且14以下进行成膜，对于第二区域(12)来说，使NH₃和SiH₄的流量比(NH₃/SiH₄)为4以下进行成膜。
薄膜晶体管及其制造方法显示装置

[发明专利]光传感器以及光传感器的制造方法-CN200810185585.3无效
发明人：林正美;内田祐介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及光传感器以及光传感器的制造方法。在考虑了与非晶硅的粘合性后，防止源电极和漏电极的断线。本发明的光传感器具有TFT阵列衬底，该TFT阵列衬底具有阵列状配置有薄膜晶体管(101)的元件区域(102)，具有设置在薄膜晶体管(101)的上部并形成有接触孔(CH1)的钝化膜(8)和通过接触孔(CH1)与薄膜晶体管(101)的漏电极(7)连接的光电二极管(100)，在TFT阵列衬底的元件区域的外侧的周边区域(103)，钝化膜(8)和栅极绝缘膜(3)被除去，周边区域(103)的钝化膜(8)的边缘形成在与周边区域的栅极绝缘膜(3)的边缘相同的位置或者栅极绝缘膜(3)的边缘的外侧。
传感器以及制造方法

[发明专利]液晶显示装置-CN200610068241.5无效
发明人：中堀正树;内田祐介;长山显祐;石贺展昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明的目的在于：提供一种液晶显示装置，即使使用预定的蚀刻剂，按预定的形状图形化非晶质的导电性膜，形成保护绝缘膜使之覆盖该图形化了的导电性膜，也能够防止该保护绝缘膜的异常生长。本发明的一个例子的液晶显示装置，在上面形成有薄膜晶体管的玻璃基板1与在上面形成有对置电极的滤色基板16之间，密封液晶。而且，像素电极10与薄膜晶体管的漏电极连接。此外，通过具有透明性的保护绝缘膜13覆盖像素电极10。该像素电极10具有包含In与Zn的氧化化合物。
液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200410059045.2无效
发明人： 内田祐介;寺元弘;须贺原和之;竹口徹 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。
薄膜晶体管及其制造方法