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[发明专利]包括栅极结构和分隔结构的半导体器件-CN202010449839.9在审
发明人： 全庸淏;姜世求;裵根熙;李东锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种包括栅极结构和分隔结构的半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源区和第二有源区；绝缘层，位于第一有源区与第二有源区之间；第一栅极结构，位于第一有源区和绝缘层上，第一栅极结构在绝缘层上具有第一端部；第二栅极结构，位于第二有源区和绝缘层上，第二栅极结构具有在第一方向上面对第一端部的第二端部，第二端部位于绝缘层上；以及分隔结构，位于第一端部与第二端部之间并且延伸到绝缘层中。分隔结构包括下部、中间部分和上部，中间部分在第一方向上的最大宽度大于下部在第一方向上的最大宽度，并且中间部分在第一方向上的最大宽度大于上部在第一方向上的最大宽度。
包括栅极结构分隔半导体器件

[发明专利]具有栅极隔离层的半导体器件及其制造方法-CN201910249427.8在审
发明人： 全庸淏;金廷炫;明成禹;吴怜默;李东锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。半导体器件包括从衬底突出的沟道区。半导体器件包括沟道区上的栅极线。此外，半导体器件包括位于栅极线的第一部分和栅极线的第二部分之间的栅极隔离层。栅极隔离层与栅极线接触并且包括在栅极隔离层中的间隙。还提供了制造半导体器件的相关方法。
半导体器件栅极线栅极隔离层沟道区衬底制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910119597.4在审
发明人： 全庸淏;朴钟撤;明成禹;金廷炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，在第一方向上彼此间隔开并在基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；层间绝缘层，覆盖在第一栅极结构和第二栅极结构周围；以及栅极间切割层，在第一方向上穿过第一栅极结构和第二栅极结构以及层间绝缘层，该栅极间切割层包括绝缘材料，其中第一栅极结构和第二栅极结构由栅极间切割层切割，其中在切割第一栅极结构和第二栅极结构的区域处的栅极间切割层的底表面的水平面低于层间绝缘层中的栅极间切割层的底表面的水平面。
栅极结构切割层层间绝缘层半导体器件源区域基板切割绝缘材料延伸穿过覆盖制造

[发明专利]包括自对准接触的半导体器件及其制造方法-CN201910071670.5在审
发明人：裴根熙;康诚右;权奇相;李东锡;李相炫;李正允;全庸淏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。
栅电极侧壁半导体器件导电接触顶表面间隔物蚀刻停止层介电常数氧化硅衬底图案产品可靠性自对准接触表面延伸低k材料覆盖填充制造改进

[发明专利]集成电路装置及其形成方法-CN201811058096.1在审
发明人：朴宰贤;白桂铉;全庸淏;金哲;朴星一;李允逸;李炯锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路装置及其形成方法。所述集成电路(IC)装置包括：在衬底上沿着第一方向彼此相邻的第一区域和第二区域；在所述第一区域和所述第二区域中的每一个中沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的鳍图案；沿着所述第一方向延伸并且与所述鳍图案相交的栅电极；以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的隔离区域，所述隔离区域的底部相对于所述衬底的底部具有不均一的高度。
第二区域第一区域集成电路装置方向延伸隔离区域衬底图案方向垂直栅电极均一集成电路相交