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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种高密度3D闪存两步编程方法-CN202310832631.9在审
发明人：李乔;党红洋;高聪明;张一鸣;吴荣鑫;沈志荣;舒继武 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-07-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种高密度3D闪存两步编程方法，涉及闪存编程优化的技术领域，其包括S1：在3D QLC闪存的第二步编程中，识别待编程字线中已经被无效的页面；S2：确定无效页面数量与无效页面类型，即属于LSB、MSB、CSB、TSB中的哪种页面；S3：根据页面类型，结合存储元存储数据所属的电压状态，对数据进行重新编码，修改待编程字线的目标电压状态；S4：执行第二步编程。本申请能够降低有效页的出错，提高闪存数据的可靠性，提升编程效率，降低编程能耗，更加完善了两步编程技术。
一种高密度闪存编程方法

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共 1 条

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