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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980050065.8有效
发明人：铃木悠介;守屋刚;光成正;岩下伸也;森贞佳纪;野吕尚孝;加贺谷宗仁;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202180032421.0在审
发明人：藤田成树;光成正;菊地贵伦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。
方法装置

[发明专利]温度测量用基板以及温度测量系统-CN201780002554.7有效
发明人： 光成正;田中谕志;守屋刚;松田俊也;宫川正章;岩崎贤也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明提供温度测量用基板以及温度测量系统，温度测量用基板具备：基板，其为半导体晶片或者平板显示器用基板的任一个；和至少一根光纤，其敷设于所述基板的表面，具有第一图案部、和比所述第一图案部更密地形成的第二图案部。
温度测量用基板以及系统

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201711284172.6有效
发明人：铃木步太;山本康介;松崎和爱;加贺谷宗仁;守屋刚;光成正;久保敦史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
装置方法

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共 4 条

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