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[外观设计]统计表展示板-CN202330111207.6有效
发明人：薛宇航;侯潇涵;程宇昊;王昱;曹柳洲 -专利权人：薛宇航
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： 20-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：统计表展示板。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于纸质统计表张贴展示。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
统计表展示

[发明专利]一种半导体材料稳态X射线辐射感应电导率测试仪-CN202310411177.X在审
发明人：陈玉;钟辉;郝义;侯潇涵;李昌熹;岳东立;李志超;王双;成永红 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料稳态X射线辐射感应电导率测试仪，包括真空箱和与所述真空箱上连接设置的抽真空组件，所述真空箱包括设置有真空腔体的箱体和与所述箱体适配的盖板，所述真空箱外设置有X射线源，所述真空箱内可拆卸地设置有样品装夹单元；所述X射线源发射的X射线穿过开设在箱体底板上的真空窗口入射到样品装夹单元上；所述箱体的第一侧壁上开设有测试信号接口，所述测试信号接口的一端连接样品装夹单元，另一端连接信号处理模块；所述信号处理模块还与X射线源连接；所述信号处理模块采用范德堡法测量待测样品的X射线辐射感应电导率。本发明装置能够在一套设备中实现连续能谱和单能X射线辐射感应电导率测试的复用。
一种半导体材料稳态射线辐射感应电导率测试仪

[发明专利]一种介质材料稳态X射线辐射感应电导率测试仪-CN202310408767.7在审
发明人：陈玉;钟辉;岳东立;李志超;李昌熹;侯潇涵;郝义;王双;成永红 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质材料稳态X射线辐射感应电导率测试仪，包括真空箱，真空箱外部还安装有X射线源，真空箱内部还安装有样品装夹单元，X射线源能够照射到样品装夹单元；样品装夹单元与设置在真空箱外部的信号处理单元连接，信号处理单元还与X射线源连接；本发明的介质材料稳态X射线辐射感应电导率测试仪，能够很好的产生连续能量和单能X射线并对介质材料在X射线作用下的辐射感应电导率进行分析测试；在实现对半导体材料稳态X射线辐射感应电导率的测定的同时，还确保了装置具有良好的电磁屏蔽性能和X射线准直屏蔽性能，能够使X射线源出射的X射线仅照射到待测样品上，有效消除了X射线对信号处理模块的影响。
一种介质材料稳态射线辐射感应电导率测试仪

[发明专利]单晶三元正极材料及其制备方法和应用-CN202310677333.7在审
发明人：赵晓童;唐淼;侯潇涵;吕菲 -专利权人：天津巴莫科技有限责任公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请涉及锂电池技术领域，特别是涉及一种单晶三元正极材料及其制备方法和应用。单晶三元正极材料的制备方法包括：将第一过渡金属氧化物与三元正极材料前驱体及锂源混合后于含氧气氛下进行一次烧结，制得单晶三元正极材料；一次烧结条件：以1.8℃/min～2.8℃/min的升温速率升温至830℃～900℃，保温t1，再降至720℃～780℃，保温t2，t1：t2为(0.22～0.35)：1。上述制备方法制得的单晶三元正极材料具有较高的渗锂度和单晶化程度。
三元正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种金属材料紫外光电子产额谱仪-CN202310419198.6在审
发明人：陈玉;李昌熹;杨燕;李涵之;钟辉;侯潇涵;王双;成永红 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N23/2276 文献下载
摘要：本发明属于空间辐射特性测试技术领域，具体涉及一种金属材料紫外光电子发射产额谱仪。所公开的方案包括单色光发生系统、分光镜、光电倍增管、分析室、中心通孔式微通道板和光子计数器；单色光经分光镜作用分解为透射光和反射光，本发明的测试仪器中将紫外光分解为折射光及反射光两路光路，分光镜的反射光为参考光路，用于测量光通量；分光镜透射光用于测量光电子；能够有效地实现光子数及光电子数的同时测量，具有很强的实时性。
一种金属材料紫外光电子产额谱仪

[发明专利]一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构-CN202310084212.1在审
发明人：陈玉;王子怡;李昌熹;侯潇涵;钟辉;王双;成永红 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构，包括硅基底，在硅基底上有支撑层、吸收层、热电偶对、铝导线、铝电极和单晶硅材料结构。采用双层热电偶堆叠结构提高器件占空比，在保持一层结构尺寸不变的情况下可铺设更多的热电偶对，提高了探测器的响应率。采用圆形结构符合温度以吸收层中心点为圆心呈径向扩散向周围递减的分布趋势，达到热电偶对的热端能更接近温度较高区域且热电偶对热端温度更均匀一致，提高了探测器的响应率。实现了将远紫外紫外辐射源的辐射能量转化为输出温差电动势，通过建立傅里叶定律以及塞贝克效应的数学模型进行计算，从而测得远紫外紫外辐射源的热流量密度。
一种基于 mems 紫外探测器校准热电结构

[发明专利]一种膜界面调控的自动晶核筛选的方法和系统-CN201910215458.1在审
发明人：贺高红;李冠男;姜晓滨;侯潇涵;李清泉;史浩楠;肖武;李祥村;吴雪梅 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种膜界面调控的自动晶核筛选的方法和系统，属于晶体工程技术领域，所述系统为膜蒸馏‑结晶技术中利用膜的异相成核界面作用，在膜表面促发成核，通过对溶液粘度和进料流速的调控，使得不同粒度的晶体实现在膜表面的滑移、脱附进入结晶器，作为晶核进行晶体生长。晶核成批次在膜表面生长、脱附，实现晶种尺寸的自主筛选。这一方法和系统可以用于结晶控制工艺改进，实施相关理论和应用研究。
晶核膜表面膜界面筛选脱附调控理论和应用工艺改进结晶技术结晶控制界面作用进料流速晶体工程晶体生长溶液粘度异相成核结晶器膜蒸馏成核滑移晶种生长研究