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[发明专利]MgGa2-CN202010801451.0在审
发明人：刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明提供一种MgGa2O4紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长MgGa2O4薄膜；S2、在MgGa2O4薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的MgGa2O4紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备MgGa2O4薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的MgGa2O4薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含MgGa2O4薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
mgga base sub

[发明专利]ZnMgO紫外探测器及其制备方法-CN202010800909.0在审
发明人：刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnMgO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgO薄膜；S2、在ZnMgO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgO紫外探测器。与现有技术相比，本发明通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，混相结构的ZnMgO薄膜2能够同时满足高响应度和低暗电流，从而使ZnMgO紫外光电探测器具有更低的暗电流和更高的光响应速度。
znmgo 紫外探测器及其制备方法

[发明专利]ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法-CN202010800925.X在审
发明人：刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜；S2、在ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgGaO薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
znmggao 紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种ZnMgO紫外探测器及其制备方法-CN202010196508.9在审
发明人：刘可为;侯其超;陈星;张振中;李炳辉;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供了一种ZnMgO紫外探测器，所述ZnMgO紫外探测器包括衬底；复合在所述衬底上的ZnMgO薄膜层；复合在所述ZnMgO薄膜层上的叉指电极层；复合在所述叉指电极层的叉指电极表面上的聚合物层。本发明提供的具体特定结构的ZnMgO紫外探测器，通过各层之间的配合与顺序，充分发挥了ZnMgO薄膜层优势，使得本发明制备的ZnMgO紫外探测器具有较低的暗电流和良好的器件稳定性。而且本发明提供的制备方法，步骤简单，条件温和，重复性好，过程可控，有利于规模化推广和应用。
一种 znmgo 紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种稼酸镁薄膜的制备方法及稼酸镁薄膜-CN201911242799.4在审
发明人：刘可为;侯其超;陈星;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供的高性能混相MgGa2O4薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长MgGa2O4薄膜，通过生长温度、镁源、镓源和氧气流量的精确控制，实现了高质量MgGa2O4薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。
一种稼酸镁薄膜制备方法

[发明专利]一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法及ZnMgGaO四元合金薄膜-CN201911241719.3在审
发明人：刘可为;侯其超;陈星;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgGaO四元合金薄膜，通过生长温度、锌源、镁源、镓源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnMgGaO四元合金薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。
一种 znmggao 合金薄膜制备方法

[发明专利]一种高性能混相ZnMgO薄膜的制备方法及ZnMgO薄膜-CN201911241727.8在审
发明人：刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的高性能混相ZnMgO薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgO薄膜，通过生长温度、锌源、镁源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnMgO薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。
一种性能 znmgo 薄膜制备方法

[发明专利]一种耐高温传感用导电碳浆及其制备方法-CN201710194337.4在审
发明人：梁朦朦;王慰;李仲晓;侯其超;刘儒平;徐芬兰;颜燕 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01B1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高温传感用导电碳浆及其制备方法，属于传感材料领域。该导电碳浆原料的质量份组成为树脂15～45份，溶剂55～85份，纳米级填料1～8份，助剂0.5～8份，固化剂0.1～10份。首先将适量低熔点树脂与高沸点溶剂在100℃的温度下搅拌混合，至完全溶解；然后依次加入纳米级填料及各种助剂，最后加入固化剂，高速搅拌，震荡、研磨，使混合物形成匀质相。本发明增加了碳浆的粘结强度，提高了传感器的导电性以及耐热性，同时使附着力增强。通过该方法制作的纳米碳浆解决了低熔点树脂作为基体的导电浆料耐温度低的问题，制作工艺简单，产量高，可以有效应用工业生产。
一种耐高温传感导电及其制备方法

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