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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于FTO导电衬底的光伏器件及其制备方法-CN202211735190.2在审
发明人：方国家;葛艳松;王海兵;邵文龙;郑智淼;余紫熙 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K71/60 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于FTO导电衬底的光伏器件及其制备方法。包括如下步骤：在FTO导电衬底上采用原子层沉积法或溶胶凝胶法制备SnO2覆盖层，经退火，形成SnO2致密层；在SnO2致密层上制备二氧化锡电子传输层。本申请提供的方法在FTO导电衬底与二氧化锡电子传输层之间利用原子沉积或溶胶凝胶分子自组装形成一层均匀致密的二氧化锡薄膜，由于高雾度FTO粗糙度大，直接旋涂一层纳米二氧化锡很难将整个FTO覆盖，致使形成钙钛矿时，钙钛矿层与FTO直接接触从而形成漏电，而FTO与电子传输层二氧化锡之间制备一层致密均匀的二氧化锡可以有效地规避这个漏电问题，从而在减少电荷在界面处的复合，且该方法重复性好，有效解决高雾度FTO光伏器件存在漏电的问题。
一种基于 fto 导电衬底器件及其制备方法

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