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[实用新型]一种新型球体抛光装置-CN202321031655.6有效
发明人： 何新玉;张晗 -专利权人：温州阿泰科机械科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B24B29/04 文献下载
摘要：一种新型球体抛光装置，包括丝杆进给底座、U型支撑架、抛光装置以及驱动电机，丝杆进给底座安装在球面车床上，U型支撑架一端安装在丝杆进给底座上，另一端用于安装抛光装置，驱动电机与抛光装置连接，并驱动抛光装置的转轴转动。优点在于，驱动电机与抛光装置之间为非电连接，且走线远离机台，能够避免加工过程中线路缠绕，安全性更好。更大的加工行程能够满足更多不同种类的球面抛光需求。
一种新型球体抛光装置

[发明专利]一种干刻机台下电极及其制造工艺方法-CN202210548211.3在审
发明人：赵浩;何新玉;刘其贵 -专利权人：芜湖通潮精密机械股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种干刻机台下电极，包括下电极基体、钛棒，以及设置在下电极基体与钛棒之间的陶瓷棒；钛棒的端部与钨层接触；在钛棒与介质层接触的一端，电极基体与陶瓷棒相接触的端部均设置倒角。本发明还公开了该下电极的制造工艺方法。采用上述技术方案，能够有效避免直流电极柱镶嵌时形成间隙等缺陷，保证后续绝缘层良好结合，耐击穿电压＞6000V以上，可有效满足高世代和高制程面板刻蚀设备的需求。
一种机台电极及其制造工艺方法

[实用新型]PICP干刻下电氦漏检测设备-CN202023219175.1有效
发明人：赵浩;金卫明;何新玉;朱传兵;强军 -专利权人：芜湖芯通半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于PICP干刻技术领域的PICP干刻下电氦漏检测设备，所述的PICP干刻下电氦漏检测设备的设备框架(1)上设置检测板定版(3)，起吊部件(2)的起吊部件上组件(6)包括带通孔的上吊具(8)，起吊部件下组件(7)包括设置在设备框架(1)上的固定座(9)，固定座(9)上设置杆件(10)，检测板定版(2)下部安装氦检抽气部件(30)，氦检抽气部件(30)与PICP下电(20)连通，氦检仪与检测板定版(3)连通，本实用新型的PICP干刻下电氦漏检测设备，能够方便快捷实现PICP下电的氦漏检测，有效完成PICP下电产品是否存在泄漏的判断，避免无法使用产品出厂情况出现。
picp 刻下漏检设备

[实用新型]一种干刻下电极组装用设备框架-CN202023216378.5有效
发明人：朱传兵;金卫明;何新玉;赵浩 -专利权人：芜湖芯通半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于PICP干刻下电极组装技术领域的PICP干刻下电极组装用设备框架，所述的PICP干刻下电极组装用设备框架包括框架本体(1)，框架本体(1)上表面侧边设置多个向外侧延伸的定位板(2)，定位板(2)和框架本体(1)上表面均设置为水平布置的结构，每个定位板(2)上分别设置定位块(3)，定位块(3)为凸出的圆柱体结构，定位块(3)的上端面的水平高度设置为高于框架本体(1)上表面的水平高度，本实用新型所述的PICP干刻下电极组装用设备框架，结构简单，在PICP干刻下电极再生分离及组装中，方便快捷实现基板精确定位，并且确保不同PICP干刻下电极再生分离及组装基板定位的一致性，提高产品质量。
一种刻下电极组装设备框架

[实用新型]PICP干刻下电极再生分离及组装设备-CN202023216512.1有效
发明人：朱传兵;金卫明;何新玉;赵浩 -专利权人：芜湖芯通半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于干刻机台技术领域的PICP干刻下电极再生分离及组装设备，所述的PICP干刻下电极再生分离及组装设备的设备框架(1)的框架本体(18)上表面侧边的定位板(5)上设置定位块(6)，顶升机构(2)的机构框架(7)的机构底板(8)上的蜗轮蜗杆升降机(9)与设置在机构底板(8)上的多个导柱(12)连接，顶升平台(3)的每个平台固定座(14)上分别设置平台杆件(15)，本实用新型的PICP干刻下电极再生分离及组装设备，能够方便快捷自动化实现下电极和基板的分离及重新组合，确保两者相对位置定位可靠，不会造成密封圈损伤。
picp 刻下电极再生分离组装设备

[实用新型]PICP干刻下电氦漏检测设备用起吊部件-CN202023219173.2有效
发明人：赵浩;金卫明;何新玉;朱传兵;强军 -专利权人：芜湖芯通半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B66C1/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于PICP干刻下电技术领域的PICP干刻下电氦漏检测设备用起吊部件，所述的PICP干刻下电氦漏检测设备用起吊部件的起吊部件上组件(1)包括带通孔(3)的上吊具(4)，起吊部件下组件(2)包括设置在设备框架上的固定座(6)，固定座(6)上设置垂直布置的杆件(7)，本实用新型所述的PICP干刻下电氦漏检测设备用起吊部件，使得PICP下电在需要放置安装到检测板定版上时，通过起吊部件上组件和起吊部件下组件的插装定位，实现对起吊安装过程中的PICP下电起到导向作用，以对检测板定版和PICP下电的相对位置进行准确快捷定位，方便后续氦漏检测作业。
picp 刻下漏检备用起吊部件

[发明专利]一种节能环保易拉罐压扁设备-CN202110544523.2在审
发明人： 何新玉 -专利权人： 何新玉
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： B30B9/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种压扁设备，尤其涉及一种节能环保易拉罐压扁设备。提供一种可以更快、更均匀将易拉罐进行压扁的节能环保易拉罐压扁设备。一种节能环保易拉罐压扁设备，包括有：底座；固定架，安装在底座上；导轨，导轨为两个，均安装在固定架上；升降架，滑动式安装在导轨之间；第一导套，安装在固定架上，第一导套与升降架配合；压板，压板为两个，均安装在升降架上；把手，安装在升降架上；第一弹簧，第一弹簧为两个，均连接在第一导套和升降架之间。本发明达到了快速有效的对易拉罐进行压扁的效果，本发明通过放置组件能够放置并固定易拉罐，通过驱动组件，可以更加快速的处理易拉罐。
一种节能环保易拉罐压扁设备

[发明专利]一种节能环保用罐头压扁回收装置-CN202110683672.7在审
发明人： 何新玉 -专利权人： 何新玉
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B30B9/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种回收装置，尤其涉及一种节能环保用罐头压扁回收装置。本发明要解决的技术问题是如何设计一种在操作时不需要人工来直接的放置罐头，能够保证使用者的安全的节能环保用罐头压扁回收装置。为了解决上述技术问题，本发明提供了这样一种节能环保用罐头压扁回收装置，包括有：底板，底板顶部连接有支架；第一固定架，支架顶部连接有第一固定架；落料斜板，第一固定架底部一侧连接有落料斜板；支撑块，第一固定架上连接有支撑块。本发明通过挤压块和旋转机构配合运作对罐头进行压扁，从而达到对罐头进行压扁的效果。
一种节能环保罐头压扁回收装置

[发明专利]防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法-CN201910484130.X有效
发明人： 何新玉;赵浩;司奇峰 -专利权人：芜湖通潮精密机械股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其制备方法，包括介质层和玻璃基板，所述结构还包括设于介质层与玻璃基板之间用于降低接触硬度的复合层。本发明在传统下电极介质层上增加了Y2O3和Al2O3复合层，将表面硬度控制在HV300～500范围内，涂层硬度随着Y2O3含量增加而降低，使得下电极表面硬度低于玻璃硬度，有效的防止了玻璃背部刮痕和凹坑的而出现。
防止刻下电极表面玻璃基板背刮结构及其工艺方法

[发明专利]一种PICP干刻下电氦漏检测设备-CN202011582939.5在审
发明人：赵浩;金卫明;何新玉;朱传兵;强军 -专利权人：芜湖芯通半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于PICP干刻技术领域的PICP干刻下电氦漏检测设备，所述的PICP干刻下电氦漏检测设备的设备框架(1)上设置检测板定版(3)，起吊部件(2)的起吊部件上组件(6)包括带通孔的上吊具(8)，起吊部件下组件(7)包括设置在设备框架(1)上的固定座(9)，固定座(9)上设置杆件(10)，检测板定版(2)下部安装氦检抽气部件(30)，氦检抽气部件(30)与PICP下电(20)连通，氦检仪与检测板定版(3)连通，本发明的PICP干刻下电氦漏检测设备，能够方便快捷实现PICP下电的氦漏检测，有效完成PICP下电产品是否存在泄漏的判断，避免无法使用产品出厂情况出现。
一种 picp 刻下漏检设备

[发明专利]PICP干刻下电极再生分离及组装设备及其分离及组装方法-CN202011580381.7在审
发明人：朱传兵;金卫明;何新玉;赵浩 -专利权人：芜湖芯通半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于干刻机台技术领域的PICP干刻下电极再生分离及组装设备，本发明还涉及一种PICP干刻下电极再生分离及组装方法，所述的PICP干刻下电极再生分离及组装设备的设备框架(1)的框架本体(18)上表面侧边的定位板(5)上设置定位块(6)，顶升机构(2)的机构框架(7)的机构底板(8)上的蜗轮蜗杆升降机(9)与设置在机构底板(8)上的多个导柱(12)连接，顶升平台(3)的每个平台固定座(14)上分别设置平台杆件(15)，本发明所述的PICP干刻下电极再生分离及组装设备及其PICP干刻下电极再生分离及组装方法，能够方便快捷自动化实现下电极和基板的分离及重新组合，确保两者相对位置定位可靠，不会造成密封圈损伤。
picp 刻下电极再生分离组装设备及其方法

[发明专利]一种下电极表面介质层及其制作工艺-CN202010388667.9在审
发明人： 何新玉;赵浩;司奇峰 -专利权人：芜湖通潮精密机械股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种下电极表面介质层，所述下电极包括底层绝缘层、钨导电层、表面介质层和电极柱，所述表面介质层为密集分布凸点状结构，凸点为1～3μm方形或圆形，凸点高度10～30μm，凸点间距1～3μm，钨导电层设置在底层绝缘层与表面介质层之间，电极柱穿过底层绝缘层与钨导电层连接。本发明表面介质层为密集分布凸点状结构，凸点为1～3μm方形原形状或圆形，凸点高度10～30μm，凸点间距1～3μm，凸点大小小于或接近面板玻璃单个像素点尺寸。这种结构玻璃面板与下电极表面接触面积适中，同时又增加了下电极与玻璃面板之间的间隙，有效降低碎片及冷却不良等问题，同时类平板型轮廓解决了普通凸点型易出现Mura的问题，可以有效提高产品质量和良率。
一种电极表面介质及其制作工艺

[实用新型]用于定位电力传输线中耐张塔地理坐标的便携式振动器-CN202020138783.0有效
发明人：缪春旺;王丽峰;邹宁睦;黄厚杰;何新玉;张益昕;梁涛;顾益俊;王公晗 -专利权人：南京大学;国网江苏省电力有限公司沭阳县供电分公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于定位电力传输线中耐张塔地理坐标的便携式振动器，包括振动器壳体、振动器主控电路板、传输模块、振动马达、GPS装置、橡胶底座与弹簧伸缩带，振动器主控电路板、传输模块、振动马达和GPS装置设置在振动器壳体中；橡胶底座位于振动器壳体的下方，橡胶底座具备一定弧度，橡胶底座与耐张塔上的光纤接续盒的表面连接；弹簧伸缩带的一端固定在橡胶底座上，另一端设有挂钩；GPS装置、传输模块、振动器主控电路板、振动马达依次顺序连接。本实用新型用于辅助对振动敏感的分布式光纤传感系统进行耐张塔的GIS坐标标定，解决光纤传感所检测到事件位置难以映射到真实的地理坐标这一难题。同时本装置操作简单，可重复利用。
用于定位电力传输线中耐张塔地理标的便携式振动器

[实用新型]一种分布式光纤温度传感系统的外置式自标定装置-CN202020138483.2有效
发明人：邹宁睦;缪春旺;王丽峰;黄厚杰;何新玉;张益昕;莫海波;王公晗;梁涛 -专利权人：国网江苏省电力有限公司沭阳县供电分公司;南京大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分布式光纤温度传感系统的外置式自标定装置，包括内盒壳体、外盒壳体、传感光纤、温度测量探头、温度测试电路板、导热液体介质、隔热保温材料；传感光纤、温度测量探头和导热液体介质设置在内盒壳体中；内盒壳体、隔热保温材料、温度测试电路板设置在外盒壳体中；传感光纤用于获取拉曼后向散射光信号的功率大小，给分布式光纤温度传感系统后续的信号处理流程提供参数基准数值；温度测量探头用于测量出内盒的实时温度大小；温度测试电路板用于控制温度测量探头；传感光纤和温度测量探头浸没在导热液体介质中；隔热保温材料填充在内盒壳体和外盒壳体之间的空隙。本实用新型装置便携、可靠、低功耗。
一种分布式光纤温度传感系统外置标定装置

[发明专利]一种提高刻蚀机台上电极使用寿命的工艺方法-CN201810841354.7有效
发明人： 何新玉;司奇峰;王慧;赵浩 -专利权人：芜湖通潮精密机械股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高刻蚀机台上电极使用寿命的工艺方法，包括如下步骤：步骤一、对上电极的气孔周围遮蔽出喷砂空间，之后喷砂粗化处理；步骤二、去除遮蔽物及砂材杂质；步骤三、对上电极表面阳极氧化以形成阳极氧化膜；步骤四、对上电极的气孔周围遮蔽出喷涂空间，之后喷涂陶瓷涂层；步骤五、去除遮蔽物杂质，之后干燥处理。本发明能够有效提高上电极使用寿命，耐腐蚀性能越优异。
电极使用寿命刻蚀机遮蔽物电极遮蔽喷砂去除喷涂陶瓷涂层耐腐蚀性能阳极氧化膜粗化处理电极表面干燥处理喷涂空间阳极氧化砂材

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