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[发明专利]土壤改良剂及其制备方法和土壤改良方法-CN202110826005.X有效
发明人：杨远;张嘉超;何岳巍;罗琳;杨建 -专利权人：湖南农业大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K17/02 文献下载
摘要：本发明涉及土壤改良技术领域，公开了一种土壤改良剂组合物、土壤改良剂及其制备方法和应用。所述土壤改良剂组合物含有如下重量份的原料组分：以100重量份的生物炭计，硅肥的含量为20‑80重量份，瓦板岩尾矿粉的含量为50‑200质量份。所述土壤改良剂的制备方法包括上述组分混合。该土壤改良剂组合物能够有效降低土壤中的重金属有效含量，减少农作物对重金属的吸收。
土壤改良剂及其制备方法土壤改良

[发明专利]一种STT-MRAM存储单元-CN201611201099.7有效
发明人：王真;何岳巍;胡少杰;闵泰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种STT‑MRAM存储单元，包括晶体管和MTJ单元；晶体管建立在基底上，晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触；MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极；金属线与内电极连接；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极均与基底所在平面不平行；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极与金属线间隔设置。本发明中MTJ单元的设置形式将热稳定系数Δ随原本的平面结构尺寸的平方变化关系减弱为线性变化，可以用高度补偿，有利于MTJ小型化。本发明可有效的利用空间，保证良好的热稳定性，提高存储密度，提供多种存储模式，对20nm技术节点以下的存储器具有应用前景。
一种 stt mram 存储单元

[发明专利]一种基于自旋霍尔效应的磁随机存储器-CN201710749689.1有效
发明人：闵泰;何岳巍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：一种基于自旋霍尔效应的磁随机存储器，其结构特点为非磁性重金属层、MTJ单元及侧电极均为长方体柱状且垂直于圆晶衬底面，上电极、底电极及绝缘层平行于圆晶衬底面。同时MTJ单元自由层直接与非磁性重金属层接触，MTJ单元、侧电极通过绝缘层与上电极、底电极隔开，非磁性重金属层直接与上电极、底电极接触。一种基于自旋霍尔效应的SOT‑MRAM存储单元，其功能特点为，电流流经非磁性重金属层时，通过自旋霍尔效应产生自旋流，该自旋流通过自由层，以矩的形式作用于自由层磁矩，使其发生翻转，完成信息写入。此外，当电流通过底电极流经MTJ单元，流向侧电极时完成对存储单元内信息的读取。
一种基于自旋霍尔效应随机存储器