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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610957169.5有效
发明人： 何万迅;邢溯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法，首先提供一基底，然后形成一栅极结构于该基底上，形成一硬掩模于基底及栅极结构上，图案化硬掩模以形成多个沟槽暴露出部分基底表面，之后再形成垫高外延层于该多个沟槽内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201710854658.2有效
发明人： 何万迅;梅奎;邢溯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括一基板、一主动层、一接触区以及一栅极结构。主动层配置于基板之上，且主动层具有一源极区及一漏极区。接触区配置于基板之上。栅极结构配置于主动层之上，其中栅极结构包括一中间部分及一侧边部分，侧边部分连接于中间部分，且侧边部分是蛇型。
半导体装置

[发明专利]射频切换装置以及其制作方法-CN201710929657.X有效
发明人： 何万迅;邢溯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种射频切换装置以及其制作方法。该射频切换装置包括绝缘层、半导体层、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、外延层、第一硅化物层以及第二硅化物层。半导体层设置于绝缘层上。栅极结构设置于半导体层上。第一掺杂区与第二掺杂区设置于半导体层中且分别位于栅极结构的相对的两侧。外延层设置于第一掺杂区上。第一硅化物层设置于外延层上。第二硅化物层设置于第二掺杂区中。
射频切换装置及其制作方法

[发明专利]静态随机存取存储器元件及形成方法-CN201710217036.9有效
发明人： 何万迅;邢溯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器元件及形成方法，该静态随机存取存储器元件包含二基体接触插塞以及二电阻切换装置。基体接触插塞设置于一晶片中且自晶片的一背面暴露出，其中基体接触插塞在晶片中经由金属内连线结构电连接一静态随机存取存储器单元。电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。本发明还提供一种形成静态随机存取存储器元件的方法，包含下述步骤。首先，提供一晶片，晶片具有二基体接触插塞自晶片的一背面暴露出，且具有金属内连线结构电连接基体接触插塞至一静态随机存取存储器单元。接着，形成二电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。
静态随机存取存储器元件形成方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201611242454.5有效
发明人： 何万迅;邢溯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先形成一通道层于一基底上，然后形成一栅极介电层于通道层上，形成一源极层以及一漏极层于栅极介电层两侧，形成一下电极于栅极介电层上，形成一相位转换层于下电极上以及形成一上电极于相位转换层上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件-CN201711294348.6在审
发明人： 何万迅;邢溯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体元件，具有静态随机存取存储单元，静态随机存取存储单元包括第一、二P型金属氧化物半导体晶体管，形成于基底中N‑阱线区上方。第一、二N型金属氧化物半导体晶体管形成于基底中第一P‑阱线区上方，在N‑阱线区的第一边。第三、四N型金属氧化物半导体晶体管，形成于基底中第二P‑阱线区上方，在N‑阱线区的第二边。第一栅极线连接第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第二栅极线连接第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第三栅极线连接第二P型金属氧化物半导体晶体管与第三N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第四栅极线连接第四N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第一、三N栅极线是L形状。
栅极线阱线基底随机存取存储单元半导体元件

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