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[发明专利]太阳能电池元件-CN201780046035.0有效
发明人： 佐藤顺平;村尾彰了;松岛德彦 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层和电极。半导体基板具有第一面及位于该第一面的背侧的第二面。钝化层位于半导体基板的第二面上。电极位于钝化层上，且以与半导体基板电连接的状态存在。电极具有线状电极部，该线状电极部在从第二面侧对半导体基板进行俯视透视时沿着半导体基板的周缘部存在且以在厚度方向上将钝化层贯通的状态存在。
太阳能电池元件

[发明专利]半导体存储装置-CN202110060643.5在审
发明人：桥本寿文;佐藤顺平 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底；多个存储块，在与半导体衬底的表面交叉的第1方向上与半导体衬底分离，且沿着与第1方向交叉的第2方向排列；第1配线，比多个存储块离半导体衬底更远；第2配线，比多个存储块靠半导体衬底更近；第1接点，电连接在第1配线与第2配线之间；第1晶体管，设置在半导体衬底，电连接在所述多个存储块中的第1存储块与第2配线之间；以及第2晶体管，设置在半导体衬底，电连接在所述多个存储块中的第2存储块与第2配线之间。第1接点在第2方向上设置在第1晶体管与第2晶体管之间。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202010795027.X在审
发明人： 佐藤顺平 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够缩小芯片尺寸的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(10)具备存储单元阵列、周边电路(PE0_1)、周边电路(PE0_2)、感测放大器(SA0_1)。存储单元阵列设置在与半导体衬底(30)交叉的Z方向，具有多个存储单元。周边电路(PE0_1)设置在半导体衬底(30)与存储单元阵列之间。周边电路(PE0_2)设置在半导体衬底(30)与存储单元阵列之间，且与周边电路(PE0_1)隔离地设置在Y方向。感测放大器(SA0_1)设置在半导体衬底(30)与存储单元阵列之间、且周边电路(PE0_1)与周边电路(PE0_2)之间。周边电路(PE0_2)的Y方向的长度比感测放大器(SA0_1)的Y方向的长度的一半短。
半导体存储装置

[发明专利]太阳能电池元件及太阳能电池模块-CN201280037684.1有效
发明人： 佐藤顺平;京田豪;小柏阳平;名合佑介 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种使输出特性提高的太阳能电池元件及太阳能电池模块。本实施方式涉及的太阳能电池元件具备：具有第一面（1F）及该第一面的背面的第二面（1S）的第一导电型的半导体基板（1）；具有位于所述第一面（1S）上的第一层（2a）及贯通所述半导体基板或经由侧面而与所述第一层连续且位于所述第二面（1F）上的第二层（2b）的第二导电型的半导体层（2）；具有位于所述第一层（2a）上的主电极部（4a）及贯通所述半导体基板或经由侧面而与所述主电极部电连接且位于所述第二层（2b）上的第一输出取出部（4c）的第一电极（4）；位于所述第二面中的未配置所述第二层（2b）的部分的第二电极（5）。并且，在上述太阳能电池元件中，所述第二层（2b）的方块电阻比所述第一层（2a）的方块电阻大。
太阳能电池元件模块

[实用新型]半导体器件-CN201220097552.5有效
发明人：大户修;鹤户孝博;的场贤一;佐藤顺平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一布线，其沿着第一方向而被设置在第一布线层中；第二布线，其沿着与所述第一方向正交的第二方向而被设置在第二布线层中，所述第二布线在第一交叉部分处与所述第一布线交叉；以及第三布线，其靠近并沿着所述第二布线而被设置在所述第二布线层中，所述第三布线在第二交叉部分处与所述第一布线交叉，其中所述第一交叉部分中的所述第二布线与所述第二交叉部分中的所述第三布线之间的距离小于除了所述第一交叉部分之外的所述第二布线与除了所述第二交叉部分之外的所述第三布线之间的距离。
半导体器件