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[发明专利]稀土类磁体-CN201410119966.7有效
发明人：加藤英治;藤川佳则;坪仓多惠子;石坂力;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供一种即便降低Dy、Tb等重稀土元素的使用或者不使用Dy、Tb等重稀土元素也抑制了高温退磁率的稀土类磁体。本发明所涉及的稀土类磁体含有R2T14B主相结晶颗粒和邻接的主相结晶颗粒之间的晶界相，在所述稀土类磁体的任意截面中，在用Wadell的圆磨度（Roundness）A评价所述主相结晶颗粒的圆度时，以该圆磨度A成为0.24以上的方式控制主相结晶颗粒的形状。
稀土磁体

[发明专利]稀土类磁体-CN201410119455.5有效
发明人：加藤英治;藤川佳则;坪仓多惠子;石坂力;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供即使相比现有技术大幅度地降低Dy、Tb等重稀土元素的使用量或者不使用的情况下也能抑制高温退磁率的稀土类磁体。本发明所涉及的稀土类磁体包含R2T14B主相结晶颗粒、和邻接的二个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相，并控制二颗粒晶界相使该二颗粒晶界相的厚度为5nm以上且500nm以下，并且由具有与铁磁性体不同的磁性的相构成。
稀土磁体

[发明专利]稀土类磁铁-CN201410799883.7在审
发明人：藤川佳则;永峰佑起;大川和香子;石坂力;加藤英治;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，以至少包含在R：20～40原子％、T：60～75原子％、M：1～10原子％的范围内至少含有R-T-M元素的第一晶界相、以及在R：50～70原子％、T：10～30原子％、M：1～20原子％的范围内至少含有R-T-M元素的第二晶界相的方式控制烧结体的微结构。
稀土磁铁

[发明专利]稀土类磁铁-CN201410804193.6在审
发明人：藤川佳则;永峰佑起;大川和香子;石坂力;加藤英治;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，以所述晶界相包含在作为R、T和M相对原子比的R：25～35％、T：60～70％、M：2～10％的范围内至少含有R、T和M元素的晶界相的方式控制烧结体的微结构。
稀土磁铁

[发明专利]稀土类磁铁-CN201410798283.9在审
发明人：藤川佳则;永峰佑起;大川和香子;石坂力;加藤英治;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，以所述晶界相包含在作为R、T和M相对原子比的R：60～80％、T：15～35％、M：1～20％的范围内至少含有R、T和M元素的晶界相的方式控制烧结体的微结构。
稀土磁铁

[发明专利]稀土类磁铁-CN201410338962.8在审
发明人：加藤英治;藤川佳则;坪仓多惠子;石坂力;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01F1/053 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土类磁铁，即便在相比于以前大幅度降低Dy、Tb等重稀土元素的使用量或者不使用的情况下也抑制了高温退磁率的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁为含有作为主相的R₂T₁₄B结晶颗粒和该R₂T₁₄B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，在其任意截面中，用柱状图评价主相结晶颗粒的截面积分布时，控制粒径大的结晶颗粒和粒径小的结晶颗粒，使其截面积分布为夹着截面积的平均值在其两侧分别具有至少一个峰的分布。
稀土磁铁

[发明专利]稀土类磁铁-CN201410337934.4在审
发明人：加藤英治;藤川佳则;坪仓多惠子;石坂力;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土类磁铁，即便在相比于以前大幅度降低Dy、Tb等重稀土元素的使用量或者不使用的情况下也抑制了高温退磁率的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁为含有作为主相的R₂T₁₄B结晶颗粒和该R₂T₁₄B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，将由三个以上的多个主相结晶颗粒包围构成的晶界相作为晶界多重点时，控制烧结体的微结构使全部晶界多重点中由三个主相结晶颗粒包围构成的晶界三重点的比率为规定的值以下。
稀土磁铁

[发明专利]稀土类磁体-CN201410119483.7有效
发明人：加藤英治;藤川佳则;坪仓多惠子;石坂力;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在高温环境下也能够使用的抑制了高温退磁率的稀土类磁体。本发明的技术手段为将稀土类磁体做成在R₂T₁₄B主相结晶颗粒的截面中，结晶颗粒内部（内侧）的微细生成物的数密度比结晶颗粒外周部（外侧）的微细生成物的数密度多的微细结构。即，该稀土类磁体包含R₂T₁₄B主相结晶颗粒和形成于R₂T₁₄B主相结晶颗粒间的晶界相，该R₂T₁₄B主相结晶颗粒包含在结晶粒内形成有微细生成物的物质，在主相结晶颗粒的截面中以规定的椭圆将结晶颗粒划分为结晶颗粒内部和结晶颗粒的外周部时，该微细生成物以结晶颗粒内部的数密度比结晶颗粒外周部的数密度大的方式构成。
稀土磁体

[发明专利]声表面波元件、声表面波器件及分路滤波器-CN03810508.X无效
发明人：井上宪司;中野正洋;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波元件(11)，其包括：在输入端(18)与输出端(19)之间形成的第1布线段(20)；在第1布线段(20)上串联布置的多个第1声表面波谐振器(15)；与第1声表面波谐振器(15)相对、在输入端(18)侧或输出端(19)侧的第1布线段(20)上串联布置的多个第2声表面波谐振器(16)；在第1布线段(20)上的第2声表面波谐振器(16)相互之间的中点与参考电位电极(21)之间形成的多个第2布线段(22)；分别布置在第2布线段(22)上的多个第3声表面波谐振器(17)，它们的反谐振频率与第2声表面波谐振器(16)的谐振频率一致。
表面波元件器件分路滤波器

[发明专利]声表面波元件及其制法、声表面波设备和声表面波双工器-CN200410071150.8无效
发明人：中野正洋;真下朗;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：在依据本发明的一个具体实施方案的声表面波元件中，在薄膜电极18上形成的凸起电极20带有通孔31。另外，当部分凸缘进入凸起电极20的通孔31后，由于穿过薄膜电极28的氧化膜18a，在凸起电极20上的凸缘26到达薄膜电极18。由此，实现压电单晶衬底28上形成的薄膜电极18和凸缘26之间的传导。由此，在由单晶体铝制成的薄膜电极18的表面上形成氧化膜18a，但是进入凸起电极20的通孔31的部分凸缘26穿过该氧化膜18a，这样实现薄膜电极18和凸缘26之间更高精确度的传导。
表面波元件及其制法设备和声双工器

[发明专利]表面声波器件及其制造工艺-CN00803200.9有效
发明人：中野正洋;中泽道幸;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2000-03-31 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：在本发明的表面声波器件中，在有含有铝或铝合金的电极的压电基底表面上形成一个金属氧化物层，金属氧化物层形成的方式是至少覆盖所述电极。金属氧化物通过氧化一个薄得足以提供不连续的膜的金属层形成。至少在电极上的其中金属层以不连续的膜的形式存在的一个区域内的金属层通过氧化改变成连续的膜，所述连续的膜可以达到更加改进的防止腐蚀的效果。另外，设置金属氧化层对于表面声波器件的电气特性没有实质的影响。
表面声波器件及其制造工艺

[发明专利]弹性表面波装置-CN01800024.X无效
发明人：竹内正男;井上宪司;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-01-05 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种弹性表面波装置，能够实现宽带化并且小型化，并且，利用固有单相单方向性变换器特性，能够实现低损失化。弹性表面波装置包括压电基板(1)和设在该压电基板1的一个主面上的一对交叉指状电极(2)。使用由属于点群32，具有Ca₃Ca₂Ge₄O₁₄型结晶构造，其主要成分由La、Ta、Ga以及O组成，用化学式La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄所表示的单晶来作为压电基板(1)的材料。当用欧拉角把基板(1)的切出角和传送方向表示为(φ，θ，ψ)时，φ、θ和ψ可以存在于φ＝-5°～5°，θ＝135°～155°以及ψ＝15°～40°的第一区域中，或者，φ＝10°～20°，θ＝140°～157°以及ψ＝30°～60°的第二区域中。
弹性表面波装置

[发明专利]声表面波装置-CN98801265.0无效
发明人：井上宪司;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 1998-06-22 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种用于包括蜂窝电话在内的移动通信终端设备的、选择性即温度特性优良的小型宽通带声表面波装置。本发明的声表面波装置在一个基片表面上包括一根叉指型电极，该基片由化学式La₃Ga₅SiO₁₄代表的、且属于点群32的langasite单晶组成。当从langasite单晶切出基片的切削角和在基片上声表面波的传播方向按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示时，发现φ、θ、和ψ在分别由φ＝0°、θ＝140°、及ψ＝21至30°代表的区域内。在归一化厚度h/λ(％)与指示声表面波传播方向的所述ψ(°)之间的关系由下式给出，其中叉指型电极的厚度h用声表面波的波长λ归一化，当ψ≤25.5°时-3.79(h/λ)+23.86≤ψ≤-5.08(h/λ)+26.96并且当ψ＞25.5°时，以上关系由下式给出4.39(h/λ)+24.30≤ψ≤3.54(h/λ)+27.17
表面波装置

[发明专利]声表面波器件及其基片-CN00117890.3无效
发明人：井上宪司;福田承生;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;内田清志 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2000-06-02 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种电气机械耦合系数大和SAW速度低的声表面波器件的压电基片，和利用该基片的声表面波器件，使用属于点族32和晶体结构Ca₃Ga₂Ce₄O₁₄的单晶，基本成分可用化学式La_3-xSr_xTa_0.5-0.5xGa_5.5-0.5xO₁₄表示。Sr的成分比在0＜x≤0.15范围内。还提供一种声表面波器件，叉指式指形电极作在基片的一主要表面上。当从单晶上切下来的基片的切割角度和表面声波的传播方向用欧拉角度(φ，θ，ψ)表示时，选择这些角度，可得到适当的特性。
表面波器件及其

[发明专利]表面声波装置-CN99801591.1无效
发明人：井上宪司;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;内田清志 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 1999-09-13 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种表面声波装置有一块压电材料基片，基片性质包括利于展宽通频带宽度的机电耦合系数，利于使表面声波装置结构紧凑的SAW速度。压电材料基片由属于点集32化学式为Sr3TaGa3Si2O14的单晶体构成。如其切割角度和表面声波传播方向均在区域1-1内，由欧拉角度(Φ，θ，Ψ)表示的区域1-1，满足Φ＝25°～35°，θ＝20°～90°，Ψ＝-40°～40°，也可在区域1-2内，其满足Φ＝25°～35°，θ＝20°～90°，Ψ＝-25°～25°。
表面声波装置

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