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[发明专利]阳极氧化装置、连续阳极氧化装置以及成膜方法-CN201280029287.X无效
发明人：祐谷重徳;佐藤圭吾;垣内良蔵 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C25D11/00 文献下载
摘要：一种阳极氧化装置具有：电源滚筒，其以与其紧密接触的方式支撑带状物，所述带状物由可阳极氧化金属组成或由复合导电金属箔组成，复合导电金属箔是至少在其一个侧表面上可阳极氧化的金属且具有以导电材料配置的至少一部分，带状物紧密附接到所述部分；相对电极，其面朝电源滚筒而提供；电解槽，其由电解质填充，以紧密接触的方式支撑带状物的电源滚筒的部分和相对电极浸没到电解质中；保护部件，其由非导电材料形成，藉此带状物中被电源滚筒以与其紧密接触的方式支撑的横向端部以及电源滚筒的带状物件未紧密附接到的部分被覆盖且受保护而免于电解质的影响；以及驱动单元，其用于使紧密附接到电源滚筒的带状物件和保护部件与电源滚筒的圆周速度同步在电解质中同时行进。施加到缠绕在电源滚筒上的带状物的每单位宽度的张力由T(N/m)表示且电源滚筒的半径由R(m)表示，那么施加到被迫在电解质中同时行进的带状物的每单位宽度的张力(T)的值为1000x R或更大。
阳极氧化装置连续以及方法

[发明专利]附有绝缘层的金属基板及其制造方法以及半导体装置-CN201280016558.8有效
发明人： 佐藤圭吾;宫下阳太;祐谷重德 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。
附有绝缘金属及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]太阳能电池和太阳能电池制备方法-CN201180006683.6无效
发明人：祐谷重德;佐藤圭吾;中山龙一;垣内良藏;村上直树 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供模块型太阳能电池，其中将具有由化合物半导体构成的光吸收层的薄膜太阳能电池串联连接在单个基板上。所述基板包含由铁素体不锈钢构成的基底，形成在所述基底的至少一个表面上的铝层，以及通过阳极氧化所述铝层的表面获得的具有多孔结构的绝缘层。所述绝缘层在室温展现压缩应力。
太阳能电池制备方法

[发明专利]具有绝缘层的金属基板及其制备方法、半导体器件及其制备方法、太阳能电池及其制备方法、电子电路及其制备方法以及发光元件及其制备方法-CN201180008733.4有效
发明人： 佐藤圭吾;中山龙一;祐谷重德;向井厚史;铃木信也;宫下阳太 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-02-02 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。
具有绝缘金属及其制备方法半导体器件太阳能电池电子电路以及发光元件

[发明专利]半导体装置、半导体元件用基板以及它们的制造方法-CN201110035053.3有效
发明人： 佐藤圭吾;祐谷重德 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置在基板(2)和半导体元件(3)之间设置有由硅树脂形成的多孔结构体层(4)。作为另一种选择，在半导体装置(21)的基板(22)和半导体元件(23)之间设置有由下述化合物形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(24)，所述化合物通过对选自由单烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的组的至少一种烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷进行水解和缩合得到。作为再一种选择，在树脂基板(32)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的附着层(33)，并且在附着层(33)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(34)。
半导体装置元件用基板以及它们制造方法

[发明专利]膦酸二酯衍生物-CN96199436.3无效
发明人：宫田一义;堺恭大;小路恭生;津田可彦;井上泰秀;佐藤圭吾;三木新也 -专利权人：大塚制药工场株式会社
申请日： 1996-12-24 - 公布日： 2001-09-12 - 主分类号： C07F9/6509 文献下载
摘要：本发明涉及由下述式（１）表示的膦酸二酯衍生物，$其中Ｒ＃+[１]表示环烷基；含有１—３个选自低级烷氧基、低级烷基、卤原子、卤代低级烷基、低级烷酰基、硝基、苯甲酰基、氰基、Ｎ－低级烷基氨基甲酰基、Ｎ－苯基—低级烷基氨基甲酰基、Ｎ－（卤代苯基）氨基甲酰基和Ｎ，Ｎ－二低级烷基氨基甲酰基的取代基的苯基；含有卤代低级烷基作为取代基的１，３，４－噻二唑－２－基；噻唑基；可被卤原子取代的吡啶基；在苯环上含有１—２个低级烷氧基的苯并噻唑－２－基；或４，５－二氢噻吩并［３，２－e］苯并噻唑－２－基；Ｒ＃+[２]表示氢原子或苯基低级烷基；Ｒ＃+[３]和Ｒ＃+[４]各自表示低级烷基；以及Ａ表示选自哌嗪环、噻吩环和苯基取代的噻唑环的杂环。该衍生物可用作高血脂、糖尿病和白内障的治疗剂和预防剂，或者用作抗肿瘤剂。$＃!
膦酸二酯衍生物

[发明专利]膦酸二酯衍生物-CN95192824.4无效
发明人：黑木保久;宫田一义;津田可彦;井上泰秀;金矢淳;佐藤圭吾 -专利权人：株式会社大塚制药工场
申请日： 1995-02-27 - 公布日： 2001-06-06 - 主分类号： C07F9/6512 文献下载
摘要：本发明提供下式膦酸二酯衍生物$其中R＃+[1]、R＃+[2]、R＃+[3]和R＃+[6]相同或不同，各自代表氢原子、低级烷基、卤原子、硝基、低级烷氧基、氰基、苯基磺酰氨基、苄酰氨基、氨基、或卤素取代的低级烷基；R＃+[4]代表苯基、低级烷基、苯环上由卤素取代（或未取代）的苯基（低级）烷基、低级链烯基、羧基（低级）烷基、（低级）烷氧羰基（低级）烷基、（低级）烷氧（低级）烷基、低级链炔基、苄酰（低级）烷基、氨基、二（低级）烷酰氨基、苯亚甲氨基（苯环上有或没有低级烷氧基）、或吡啶亚甲氨基；R＃+[5]代表低级烷基；R＃+[7]代表低级烷氧基、羟基、苯基、苯环上有（或没有）卤素的苯基（低级）烷氧基、或苯基（低级）烷氨基；X＃+[1]和X＃+[2]各自代表氧原子或硫原子；Ａ代表氧原子或单键；而Ｚ代表低级亚烷基。$本发明的衍生物被作为治疗和／或预防高脂血症、高血压、和糖尿病的组合物使用。
膦酸二酯衍生物

[发明专利]膦酸二酯衍生物-CN94190513.6无效
发明人：黑木保久;宫田一义;中村静夫;近藤光由;岩本武史;奈波智惠子;津田可彦;井上泰秀;金矢淳;佐藤圭吾 -专利权人：株式会社大塚制药工场
申请日： 1994-05-31 - 公布日： 2000-01-05 - 主分类号： C07F9/6512 文献下载
摘要：本发明提供了下面通式（１）的膦酸二酯衍生物$其中各取代基定义见说明书。$本发明的衍生物用作高脂血症、高血压、糖尿病等的治疗剂。
膦酸二酯衍生物

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