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[发明专利]一种基于混维体系的高增益光探测器及其制备方法-CN202110708829.7有效
发明人：李京波;霍能杰;但智颖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于混维体系的高增益光探测器及其制备方法，包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上的硒化铟纳米片沟道层，位于硒化铟纳米片沟道层上两侧端的第一和第二电极，位于硒化铟纳米片沟道层上、第一和第二电极之间的大尺寸梯度合金CdSe@ZnxCd1‑xS量子点光敏层；本发明首次采用能带弯曲的梯度合金量子点作为混合体系的光敏层，且首次采用InSe纳米片作为混合体系的沟道层，解决了界面处费米能级钉扎效应，实现了，低噪声，高增益，高灵敏度的光探测。同时本发明的制备过程简单，技术成熟，设备易得，成本低廉，非常有利于商业化推广。
一种基于体系增益探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有栅压调控光电转化效率的硒氧铋/二碲化钼异质结光电晶体管及其制备方法和应用-CN202211057033.0在审
发明人：陈建茹;高伟;但智颖;韩理想;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于二维光电晶体管领域，公开提供了一种具有栅压调控光电转化效率的Bi2O2Se/MoTe2异质结光电晶体管及其制备方法和应用。该光电晶体管包括SiO2/Si衬底、Bi2O2Se/MoTe2异质结和电极；先将Bi2O2Se纳米片转移到SiO2/Si衬底，再将MoTe2纳米片垂直堆叠到Bi2O2Se纳米片上，交叠部分形成Bi2O2Se/MoTe2异质结，在异质结区域外制备金属粘附层/Au电极。本发明的光电晶体管具有1～8％的栅极调控光电转化效率，并在405～1310nm宽谱波段范围具有优异的自驱动光电性能，可用在太阳能电池、紫外‑可见光‑近红外成像和低功耗光电子器件领域。
一种具有调控光电转化效率硒氧铋二碲化钼异质结光电晶体管及其制备方法应用