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[发明专利]一种数据处理方法及相关装置-CN202180089479.9在审
发明人：李楠;伦志远;周威 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种数据处理方法及相关装置，用于提升闪存的数据保护能力。本申请实施例方法包括：控制器启动对闪存的编程操作，若编程时间到达预设阈值时第一字线未编程完成，则控制器向闪存发送编程中断指令，编程中断指令用于暂停编程第一字线，以防止第一字线编程失败时导致第二字线产生不可纠码字。控制器备份第二字线，第二字线为与第一字线同层且已经完成编程的字线。
一种数据处理方法相关装置

[发明专利]闪存数据管理方法、存储设备控制器及存储设备-CN202080100778.3在审
发明人：李楠;伦志远;周威 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种闪存数据管理方法、存储设备控制器及存储设备。该方法，包括：获取闪存介质中的目标块在进行擦写操作时的本征参数，本征参数包括擦写操作的执行时间；根据本征参数以及预设本征参数阈值预测目标块的运行状态，运行状态包括正常状态以及异常状态；根据预测的运行状态对目标块进行后续的数据管理。在本实施例提供方法中，通过获取闪存介质中的目标块在进行擦写操作时的本征参数，然后根据本征参数以及预设本征参数阈值预测目标块的运行状态，从而来评估闪存介质中各个块的健康程度，以根据各个块所确定的运行状态来对该块进行后续的数据管理，从而降低数据丢失风险，提升闪存介质的数据存储可靠性。
闪存数据管理方法存储设备控制器

[发明专利]一种管理数据存储阵列的方法、装置及存储介质-CN202080092988.2在审
发明人： 伦志远;褚艳旭;单明星 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种管理数据存储阵列的方法、装置及存储介质，包括：读取数据存储阵列中第一数据块所存储的数据；当检测到第一数据块的第一页的数据不可纠错时，获取所述第一数据块的当前不可纠错信息，其中，所述第一数据块包括N个页，所述第一页为所述N个页中的任意一页，N为大于1的整数；根据所述第一数据块的历史不可纠错信息和所述第一数据块的当前不可纠错信息确定所述第一数据块的风险等级。采用该手段，基于数据块的当前不可纠错信息和历史不可纠错信息来确定数据块的风险等级，可以实现在进行数据存储时根据数据块的风险等级进行选择性的存储，减少数据丢失的几率，进而提高数据存储的可靠性。
一种管理数据存储阵列方法装置介质

[发明专利]一种辐射敏感场效应晶体管及其制备方法-CN201610111860.1有效
发明人：王漪;张晓密;伦志远;丛瑛瑛;董俊辰;赵飞龙;韩德栋 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。
制备场效应晶体管二氧化硅层石墨烯薄膜辐射敏感干法制备探测器高能粒子辐射离子注入工艺多层石墨烯器件灵敏度调整器件二氧化硅缓冲作用界面问题绝缘沟道器件损伤氧化硅层源漏电极源漏接触杂质陷阱阈值电压沟道层硅衬底灵敏度总剂量电阻减小疏松探测辐射引入应用

[发明专利]一种OLED显示像素电路及驱动方法-CN201510765183.0在审
发明人：王漪;伦志远;丛瑛瑛;赵飞龙;董俊辰;韩德栋 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。
一种 oled 显示像素电路驱动方法

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