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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210370920.3无效
发明人：山崎信也;亀山悟;坂根仁;伊藤成志 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括半导体衬底，半导体衬底包括：n型漂移层；在漂移层的上表面侧上的p型主体层；以及在漂移层的下表面侧上的高杂质n层。高杂质n层包括作为掺杂剂的氢离子施主，并且高杂质n层具有比漂移层更高浓度的n型杂质。在漂移层的一部分和高杂质n层中形成包括作为寿命扼杀剂的晶体缺陷的寿命控制区域。施主峰值位置与缺陷峰值位置邻近或相同，施主峰值位置为在半导体衬底的深度方向上高杂质n层中氢离子施主浓度最高的位置，缺陷峰值位置为在半导体衬底的深度方向上寿命控制区域中晶体缺陷浓度最高的位置。在寿命控制区域的缺陷峰值位置中的晶体缺陷浓度为1×1012原子/立方厘米以上。
半导体装置及其制造方法

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