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[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置-CN201310697905.4有效
发明人：山本和弥;伊藤勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成方法用于在收容于反应室内的被处理体上形成薄膜，包括：第1工序，将第1原料气体和第2原料气体供给到上述反应室内；以及第2工序，停止供给上述第1原料气体，将上述第2原料气体供给到上述反应室内，使上述反应室内的压力高于上述第1工序时的压力；将上述第1工序和上述第2工序交替地重复多次。
薄膜形成方法装置

[发明专利]非水电解液型锂离子二次电池-CN201080045341.0在审
发明人：原富太郎;辻子曜;汤浅幸惠;今峰崇仁;佐佐木严;伊藤勇一;竹内要二;蛭田修;奥田匠昭;水谷守;佐和田博 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供作为正极活性物质使用两相共存型化合物的、耐久性优异的锂离子二次电池。该锂离子二次电池具有电极体和非水电解液，所述电极体具有含有正极活性物质的正极和含有负极活性物质的负极，所述非水电解液是在有机溶剂中含有锂盐的非水电解液。所述正极活性物质以含有锂的两相共存型化合物作为主体，同时还含有由层状结构的锂过渡金属氧化物形成的粒子，所述层状锂过渡金属氧化物粒子的平均粒径为2μm以下，并且在所述正极活性物质中的含有比例为5质量％以下。
水电解液型锂离子二次电池

[发明专利]非水电解液型锂离子二次电池-CN200980161867.2有效
发明人：原富太郎;辻子曜;汤浅幸惠;今峰崇仁;伊藤勇一;佐和田博;奥田匠昭;蛭田修;水谷守 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供的锂离子二次电池，是包含正极的锂离子二次电池，所述正极具有集电体、和设置在该集电体上的正极混合剂层，所述集电体作为主成分含有金属元素A；所述正极混合剂层含有作为正极活性物质的、含锂的两相共存型化合物；并且，所述正极混合剂层还作为添加剂具有组成中含有离子化倾向比所述金属元素A高的金属元素B的化合物。
水电解液型锂离子二次电池

[发明专利]用于碱性电池的阳极活性材料及其制造方法以及碱性电池-CN200580017586.1有效
发明人：小林哲郎;近藤康仁;松尾秀仁;佐佐木严;伊藤勇一;野崎洋;野中敬正;妹尾与志木;右京良雄;伊藤真典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-05-30 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01M4/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于碱性电池分阴极活性材料，其具有包括羟基氧化镍的片晶结构。当使用CuKα射线进行X射线衍射时，所述阴极活性材料具有位置在衍射角2θ为8.4度至10.4度的范围内的衍射峰。此外，本发明提供了一种碱性电池，其中包含具有阴极活性材料的阴极，具有阳极活性材料的阳极以及作为电解液的碱性水溶液。此外，本发明提供了一种方法，用于制造用于碱性电池的阴极活性材料，所述阴极活性材料具有包括羟基氧化镍的片晶结构。所述制造方法具有用于制造所述阴极活性材料的氧化过程，所述氧化过程为，在包括碱水溶液或碱的气流中，对具有片晶结构的由β型氢氧化镍制成的原材料进行氧化。
用于碱性电池阳极活性材料及其制造方法以及

[发明专利]碱性蓄电池-CN200580017503.9无效
发明人：小林哲郎;近藤康仁;松尾秀仁;佐佐木严;伊藤勇一;野崎洋;野中敬正;妹尾与志木;右京良雄;伊藤真典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-05-30 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01M4/32 文献下载
摘要：一种碱性蓄电池1，其包含：阴极2，其中含有β型氢氧化镍和/或β型羟基氧化镍作为阴极活性材料；阳极3，其中含有阳极活性材料；以及作为电解液4的碱性水溶液。碱性蓄电池1被构造为：能抑制所述阴极活性材料的晶体结构的至少部分由于充电或放电导致的变化，以及能抑制所述阴极活性材料在通过使用CuKα射线进行X射线衍射时，表现出位置在X射线衍射角2θ为8.4度至10.4度的范围内的新衍射峰。优选，应当在阴极2的表面提供阴离子交换膜层25。
碱性蓄电池

[发明专利]用于监测电池劣化的方法和设备-CN200480024273.4无效
发明人：松尾秀仁;小林哲郎;伊藤勇一;近藤康仁;右京良雄;菊池义晃;奥村素宜 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2004-08-18 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：根据本发明的电源特性检测方法，包括以预定的电流值从电池进行恒流放电，并测量恒流放电期间电压的第一步骤；基于第一步骤中测量的电压，计算电池内传质控制的超电势或电池内传质控制的电阻的第二步骤；以及当第二步骤中计算的电池内传质控制的超电势或电池内传质控制的电阻大于预定阈值时，确定电池内已经发生特性变化的第三步骤。
用于监测电池方法设备

[发明专利]开松机-CN200580000153.5无效
发明人：今泉政实;佐藤茂子;伊藤勇一 -专利权人：株式会社羽岛
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： B68G15/00 文献下载
摘要：被褥能被精细地开松，即使被褥以没有分离织物和内部填絮的原始形式供给并且开松的再生原填絮的形式类似于新的原填絮。此外，在使用过的被褥被开松时，能大大地降低开松工作所需的成本，并且能以较低的成本再生出原填絮(再生物品)。本发明的开松机包括供给比如被罩和床垫之类的被褥的传送设备，压下被褥的压辊，牢固地保持供给被褥以使得被褥不会滑动的上和下进料辊，以及滚筒，在该滚筒中，被进料辊保持的被褥的末端部分被设在滚筒外圆周表面中的金属针布所开松。滚筒的高速旋转允许金属针布来开松被褥的末端部分。
开松机

[发明专利]处理被处理基板的半导体处理方法和装置-CN200480000802.7有效
发明人：古屋治彦;两角友一朗;池川宽晃;平山诚;伊藤勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。
处理半导体方法装置

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