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[发明专利]氮化物晶体-CN201811401609.4有效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;吉田丈洋 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1‑x‑yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，晶体中的B、O和C的各浓度均低于1×1015at/cm3。
氮化物晶体

[发明专利]氮化物晶体-CN201910683527.1有效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;吉田丈洋 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高氮化物晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1‑x‑yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，晶体中的B的浓度低于1×1015at/cm3，晶体中的O和C的各浓度在晶体的主面的60％以上的区域中均低于1×1015at/cm3。
氮化物晶体

[发明专利]半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法-CN202211603466.1在审
发明人：金木奖太;藤仓序章;今野泰一郎;木村健司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法，得到具有p型层的高品质的半导体层叠物。半导体层叠物具备：衬底；设于衬底的上方，具有含Mg的Ⅲ族氮化物的p型层，p型层中的C浓度低于5×1015cm－3，p型层中的O浓度低于5×1015cm－3，p型层中的Si浓度低于1×1015cm－3，p型层中的F浓度为1×1014cm－3以上。
半导体层叠制造方法

[发明专利]氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件-CN201711244180.8有效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;三宅秀人 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社;国立大学法人三重大学
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。
氮化物半导体模板制造方法半导体器件

[发明专利]氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件-CN201711209088.8有效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;三宅秀人 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社;国立大学法人三重大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明的课题在于提供一种能够高效地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。本发明的解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：第一层形成工序，在衬底上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层；退火工序，在非活性气体气氛中对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，在退火工序后的第一层上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，从而由第一层和第二层构成氮化物半导体层。
氮化物半导体模板制造方法半导体器件

[发明专利]氮化物晶体、半导体层叠物、氮化物晶体的制造方法和氮化物晶体制造装置-CN202210078463.4在审
发明人：藤仓序章;木村健司;今野泰一郎 -专利权人：株式会社赛奧科思;住友化学株式会社
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：氮化物晶体、半导体层叠物、氮化物晶体的制造方法和氮化物晶体制造装置。课题是使氮化物晶体的品质提高。一种由InxAlyGa1－x－yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，晶体中的碳的浓度低于1×1015cm－3，晶体中的从导带底起0.5eV以上且0.65eV以下的能量范围内存在的电子陷阱E3的浓度低于1×1014cm－3。
氮化物晶体半导体层叠制造方法装置

[发明专利]III族氮化物层叠物、半导体元件和III族氮化物层叠物的制造方法-CN202110761500.7在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;木村健司;后藤修 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种III族氮化物层叠物、半导体元件和III族氮化物层叠物的制造方法。其课题是提高设备特性。解决手段如下：具有基底基板、设置在基底基板上且由氮化铝形成的第一层、以及设置在第一层上且由氮化镓形成的第二层，第一层的厚度大于100nm且为1μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为250秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为500秒以下。
iii 氮化物层叠半导体元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法-CN201780037496.1有效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体模板具有：基板，其具有表面以及与表面处于相反侧的背面；背面侧半导体层，其设置在基板的背面侧，由多晶的III族氮化物半导体形成，并具有与基板的线膨胀系数不同的线膨胀系数；表面侧半导体层，其设置在基板的表面侧，由单晶的III族氮化物半导体形成，并具有与基板的线膨胀系数不同的线膨胀系数，表面侧半导体层的厚度大于在仅设置表面侧半导体层而不设置背面侧半导体层的情况下将氮化物半导体模板加热至III族氮化物半导体的生长温度时在表面侧半导体层中产生裂纹的临界厚度。
氮化物半导体模板制造方法以及支撑

[发明专利]III族氮化物层叠基板和半导体元件-CN202011302621.7在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;木村健司 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体元件。提供能够提高形成在基底基板上的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：基底基板；第一层，其形成在基底基板上且由氮化铝构成；以及第二层，其形成在第一层上且由氮化镓构成，第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为200秒以下。
iii 氮化物层叠半导体元件

[发明专利]III族氮化物层叠基板和半导体发光元件-CN202011306996.0在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;木村健司 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体发光元件。提供能够提高形成在蓝宝石基板上且用于半导体发光元件的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：蓝宝石基板；第一层，其形成在蓝宝石基板上且由氮化铝构成；第二层，其是形成在第一层上且由氮化镓构成的添加有n型杂质的n型层；第三层，其是形成在第二层上且由III族氮化物构成的发光层；以及第四层，其是形成在第三层上且由III族氮化物构成的添加有p型杂质的p型层，第二层的厚度为7μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为200秒以下。
iii 氮化物层叠半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法-CN202011002525.0在审
发明人： 今野泰一郎;木村健司;藤仓序章 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法。提供能够实现形变小、适于制造紫外LED的AlN模板的技术。一种氮化物半导体层叠结构，其至少具有：蓝宝石基板、在蓝宝石基板的主面上形成的第一AlN层、以及在第一AlN层上形成的第二AlN层，第二AlN层的a轴方向的形变量ε2的绝对值小于第一AlN层的a轴方向的形变量ε1的绝对值。
氮化物半导体层叠结构发光元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体模板及其制造方法、以及外延片-CN201680012474.5有效
发明人：根本秀圣;今野泰一郎;藤仓序章 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的一实施方式中，提供氮化物半导体模板，其具有：异质衬底；由氮化物半导体形成的第一氮化物半导体层13，所述第一氮化物半导体层形成于异质衬底11的面11a上，且面内厚度偏差为4.0％以下；和由所述氮化物半导体形成的第二氮化物半导体层15，所述第二氮化物半导体层形成于异质衬底11的面11b的包括外周在内的环状区域上，且厚度为1μm以上。
氮化物半导体模板及其制造方法以及外延

[发明专利]氮化物半导体模板-CN201610982484.3有效
发明人： 今野泰一郎;藤仓序章;松田三智子 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供种氮化物半导体模板，其为具有基板和含氯的氮化物半导体层的氮化物半导体模板，所述含氯的氮化物半导体层中铁浓度小于1×1017cm‑3。根据本发明，能够抑制不希望的杂质混入氮化物半导体模板。
氮化物半导体模板

[发明专利]氮化物晶体-CN201811400336.1在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;铃木贵征;北村寿朗;藤本哲尔;吉田丈洋 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用In
氮化物晶体纳米压痕法测定半导体设备最大载荷成品率晶体的组成式制造

[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN201580075242.X在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;沼田隆之;根本秀圣 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明具有在形成于容器内部的升温部或降温部中的至少任一者处设置的衬底载置台和对衬底载置台的温度加以控制的温度控制部，所述衬底载置台与载置于载置面上的衬底之间进行热传递，所述温度控制部进行控制以使得在升温部设置有衬底载置台的情况下，在衬底被载置于衬底载置台之前，使衬底载置台的温度成为能够使将要搬入处理部的衬底升温至规定温度的温度；在降温部设置有衬底载置台的情况下，在衬底被载置于衬底载置台之前，使衬底载置台的温度成为能够使从处理部搬出的经过处理的衬底降温至规定温度的温度。
衬底处理装置方法

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