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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件-CN202211303175.0在审
发明人：鸟本司;龟山达矢;岸茉莉乃;宫前千惠;桑畑进;上松太郎;小谷松大祐;仁木健太 -专利权人：国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
半导体纳米粒子及其制造方法以及发光器件

[发明专利]半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件-CN202211302803.3在审
发明人：鸟本司;龟山达矢;岸茉莉乃;宫前千惠;桑畑进;上松太郎;小谷松大祐;仁木健太 -专利权人：国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
半导体纳米粒子及其制造方法以及发光器件

[发明专利]半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件-CN201880014289.9有效
发明人：鸟本司;龟山达矢;岸茉莉乃;宫前千惠;桑畑进;上松太郎;小谷松大祐;仁木健太 -专利权人：国立大学法人名古屋大学;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
半导体纳米粒子及其制造方法以及发光器件

[发明专利]发光装置-CN202110733638.6在审
发明人： 仁木健太;高桥润 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，其是考虑到了昼夜节律以及显色性的发光装置。本发明的发光装置具备1个或多个发光元件和多个荧光体，并发出由1个或多个发光元件以及1个或多个荧光体产生的第1光、第2光以及第3光，第1光的相关色温为1500K以上且3500K以下，且显色指数R9值为50以上，第2光的相关色温为3500K以上且5500K以下，且显色指数R9的值为50以上，第3光在CIE 1931表色系统的色度图中的X坐标及Y坐标的值比黑体辐射轨迹上的色温5500K下的X坐标及Y坐标的值小。另外，在相关色温6500K的光中，显色指数R9的值为50以上，并且褪黑素照度比率的值为1.0以上。
发光装置

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共 4 条

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